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公开(公告)号：CN114927147A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN100409319C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200480028831.4
申请日：2004-10-05
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol%，且不大于20mol%。
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公开(公告)号：CN101192419A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196337.4
申请日：2007-11-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 前田知幸
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)和磁记录/再现设备，其中磁记录层(4)具有层叠结构，包括硬磁性记录层(4－1)和软磁性记录层(4－2)，其中每一层都具有磁性晶粒和晶界区域；在所述硬磁性记录层(4－1)中的磁性晶粒包含钴和铂，具有hcp结构，且取向于(001)平面中；当施加垂直于所述基底表面的磁场时，在磁化曲线上，所述磁记录层具有不超过0.95的剩余矩形比和不超过0 Oe的不可逆反转磁场。
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公开(公告)号：CN1988004A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610168781.0
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/1278 , G11B5/82
Abstract: 一种磁记录介质(10)，其中形成多层底层(7)，多层底层(7)包括包含对齐在(111)平面的Cu的第一底层(3)，以及形成在第一底层上的并且包含Cu和氮作为主要成分的第二底层(4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1864205A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028831.4
申请日：2004-10-05
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol％，且不大于20mol％。
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公开(公告)号：CN1674105A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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公开(公告)号：CN1551122A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN114974318B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202110857056.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
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公开(公告)号：CN118782105A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410182976.9
申请日：2024-02-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。根据实施方式，磁记录介质包括第1～第5磁性区域。所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比。所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，且高于所述第4磁性区域中的第4Pt原子浓度相对于所述第4磁性区域中的第4Co原子浓度的第4组成比。所述第5磁性区域中的第5Pt原子浓度相对于所述第5磁性区域中的第5Co原子浓度的第5组成比高于所述第4组成比。
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