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公开(公告)号：CN113564709B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110646627.4
申请日：2021-06-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和在薄膜光波导放大器中的应用。制备方法包括步骤：将有机铒化合物、金属杂质原子的前驱体均匀分散于流动性硅烷树脂中，所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，经热处理得到金属杂质原子掺杂的硅酸铒；金属杂质原子掺杂的硅酸铒中，掺杂的金属离子的价态与Er3+不相同，且所述金属离子的半径比Er3+的半径小30％以上。金属杂质原子掺杂的硅酸铒镶嵌于结晶氧化硅基质中，晶型为β‑Er2Si2O7，发光强度相比不掺杂可提高近一百倍，LDP可达1.3×1019cm‑3·s，制备方法与集成工艺兼容，有望用于高增益的薄膜光波导放大器。
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公开(公告)号：CN113564709A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110646627.4
申请日：2021-06-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和在薄膜光波导放大器中的应用。制备方法包括步骤：将有机铒化合物、金属杂质原子的前驱体均匀分散于流动性硅烷树脂中，所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，经热处理得到金属杂质原子掺杂的硅酸铒；金属杂质原子掺杂的硅酸铒中，掺杂的金属离子的价态与Er3+不相同，且所述金属离子的半径比Er3+的半径小30％以上。金属杂质原子掺杂的硅酸铒镶嵌于结晶氧化硅基质中，晶型为β‑Er2Si2O7，发光强度相比不掺杂可提高近一百倍，LDP可达1.3×1019cm‑3·s，制备方法与集成工艺兼容，有望用于高增益的薄膜光波导放大器。
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公开(公告)号：CN112921271A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110031291.0
申请日：2021-01-11
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/58 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种掺铒氧化镓薄膜及其制备方法和在发光领域的应用。该制备方法包括步骤：(1)在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用磁控溅射方法对掺铒氧化镓靶材进行溅射或者对铒靶材和氧化镓靶材进行共溅射，在预溅射至挡板至少5min后再开始在加热的衬底上溅射沉积薄膜；(2)在氧气或氮气气氛下，对步骤(1)得到的薄膜进行300℃以上的高温热处理，在激活铒的同时使氧化镓晶化，之后自然降温，得到所述掺铒氧化镓薄膜。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光、光通信等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111304739A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010111319.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B25/06 , C30B28/14 , C30B29/06 , C30B29/34 , C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/58 , C23C14/16 , C23C14/08 , H01L33/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硅酸铒晶体和硅纳米晶体共镶嵌二氧化硅薄膜及其制备方法和应用，采用反应共溅射制备富硅硅酸铒薄膜，在通过高温热处理得到硅酸铒晶体和硅纳米晶。本发明还公开了在上述薄膜基础上制备得到的低开启电压高效率红外发光二极管。由于硅纳米晶的形成，薄膜导电性增强，器件开启电压减小；由于硅酸铒晶体的形成，薄膜铒的有效掺杂浓度提高，器件红外电致发光强度上升、效率大幅提高。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光、光通信等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105347405B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510796923.7
申请日：2015-11-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种注入法合成氧化镍纳米晶的方法，包括如下步骤：(1)制备包括镍金属有机化合物和保护配体的前驱体溶液，在惰性气体保护下将前驱体溶液加热至100℃～350℃并保温；(2)烷醇与溶剂混合，得到烷醇溶液，在惰性气体保护下将烷醇溶液加热至100℃～500℃并保温；(3)将步骤(1)得到的前驱体溶液注入步骤(2)得到的烷醇溶液中并控制注入后的混合溶液温度在200℃～400℃并保温，醇解反应得到氧化镍纳米晶溶液；(4)将步骤(3)得到的氧化镍纳米晶溶液进行萃取和离心，得到氧化镍纳米晶粒。通过本发明制备得到的氧化镍纳米晶尺寸小、分布均匀，制备方法简单，成本低，重复性好，具有良好的工业应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795464B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510101264.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用发光多孔硅颗粒提高太阳能电池效率的方法，对抛光硅片丝网印刷后进行快速热处理，采用单槽电化学腐蚀法在氢氟酸与无水乙醇的混合溶液中，在电流密度30～100mA/cm2，腐蚀时间约20～120min下，制得发光多孔硅；剥离发光多孔硅并研磨至2～200nm，然后对发光多孔硅颗粒进行硅烷化反应；最后将改性后的发光多孔硅颗粒溶液旋涂于太阳能电池表面。本发明进行旋涂后的太阳能电池相比对照样，具有表面反射率降低、外量子效率增加和填充因子升高等特点，而电池的转换效率相比对照样提高5％～10％。
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公开(公告)号：CN103422058B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310275972.7
申请日：2013-07-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用，采用共溅射制备掺硼富硅氧化硅薄膜，并通过之后的高温热处理在氧化硅薄膜内生成掺硼的硅纳米晶。由于掺硼硅纳米晶的形成，薄膜的导电性增强；由于硼还处于氧化硅基体中及硅纳米晶和氧化硅基体界面处，引入了发光中心，增强了薄膜的光致发光，并使其可以宽光谱白光发光。发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光，太阳能电池，非线性光学等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104787773A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510157516.1
申请日：2015-04-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有敏化效果的硅酸铒的制备方法，将铒可溶化合物溶解于溶剂中得到的溶液旋涂于多孔硅表面，直至旋涂量达到4.44×10-3～8.89×10-2ml/cm2，烘干后，依次经两步热处理得到具有敏化效果的硅酸铒。制备得到的硅酸铒为由纳米硅柱及包覆在纳米硅柱表面的单层硅酸铒组成的核壳结构，有较好的敏化效果，在非共振激发光下仍有较好发光，可应用于硅基光电集成和光通信等领域。
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公开(公告)号：CN103288087A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310204226.9
申请日：2013-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/02
Abstract: 本发明公开了一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺，采用化学–电化学腐蚀相结合的方法，可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅，然后将多孔硅经烯烃和烯酸进行表面改性，在硅颗粒表面引入了Si-C键。与未经表面改性处理的多孔硅相比，改性后多孔硅颗粒的光致发光强度有了明显增强；同时，硅颗粒在极性和非极性溶剂中的发光稳定性大大提高，发光强度随时间延长而衰减现象得到的有效改善；此外，包覆烯酸分子的硅颗粒在极性溶剂中的分散性能良好。本发明工艺简单，方便操作并且适合大规模生产，具有很强的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN102530948B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210001262.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 浙江大学 , 镇江大成新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从硅片切割锯屑中回收硅的方法，包括以下步骤：将切割锯屑与水混合，分别调节固液重量比为1∶2～1∶20，加入分散剂，形成悬浮液，对悬浮液进行超声清洗处理、固液分离，得到泥状固含物；将泥状固含物依次投入到盐酸、硝酸、氢氟酸溶液中，调节固液重量比为1∶2～1∶20，酸洗处理，然后漂洗，得到硅和碳化硅的混合物；将硅和碳化硅的混合物，投入到密度在硅和碳化硅的密度值之间的离心溶剂中，离心分离、净化、干燥，得到硅粉和碳化硅粉。本发明方法操作简便，分离效率高，耗时短，成本低，回收的硅纯度高。
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