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公开(公告)号：CN104355307A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410567064.X
申请日：2014-10-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供的RGO/Cu纳米复合粉体的制备方法，具体是：先将氧化石墨烯还原，再用敏化，活化的方法使铜均匀地负载于石墨烯上，得到铜均匀负载于石墨烯片层上的纳米复合粉体。该方法包括石墨烯的敏化和活化、RGO/Cu纳米复合粉体的中间产物的制备、H2还原RGO/Cu的纳米复合粉体步骤。本发明提供的是一种制备铜均匀地负载于石墨烯片上的纳米复合材料的全新方法，具有高效、快速、操作比较简便、成本低、不需要使用昂贵仪器，以及节约能源等优点。
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公开(公告)号：CN103981382A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410218501.7
申请日：2014-05-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高导热金刚石/铜基复合材料的制备方法，由基体铜、金刚石粉末和钼镀层构成，钼的含量体积分数为1％～2％，其余为金刚石颗粒和铜；在金刚石和铜中，金刚石粉末含量体积分数为15％～50％。本发明可以解决在熔渗、粉末冶金等方法中金刚石粉末和铜不润湿导致的烧结致密化的难题，方法如下：一、采用磁控溅射方法在金刚石颗粒的表面镀钼，制成钼包金刚石粉；二、利用化学镀的方法在钼包金刚石粉的表面镀铜，制成铜包钼包金刚石粉；三、采用机械混和方式把步骤二中得到的复合粉末与一定比例纯铜粉混合；四、将步骤三制备的混合粉末真空热压烧结，得到金刚石/铜基复合材料，该材料具有较好的界面结合状况，高的致密度与热导率。
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公开(公告)号：CN103480837A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310476238.7
申请日：2013-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种碳纳米管增强铜基热用复合材料的制备方法，具体是：采用化学包覆的方法，在表面改性的碳纳米管表面包覆一层致密均匀的纳米铜，获得具有包覆厚度为100-200nm的Cu@CNT复合粉末，然后将Cu@CNT复合粉末和纯Cu粉按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%-10.0%，Cu=90.0%-99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述碳纳米管增强铜基热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强Cu基热用复合材料，具有热导率高、CNT-Cu界面之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN103464742A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310430077.8
申请日：2013-09-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体的制备方法，属于粉末冶金的粉体处理与制备技术领域。钨粉经过碱洗酸洗并经敏化活化形成预处理粉体，再进行表面包覆银形成纳米银层包覆钨复合粉体，最后将银包覆钨复合粉体进行包覆铜获得铜含量在5%～50%变化的铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体。本发明制备的复合包覆粉体中铜、银包覆层均匀、完整、纯度高、质量可控。银层的加入可以明显改善钨铜界面润湿性。复合包覆粉体具有良好的烧结性能，钨铜复合材料的热学、力学等综合性能能够得到提升，复合包覆粉体可作为制备高性能钨铜复合材料的原材料，在电子封装、高温材料、电触头材料等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101792311B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010123047.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/468
