公开(公告)号：CN106794994B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580045448.8

申请日：2015-07-17

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 近藤刚司 ,  杉山佑介 ,  合田信弘 ,  高桥睦 ,  毛利敬史 ,  新美知宏 ,  阿部友邦 ,  曾根宏隆 ,  齐藤淳志 ,  佐伯昭裕

IPC: C01B33/021 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/366 ,  C01B32/05 ,  C01B33/021 ,  C01B33/037 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/386 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  Y02P20/133

Abstract: 本发明提供比以往的硅材料更理想的硅材料及其制造方法。一种碳被覆硅材料的制造方法，其特征在于，包括如下工序：层状硅化合物制造工序，使CaSi2与酸反应而制成层状硅化合物；硅材料制造工序，将上述层状硅化合物在300℃以上加热而制成硅材料；被覆工序，用碳被覆上述硅材料；清洗工序，用相对介电常数5以上的溶剂清洗上述硅材料或经过上述被覆工序的硅材料。

公开(公告)号：CN108923037A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201811191738.5

申请日：2018-10-12

Applicant: 合肥国轩高科动力能源有限公司

Inventor： 王庆莉 ,  王辉 ,  李道聪 ,  夏昕 ,  杨茂萍

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  C01B33/021 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C01B33/113 ,  C01B32/15 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/366 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/15 ,  C01B33/021 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C01B33/113 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种富硅SiOx-C材料的制备方法，以SiO为原材料，通过刻蚀SiO歧化反应生成的组成为SiO2@SiO@Si的SiOx获得多孔硅基材料，然后通过CVD（化学气相沉积）法在多孔硅基材料的孔结构中沉积Si，从而获得富硅的SiOx材料，并进一步通过CVD沉积形成的碳包覆层。通过本发明的制备方法制备的富硅SiOx-C材料的克容量及首次库伦效率均高于商业化的SiO，循环稳定性相对较好，克服了SiO材料首效较低的缺陷。

公开(公告)号：CN108913899A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810598131.2

申请日：2018-06-11

Applicant: 中山大学

Inventor： 阮菊俊 ,  黄哲 ,  秦保家 ,  仇荣亮

IPC: C22B7/00 ,  C22B5/16 ,  C01B33/12 ,  C01B33/021 ,  C10L3/00

CPC classification number: C22B7/001 ,  C01B33/021 ,  C01B33/12 ,  C10L3/00 ,  C10L2290/02 ,  C22B5/16

Abstract: 本发明公开了一种从废旧太阳能板中回收金属和能源气体的装置。所述装置包括多温区真空加热装置、刚玉管、拼装坩埚、真空泵和集气瓶；所述刚玉管置于多温区加热装置炉内，拼装坩埚置于刚玉管内，拼装坩埚由若干个坩埚基体拼装形成，且每个坩埚基体对应多温区真空加热装置的不同加热温区的位置放置；刚玉管的入口设有密封盖A，密封盖A上设有放气阀和放气管道，刚玉管的出口设有密封盖B，密封盖B上设有与真空泵连接的导气管，导气管设有真空泵阀，真空泵的出气口通过输送管道与集气瓶连接，输送管道中设有放气管道、放气阀及气瓶阀。该装置实现了废旧太阳能板中金属、有机物和硅原料的高效精准回收，具有结构简单，高效回收，环境友好的特点。

公开(公告)号：CN105406050B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201511026642.X

申请日：2015-12-31

Applicant: 深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司

Inventor： 何鹏 ,  李胜 ,  岳敏 ,  郭锷明

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/36 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/386 ,  C01B33/021 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/483 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027

Abstract: 本发明涉及一种复合硅负极材料，所述复合硅负极材料包括纳米硅、包覆在纳米硅表面的纳米复合层，以及均匀包覆在纳米复合层外的导电碳层；所述纳米复合层为硅氧化物和金属合金。本发明提供的具有三层结构的复合硅负极材料中，通过由硅氧化物与涂覆在硅氧化物表面的金属合金组成的纳米复合层，有效降低了纳米硅的体积膨胀并且保持硅材料具有高导电特性，提升锂离子的迁移率，且避免了硅负极与电解液直接接触，可在复合硅负极材料表面形成坚固的SEI膜，大大提升了材料循环性能；本发明复合硅负极材料具有容量高(＞1500mAh/g)，长循环寿命(300次循环容量保持率在90％以上)及高导电性的特点；本发明提供的符合硅负极材料的制备工艺简单易控，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN108349740A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063155.7

申请日：2016-10-27

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 原田正则 ,  毛利敬史 ,  合田信弘 ,  山口泰弘

IPC: C01B33/021 ,  H01M4/38

CPC classification number: C01B33/021 ,  H01M4/38

Abstract: 一种硅材料的制造方法，其特征在于，包括：将CaSi2粉末在400～1000℃的范围内进行加热的工序；使经过上述工序后的CaSi2粉末与酸发生反应而形成层状硅化合物的工序；将上述层状硅化合物以300℃以上进行加热的工序。

