公开(公告)号：CN109326502A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810072812.5

申请日：2018-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许耀文 ,  连建洲 ,  杨能杰 ,  吴嘉伟 ,  陈冠霖 ,  黄国彬 ,  陈立民

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及半导体器件和方法。一种制造半导体器件的方法包括把材料暴露于半水刻蚀溶液。该半水刻蚀溶液包括溶剂，该溶剂与该材料螯合并在促刻蚀剂与该材料之间用作催化剂。这样，可以用促刻蚀剂来移除该材料。

公开(公告)号：CN104183497B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201310373818.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  林志昌 ,  陈冠霖 ,  徐廷鋐 ,  黄俊嘉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了具有可调节拉伸应变的鳍式场效应晶体管（FinFET）及在集成电路中调整拉伸应变的实施例方法。方法包括在鳍中的栅极区的对侧上形成源极/漏极区，在鳍上方形成间隔件，间隔件邻近源极/漏极区，在间隔件之间沉积电介质；以及实施退火工艺以使电介质收缩，电解质的收缩使间隔件变形，间隔件的变形扩大了鳍中的栅极区。

公开(公告)号：CN104934472A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410222725.5

申请日：2014-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  陈冠霖 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种器件，该器件包括：衬底、鳍结构、第一源极/漏极区、以及第二源极/漏极区；其中，衬底包括硅；鳍结构包括由硅形成且由隔离区环绕的下部、由碳化硅锗形成的中部、由硅形成的上部和在中部与上部之间形成的碳化硅层，其中，中部由氧化物层环绕，上部包括沟道；第一源极/漏极区包括第一磷化硅区和在第一磷化硅区下面形成的第一碳化硅层；并且第二源极/漏极区包括第二磷化硅区和在第二磷化硅区下面形成的第二碳化硅层。本发明还提供了FINFET结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN104183497A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310373818.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  林志昌 ,  陈冠霖 ,  徐廷鋐 ,  黄俊嘉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了具有可调节拉伸应变的鳍式场效应晶体管（FinFET）及在集成电路中调整拉伸应变的实施例方法。方法包括在鳍中的栅极区的对侧上形成源极/漏极区，在鳍上方形成间隔件，间隔件邻近源极/漏极区，在间隔件之间沉积电介质；以及实施退火工艺以使电介质收缩，电解质的收缩使间隔件变形，间隔件的变形扩大了鳍中的栅极区。

公开(公告)号：CN222916504U

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202421187148.6

申请日：2024-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  王志豪 ,  陈冠霖 ,  朱熙甯 ,  郑嵘健

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体装置。此半导体装置包括一通道部件。此半导体装置包括在一第一剖面侧视图中位于前述通道部件旁边的一栅极介电部件。前述第一剖面侧视图由一垂直方向和一第一水平方向定义。此半导体装置包括一栅极电极部件。在前述第一剖面侧视图中，前述栅极介电部件围绕前述栅极电极部件的一顶表面、前述栅极电极部件的一底表面、前述栅极电极部件的一第一侧表面以及前述栅极电极部件的与前述第一侧表面相对的一第二侧表面。