Abstract: 本发明涉及一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将BaCO3微粉和TiO2微粉，按摩尔比1∶2配料后，加入无水乙醇机械混合，得到混合原料；烘干后，压制成圆片；2)将混合原料圆片放入电弧熔炼设备中进行熔炼，熔炼时先抽真空，然后充入高纯氩气保护，熔炼时的电极电流为100～200A，每次熔炼时间为0.5～1.5min；经过4～8次反复熔炼后，得到块体；3)将熔炼合成的块体，研磨，然后置入高温石墨模具中，移入热压烧结炉中，以5～20℃/min的升温速率升至1100～1200℃，保温1～3小时并施加20～80MPa的轴向压力；随炉冷却，得到二钛酸钡陶瓷靶材。本发明具有物相单一、致密度较高、尺寸较大的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102328919A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110187436.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及高纯、尺度均匀可控的氮化硅纳米线短波长发光材料的制备方法，即：以市售纯度>99.999%和晶粒尺寸10～100nm的纳米硅粉作为初始原料，将其在液氮中处理1～100小时，得到表面氮钝化的纳米硅粉；经过后续氮化工艺处理，控制氮化温度为1000℃～1500℃，氮化气体为氮气与氨气的混合气体，气氛流量为100～1000ml/min，氮化保温1～24小时，得到物相单一、高纯、直径10～160nm、长度5～80μm的氮化硅纳米线。本发明工艺简单，成本低廉，可重复性好，而且所制备的氮化硅纳米线具有纯度高、物相单一、尺度均匀可控、短波长发光等优异性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
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公开(公告)号：CN102248278A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110172005.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B23K20/14 , B23K20/233 , B23K20/24 , C23C14/16 , C23C14/35 , B23K103/18
Abstract: 本发明是一种镁合金与铝合金夹层扩散焊接的方法，该方法主要包括以下步骤：（1）焊接母材的机械加工处理步骤：将镁合金和铝合金加工、打磨、抛光，并用超声清洗；（2）利用磁控溅射镀膜设备控制工艺参数在镁合金及铝合金上沉积Cu薄膜；（3）将镀膜母材利用模具装配后置于真空热压炉内，控制焊接温度、保温时间以及压力，得到焊接接头。本发明的优点在于：（1）Cu薄膜能很好地保护焊接母材表面，减少惰性金属氧化物层的生成。（2）Cu元素改善了焊接界面的物相组成和显微结构，抑制了焊接接头中间层脆性金属间化合物的形成。（3）焊接接头强度高，拉伸强度能够达到10MPa~20MPa；焊接接头变形小和残余应力小。
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公开(公告)号：CN101254572A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810046712.1
申请日：2008-01-17
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种焊接金属钛合金与铜合金的方法。一种利用铌中间层扩散焊接钛合金与铜合金的方法，其特征在于它包括以下步骤：1)选择铌箔或铌粉作为连接钛合金片与铜合金片的中间层，清洁钛合金片和铜合金片的待焊面；2)将铌中间层置于钛合金片与铜合金片之间，整体放入石墨模具中，然后将石墨模具移入真空焊接炉内，并施加0.5～2MPa的预压力压实；3)对真空焊接炉抽真空，当真空度大于5×10－3Pa时，开始加热，升温至700～850℃后保温30～60min，升温速率为2～10℃/min，并在保温前施加5～10MPa的轴向压力；达到保温时间后，开始降温、卸除压力并随炉冷却。该方法可实现钛合金与铜合金的高强度连接。适合于多种钛、铜合金的高强度连接。
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公开(公告)号：CN100358833C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610018872.6
申请日：2006-04-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种磷酸锆陶瓷材料的制备方法，即：(1)制备磷酸锆粉体：先将液体磷酸直接与氧化锆陶瓷粉料均匀混合，二者之重量配比为2∶1；再进行热处理，使氧化锆与磷酸充分反应生成磷酸锆；然后对磷酸锆进行煅烧、球磨、干燥、过筛处理即可。(2)用氧化镁、氧化铝、氧化硅作为烧结助剂，与磷酸锆粉体均匀混合。(3)使混合物干压成型。(4)将成型混合物进行冷等静压处理，制得坯体。(5)将坯体在1100～1500℃空气中常压烧结，保温1～5小时，即得磷酸锆陶瓷材料。本发明工艺简单、可重复性好、成本较低，而且所制备的磷酸锆陶瓷材料具有高致密度、较高力学(抗弯)强度和低介电常数与介电损耗等优异性能。
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公开(公告)号：CN119307872A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411415015.4
申请日：2024-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于硬质合金涂层领域，尤其涉及一种制备具有超高硬度的难熔高熵合金涂层的方法。本发明采用直流磁控溅射的方法，选用MoNbTaVW难熔高熵合金靶材，在衬底上沉积MoNbTaVW难熔高熵合金涂层，通过调整直流磁控溅射的工艺参数，对所得涂层的结构与性能进行优化。本申请能够获得具有超高硬度的难熔高熵合金涂层，且各元素分布均匀。
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