公开(公告)号：CN111333103B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202010261612.1

申请日：2020-04-04

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  刘璐

IPC: B29C64/106

Abstract: 本发明一种数码可控打印IZO半导体纳米线的方法。该方法以N,N‑二甲基甲酰胺及三氯乙烯为混合溶剂，溶解聚乙烯吡咯烷酮、醋酸锌及硝酸铟水合物制得前驱体溶液，然后利用电流体喷印设备打印出纳米线阵列，最后高温退火后制备出透光率高、长而连续、尺寸均匀、数码可控的IZO半导体纳米线。本发明解决了传统无机纳米线合成方法中短小、杂乱的问题，可以规则排列，适用于更多器件类型：如晶体管、传感器等，为无机半导体纳米线的制备开辟新径。

公开(公告)号：CN112103388A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011019085.X

申请日：2020-09-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  卫欢欢 ,  于海洋 ,  龚江东 ,  倪尧

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明为一种基于Ti3C2‑MXene/电解质结构的人工突触器件的制备方法。该方法包括如下步骤：1)用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面；2)将Ti3C2‑MXene分散液于所得的硅衬底上，旋涂，退火后获得Ti3C2‑MXene薄膜；3)在Ti3C2‑MXene薄膜构筑聚合物电解质薄膜：4)在聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于Ti3C2‑MXene的两端人工突触电子器件；本发明得到的Ti3C2‑MXene薄膜本身能够收纳多种类的碱金属离子，可以调节器件在脉冲作用后的突触后电流，特别是可以通过Ti3C2‑MXene/电解质结构的突触器件实现更为灵敏的脉冲响应。

公开(公告)号：CN111424370A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010262017.X

申请日：2020-04-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  徐雯龙

IPC: D04H1/4282 ,  D04H1/4291 ,  D04H1/4326 ,  D04H1/4334 ,  D04H1/74 ,  D04H1/76 ,  D04H3/005 ,  D04H3/007 ,  D04H3/009 ,  D04H3/045 ,  D04H3/07 ,  D01D5/00 ,  A41D13/11

Abstract: 本发明为一种超疏水熔体电纺布的制备方法。该方法包括以下步骤：将热塑性材料加热到熔体状态，然后用静电纺丝设备，将得到的熔体状态的热塑性材料通过针头注射在同时进行转动和横向移动的滚筒上，形成成网状纳米纤维网络，即超疏水熔体电纺布。本发明以熔喷技术、静电纺丝和滚筒技术相结合往返移动滚筒实现纺布，即可实现布料的超疏水，自清洁，提高耐揉搓、透湿性能，在包括口罩、防护服材料等防疫装备材料在内的多个行业具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111300812A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010261605.1

申请日：2020-04-04

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  刘璐 ,  徐雯龙

IPC: B29C64/106 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B82Y40/00 ,  B29K27/12

Abstract: 本发明为一种数码可控打印P（VDF-TrFE）纳米线阵列的方法。该方法以N,N-二甲基甲酰胺和四氢呋喃为混合溶剂，溶解P(VDF-TrFE)制得前驱体溶液，然后利用电流体喷印设备打印出纳米线阵列，最后高温退火后制备出P(VDF-TrFE)纳米线阵列。本发明制备出长而连续、尺寸均匀、数码可控的P(VDF-TrFE)纳米线阵列，为高分子纳米线阵列的制备开辟新径。

公开(公告)号：CN108198904B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201711453544.3

申请日：2017-12-28

Applicant: 南开大学 ,  天合光能股份有限公司

Inventor： 张晓丹 ,  朱世杰 ,  黄伟 ,  侯福华 ,  石标 ,  李跃龙 ,  魏长春 ,  丁毅 ,  任慧志 ,  黄茜 ,  侯国付 ,  陈新亮 ,  王广才 ,  许盛之 ,  徐文涛 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/048

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域。该方法是在钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池正表面，利用特殊设计的掩膜板来制备便于封装的透明电极与金电极，再使用平均透过率在89％以上的超薄玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜以及透明AB胶来对钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池进行封装，最大程度地保证了密封性，使得钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN110277496A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910559549.7

申请日：2019-06-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  韩弘

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于P3HT超薄膜的三端人造突触器件。通过设计类场效应管结构的P3HT超薄膜人造突触电子器件来实现神经信号在突触间传递的模拟。通过对所述P3HT超薄膜突触电子器件进行电学表征，证明所述的突触器件可以实现对于生物突触功能的基本模拟，包括兴奋性突触后电流(EPSC),双脉冲易化(PPF),短程可塑性向长程转变(STP to LTP)，突触增强与抑制(Potentiation and Depression),自稳可塑性(Homeostatic Plasticity)等。得出半导体超薄膜微结构与神经仿生电子器件性能关系的规律性结论，为突触器件长短程可塑性的调节提供理论指导。