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公开(公告)号：CN102654241B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210054278.8
申请日：2012-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部庸之
IPC: F17D1/02 , F17D3/01 , F17C5/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45557 , C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y02E60/321 , Y02E60/34 , Y10T137/0396 , Y10T137/2599 , Y10T137/7039 , Y10T137/7043 , Y10T137/776 , Y10T137/7761 , Y10T137/7762
Abstract: 本发明提供气体减压供给装置、具有该气体减压供给装置的气瓶柜、阀箱以及基板处理装置。该气体减压供给装置能够向以低于大气压的处理压力进行处理的腔室供给气体，其包括：压力调整器，其用于对一次压力进行减压并将二次压力调整成比大气压低且比处理压力高的压力；压力测量器，其用于对压力调整器的二次侧配管内的压力进行测量；第1开闭阀，其设于二次侧配管；开闭阀控制器，其用于使第1开闭阀进行开闭；压力比较器，其用于对由压力测量器测量的二次侧配管内的压力与第1设定压力进行比较；以及控制部，在由压力比较器判定为二次侧配管内的压力为第1设定压力以下的情况下，该控制部将用于使第1开闭阀关闭的关闭信号向开闭阀控制器输出。
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公开(公告)号：CN102235573B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110109144.7
申请日：2011-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部庸之
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/00 , C23C16/45561 , G05D7/0617 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/85938 , Y10T137/87249
Abstract: 本发明提供不必在各个处理反应炉的每一个中设置压力式流量控制器而且能用紧凑的构造形成压力式流量控制器的半导体制造装置用的气体供给装置。气体供给装置具有气体供给源(11a、11b)、气体导入管(13a、13b)、气体集合管(15)、多个分支管(21a、21b)。在气体集合管与分支管设有压力式流量控制器(30)。压力式流量控制器具有设在气体集合管的压力检测器(17)、设在分支管的控制阀(23a、23b)及节流孔板(22a、22b)。根据来自压力检测器的检测压力(P1)，在流量运算电路中求出流量(Qc)，根据来自流量设定电路的流量设定信号(Qs)和来自流量运算电路的流量，利用运算控制电路来控制控制阀。
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公开(公告)号：CN103049008A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210384397.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F5/00 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8158
Abstract: 本发明提供一种流量控制装置以及处理装置。在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：主气体管；检测流向该主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据的换算数据存储部；基于从外部输入的气体种类选择信号，从多个换算数据中选择对应的换算数据，并且基于流量指示信号求出上述目标流量，并基于目标流量与流量信号控制流量控制阀机构的流量控制主体。
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公开(公告)号：CN102453888A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110312237.X
申请日：2011-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45548
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。该成膜装置在容器内设有用于划分出成膜空间的、由耐腐蚀性比构成容器的材料的耐腐蚀性优良的材料制作而成的分区构件，该成膜空间包含：配置在容器内、用于载置基板的旋转台；用于向旋转台供给第1反应气体的第1反应气体供给部；用于向旋转台供给第2反应气体的第2反应气体供给部。该成膜装置包括用于测量成膜空间压力的压力测量部、及用于测量成膜空间的外侧空间的压力的压力测量部，通过这些测量，成膜空间的外侧空间的压力被维持为稍高于成膜空间压力的压力。
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公开(公告)号：CN101591146A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910145230.6
申请日：2009-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C03C23/0075
Abstract: 本发明提供一种除去附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法。该方法包括：得到未安装于上述立式热处理装置的状态的上述石英部件的工序；接着利用稀氢氟酸对上述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着利用盐酸对上述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101379592A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
Abstract: 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
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公开(公告)号：CN101032008A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200680000931.5
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , G01F1/00 , G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。
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公开(公告)号：CN1967776A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610146543.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C30B33/02 , F22B3/02 , F22D1/38
CPC classification number: F22B1/287 , F22B1/30 , H01L21/67109 , Y10S261/65
Abstract: 半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一气化部通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸气。第二气化部通过气化一次水蒸气中的雾，从第一次水蒸气生成处理用水蒸气。第二气化部包含由配置为在第一气化部和处理室之间横穿所述一次水蒸气的通路的、捕捉雾的网状结构体构成的薄膜。
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公开(公告)号：CN2674647Y
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03203318.4
申请日：2003-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型涉及流体控制装置和热处理装置。在现有的气体供应系统中，由于气体管路有转换阀、过滤器、压力调节器及压力传感器而不能充分实现系统小型化。为此提出一种流体控制装置，它有包括设有流量控制器的第一区域、在第一区域上游的且有压力调节机构和/或压力监视机构的第二区域的气体管路、设在气体管路第二区域的上游的且连接流体供应源的多个连接机构。还提出一种流体控制装置，它有多个气体管路和连接机构，气体管路分别有第一区域和第二区域，至少一条气体管路有第一部分和连接机构设置于其上的第二部分。还提出一种热处理装置，它有流体控制装置和通过流体控制装置接受流体的反应处理炉。流体控制装置和热处理装置主要用于半导体制造。
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公开(公告)号：CN304835491S
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201830160024.2
申请日：2018-04-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：气体注入用垫子。
2．本外观设计产品的用途：本产品是一种垫子，在半导体制造过程中，向在工厂内搬运晶片的盒状搬运单元内填充例如氮气时，其用于防止该气体泄漏。
3．本外观设计产品的设计要点：在于形状的设计。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
5．省略视图：后视图、左视图和右视图与主视图相同，因此省略后视图、左视图和右视图。
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