公开(公告)号：CN108190892A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810134097.3

申请日：2018-02-09

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 霍开富 ,  安威力 ,  高标 ,  梅世雄

IPC: C01B33/021 ,  C01B33/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/021 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明公开了一种无酸化大规模低成本制备纳米硅的方法，涉及材料制备技术领域。其通过将硅粉与活泼金属粉化合以后，在保护气氛下加热使硅与金属的化合物分解得到纳米硅团聚颗粒和金属蒸汽，借助于保护气体气流使金属蒸汽流动远离纳米硅，并通过控制温度使金属蒸汽转化为固体，收集后可再次与微米硅混合发生化合反应，而纳米硅团聚颗粒通过简单球磨得到分散良好的纳米硅颗粒，该方法不仅可以简单快速地获得分散性良好的纳米硅，而且金属粉原料可以循环使用，该方法简单易行，反应副产物少，安全系数高，且没有涉及任何污染性副产物，可用于大规模制备纳米硅。

公开(公告)号：CN108002389A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711271948.0

申请日：2017-12-05

Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司

Inventor： 朱凌云 ,  王振宇 ,  何旻雁 ,  刘鑫雨 ,  张天锦

IPC: C01B33/021 ,  H01M4/62 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/62

Abstract: 本发明公开了一种锌铋合金包覆硅镁颗粒制备泡沫状硅粉的方法，包括：准备硅镁合金粉末；在硅镁合金粉末的表面包覆锌铋合金层；将包覆有锌铋合金层的硅镁合金粉末进行固相扩散热处理，以促进包覆层中的锌和铋金属分别与镁硅反应结合；将固相扩散热处理后的硅镁合金粉末进行氧化处理；以及将氧化处理之后的硅镁合金粉末进行酸洗去除锌、铋和镁。通过采用不易氧化、熔点低于镁燃点的锌铋合金包覆硅镁合金颗粒，结合一定温度下的固相扩散处理和低氧氧化处理工艺是本发明获得具有微孔结构的泡沫硅粉，提高制备效率且泡沫硅粉一次颗粒度较小。

公开(公告)号：CN107742715A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201711008723.6

申请日：2017-10-25

Applicant: 山东大学

Inventor： 冯金奎 ,  安永灵

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E60/122 ,  Y02T10/7011 ,  H01M4/386 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/021 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种多孔硅或多孔硅金属及其制备方法，包括：1）将纳米硅基合金中置于真空热处理炉中，真空度保持在-0.095~0Mpa之间；然后加热，温度保持在600~1300℃之间，并保温0.1-10h；3）待纳米硅基合金中的易挥发合金元素在真空条件下逐渐挥发，即得锂电池负极材料纳米多孔硅；与现有技术相比，本发明的制备方法简单、制备的纳米多孔硅孔径分散均匀，比能量高、循环性好、倍率性能好，反应过程简单以及耗时少等优点，同时，本发明的制备方法成本低、制备效率高，能更好地满足工业化生产的需要，实现大规模生产。

公开(公告)号：CN105452165B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201480044673.5

申请日：2014-08-06

Applicant: GTAT公司

Inventor： M·H·利泽 ,  W·沃尔曼 ,  C·M·沃纳特赫

IPC: C01B33/035 ,  H05B1/02

CPC classification number: C01B33/021 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/0803 ,  B01J2219/0879 ,  C01B33/035 ,  H05B1/0233

Abstract: 本发明揭示一种为了硅生产点火一或多个丝的方法及系统，其包含使用与该一或多个丝连接的一变压器将一输出电压施加至该一或多个丝。另外，该方法包含与该输出电压的该施加组合，经由一扼流圈而将一电流供应至该变压器的一初级绕组以限制该电流至一第一预定电流临限值范围。该经供应电流与该经施加输出电压的该组合容许自起始要求点火该一或多个丝的一电力供应装置产生的一预定输出范围。

公开(公告)号：CN105473500B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201480046099.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： R·佩赫 ,  P·格吕布尔

IPC: C01B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B35/007 ,  B02C1/10 ,  B02C2/005 ,  B02C4/305 ,  B02C13/28 ,  B02C17/20 ,  B02C2210/02 ,  C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 在表面上具有碳化钨颗粒的多晶硅碎块，其中碳化钨颗粒根据重量加权平均的粒径为小于或等于0.5μm、优选为小于或等于0.2μm或者平均粒径为大于或等于0.8μm、优选为大于或等于1.3μm。利用至少一个具有包含碳化钨的表面的破碎工具将多晶硅棒破碎成为碎块的方法，其中工具表面的碳化钨含量为小于或等于95％，碳化钨颗粒根据重量加权平均的粒径为大于或等于0.8μm，或者工具表面的碳化钨含量为大于或等于80％并且碳化钨颗粒的平均粒径为小于或等于0.5μm。