公开(公告)号：CN109791892A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059470.7

申请日：2017-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  伊藤俊克 ,  上田辉幸 ,  西宫节治 ,  原健吾

IPC: H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06

Abstract: 有源矩阵基板(100)的像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(7)；无机绝缘层(11)及有机绝缘层(12)，其覆盖薄膜晶体管；共用电极(15)；电介质层(17)，其主要包含氮化硅；以及像素电极(19)，无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构，像素电极(10)在像素接触孔内与漏极电极(9)接触，像素接触孔包括分别形成于无机绝缘层(11)、有机绝缘层(12)以及电介质层(17)的第1开口部、第2开口部以及第3开口部，第1开口部的侧面与第2开口部的侧面对齐，第2开口部的侧面包含：第1部分(121)，其相对于基板按第1角度(θ1)倾斜；第2部分(122)，其位于第1部分的上方，按比第1角度大的第2角度(θ2)倾斜；以及交界(120)，其位于第1部分与第2部分之间，相对于基板的倾斜角度不连续地变化。

公开(公告)号：CN109698205A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811238583.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

公开(公告)号：CN109597234A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811139272.4

申请日：2018-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  原义仁 ,  前田昌纪 ,  伊藤俊克 ,  川崎达也

IPC: G02F1/1333

Abstract: 一种显示面板，抑制位置检测配线与其它配线发生干扰的事态。其特征在于，具备：玻璃基板(31)；多个像素电极(33)，其设置于玻璃基板(31)；多个位置检测电极(48)，其设置于玻璃基板(31)，检测位置输入体的输入位置；多个TFT(32)，其在玻璃基板(31)中相比于像素电极(33)和位置检测电极(48)设置在下层，连接到多个像素电极(33)中的每一个像素电极(33)；位置检测配线(50)，其在玻璃基板(31)中相比于TFT(32)设置在下层，电连接到位置检测电极(48)；以及SOG膜(52)，其配置在位置检测配线(50)与TFT(32)之间。

公开(公告)号：CN107004720A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064371.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置(200A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(201)；以覆盖薄膜晶体管(201)且与薄膜晶体管(201)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极及漏极电极(7)各自含有铜，所述源极及漏极电极(7)与层间绝缘层(11)之间配置有含有铜与铜以外的至少一种金属元素的铜合金氧化膜(10)，层间绝缘层(11)隔着铜合金氧化膜(10)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜合金氧化膜(10)而与漏极电极(7D)直接相接。

公开(公告)号：CN107004718A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN102460734B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201080026859.X

申请日：2010-02-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  村井淳人

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/135 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14681 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/1136

Abstract: 一种光电晶体管，其源极电极和栅极电极设为彼此相同的电位，具备：透明电极，其以与沟道区域重叠的方式形成于层间绝缘膜的表面；以及刷新控制部，其在透明电极与栅极电极以及源极电极之间施加电压，由此使蓄积于沟道区域的透明电极侧部分的电荷减少。

公开(公告)号：CN102870220B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201180021486.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  北川英树 ,  村井淳人 ,  今井元 ,  田中信也 ,  今出光则 ,  菊池哲郎 ,  嶋田纯也 ,  森本一典

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/78663 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/13624 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。

公开(公告)号：CN102652302A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080055882.1

申请日：2010-11-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  渡部卓哉 ,  今井元 ,  西山幸彦 ,  村井淳人 ,  森本一典

IPC: G06F3/041 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/135 ,  G06F3/042

CPC classification number: G06F3/0428

Abstract: 本发明提供一种光传感器电路，其根据将指示物（P）放置在来自光源（3）的光通过的坐标检测区域（2）时的光接受量的变化，检测坐标检测区域（2）中的指示物（P）的位置坐标。具备因与光源（3）的位置关系而光接受量多的光传感器元件（41）的第一光传感器电路，具备供给将决定光传感器元件（41）的受光灵敏度的阈值特性初始化的刷新信号（shield_A）的第一配线，另一方面，具备光接受量少的光传感器元件（42）的第二光传感器电路，具备与刷新信号（shield_A）独立地供给将光传感器元件（42）的阈值特性初始化的刷新信号（shield_B）的第二配线。

公开(公告)号：CN101484839B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780024821.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  今井元

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供一种高画质的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备使入射光向显示面反射的反射部的液晶显示装置，反射部包括绝缘层、在绝缘层上形成的半导体层和在半导体层上形成的反射层，在反射层的表面形成有第一凹部和位于第一凹部内侧的第二凹部，反射部包括绝缘层的厚度与半导体层的厚度的合计厚度互不相同的第一区域和第二区域，所述第一凹部和所述第二凹部根据所述绝缘层和所述半导体层中至少一方的截面形状而形成。

公开(公告)号：CN102460734A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026859.X

申请日：2010-02-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  村井淳人

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/135 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14681 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/1136

Abstract: 一种光电晶体管，其源极电极和栅极电极设为彼此相同的电位，具备：透明电极，其以与沟道区域重叠的方式形成于层间绝缘膜的表面；以及刷新控制部，其在透明电极与栅极电极以及源极电极之间施加电压，由此使蓄积于沟道区域的透明电极侧部分的电荷减少。