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公开(公告)号：CN106270498B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610717446.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种对贵金属纳米粒子进行相转移的方法，属于纳米材料领域。本发明方法是将贵金属纳米粒子分散于醇类溶剂中，然后加入适量的改性剂，于50℃～100℃下搅拌3‑10h后离心，贵金属纳米粒子即可分散于有机溶剂中。通过本发明相转至有机相的纳米粒子转移效率高，分散性好，且相转操作方便，是一种理想的纳米粒子相转移技术，其在纳米材料制备和应用中具有重要的价值意义。
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公开(公告)号：CN105261932B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510771197.3
申请日：2015-11-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于局域表面等离激元与量子点中激子强耦合的光源，包括金属纳米颗粒和量子点的混合液以及激发所述混合液的脉冲激光器；所述混合液的制备方法包括以下步骤：(1)制备水溶性的金属纳米颗粒；(2)将步骤(1)得到金属纳米颗粒进行表面改性，以使其溶于油相，将改性后的金属纳米颗粒分散在溶剂中；(3)将半导体量子点加入步骤(2)得到的混合溶液中混合，得到金属纳米颗粒和量子点的混合液；本发明的光源的组成不需要复杂的体系，只需将适宜浓度的金属纳米颗粒和半导体量子点混合，用脉冲激光激发即可得到Rabi劈裂，得到强耦合光源，操作简单、成本低且重复性高。
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公开(公告)号：CN105618785B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610028723.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铜/银核壳结构纳米线的制备方法，包括以下步骤:(1)制备铜纳米线，清洗后散入水中；(2)向步骤(1)的混合液中加入硫脲，并充分搅拌；(3)配制硝酸银溶液，滴加到步骤(2)得到的混合液中，避光搅拌；(4)将步骤(3)的混合液过滤清洗后，得到铜/银核壳结构纳米线；本发明制备的铜/银核壳结构纳米线为银包覆均匀、致密的铜基纳米线；利用铜本身来还原生成银壳层，核壳结构结合紧密，纳米线的稳定性佳；采用制备方法简单且最终产物分散于酒精保存即可，制备和保存成本低。
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公开(公告)号：CN104762656B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410004363.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺。本发明中的工艺包括如下依次的步骤：1）将硅片在惰性气氛下进行高温预处理，包括相继进行的较短时间（0.25～1小时）的高温（1150～1250℃）普通热处理和高温（1200～1250℃）快速热处理；2）在惰性气氛下进行低温普通热处理；3）在惰性气氛下进行高温普通热处理。大直径直拉硅片由于晶体生长的热历史很长，因此往往存在较多的原生氧沉淀（即：在晶体生长过程中必然形成的氧沉淀），若内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理，则在硅片体内形成的氧沉淀及其诱生缺陷的密度较低，导致硅片的吸杂能力不理想。利用本发明的工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀及其诱生缺陷，并在硅片近表面区域形成洁净区。与内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理的情形相比，本工艺可以提高硅片的内吸杂能力并有效减少热预算。
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公开(公告)号：CN106756825A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611040248.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C23C14/3464 , C09K11/636 , C23C14/0036 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用，采用了磁控溅射法通过控制硅靶和硼靶的功率来调节荧光涂层的富硅量和掺硼量。掺硼量的变化在涂层中引入大量发光中心的同时，不同缺陷之间的比例也发生变化，从而实现荧光涂层的最大发射荧光波长在很大范围内变化，即可以通过调节硼含量可以得到理想的发光色彩。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在荧光粉以及光电子器件领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106684174A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611199319.7
申请日：2016-12-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅片的表面制绒方法，依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒，第一次腐蚀时，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀，第二次腐蚀时，将经过第一次腐蚀后的多晶硅片置于由第二腐蚀溶液的雾化形成的雾中进行腐蚀。本发明的方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，且该制绒方法能够在金刚线切割多晶硅片表面制绒，将金刚线切割多晶硅太阳电池表面反射率最低可降至10％以下。且该制绒方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，具有很强的商业应用前景。
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公开(公告)号：CN106629736A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611184219.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/021 , C23F1/20
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/16 , C23F1/20
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅粉的制备方法，包括：采用刻蚀液对铝硅合金粉进行刻蚀，经过1‑600min的刻蚀得到含有纳米级孔道的多孔硅，孔径在1‑1000nm之间；将含有纳米级孔道的多孔硅置于酸性溶液中浸泡，之后经清洗去除杂质，得到多孔硅粉。所述的刻蚀液为由FeCl3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液或者由AgNO3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液。本发明以铝硅合金粉为原料，在酸腐蚀体系中，直接腐蚀合金粉中的铝后形成多孔硅粉，在硅粉内部形成孔隙率、结构可控的孔隙。本方法具有设备简单、反应时间短、操作方便、成本低、材料结构可控、能适应大规模工业生产等优势。
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公开(公告)号：CN105522168B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610016337.0
申请日：2016-01-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法，包含以下步骤：1)将乙酰丙酮钌、含铂化合物和三正辛基氧膦溶解于油胺和N，N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中；所述的含铂化合物为氯铂酸或氯铂酸钠；2)将步骤1)中得到的混合溶液在180～250℃下，搅拌反应30～600min；3)将步骤2)中得到的产物经分离，得到沉淀物，即为立方体铂钌核壳纳米晶。本发明还涉及上述方法制备得到的立方体铂钌核壳纳米晶。该制备方法通过一步法获得形貌尺寸均一的立方体铂钌核壳纳米晶，所得的产物尺寸适中、分散性好，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN106346015A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610726078.0
申请日：2016-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Pd@Pt薄层纳米粒子的制备方法，属于纳米材料领域。本发明的方法是将钯的前驱体溶液后加入到含有还原剂、分散剂以及修饰剂的混合溶液中，并于30℃-200℃反应1-5小时，得到Pd纳米粒子；然后将相转处理后的Pd纳米粒子分散至油相溶剂中，加入铂的前驱体溶液，并于150℃-300℃反应1-6小时，离心得到Pd@Pt薄层纳米粒子。本发明制得的Pd@Pt薄层纳米粒子形貌和尺寸分布均匀，外延质量高，可精确控制壳层的厚度和层数，在催化、电子器件、信息存储、光学器件、生物传感、微区成像以及医药等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104495765B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410750725.2
申请日：2014-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅，本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，成本低廉，适合于大规模的工业化生产。
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