抗水解AlN粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN101508573B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200910029932.8

    申请日:2009-03-27

    Abstract: 本发明涉及一种抗水解AlN粉末的制备方法,利用酸与羟基类酯化反应对AlN粉末进行改性,抑制AlN粉末在潮湿的环境中水解,改善其抗水解性能。首先将AlN、Al(H2PO4)3和含氧酸在有机溶液中进行球磨几小时,使AlN颗粒表面的羟基与酸反应,在AlN颗粒表面形成致密保护层,然后用无水乙醇多次清洗,再将清洗后的AlN粉末50~70℃烘干即可。经改性后的AlN粉末在80℃以下潮湿环境中保持稳定,不发生水解反应。本发明方法操作简单,重复性好,抗水化性能突出,有效地解决了AlN在潮湿环境中极易水解的问题。

    一种钛硅化碳/二硼化钛-碳化钛复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101555136A

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200910027762.X

    申请日:2009-05-20

    Inventor: 杨建 顾巍 丘泰

    Abstract: 本发明涉及一种钛硅化碳/二硼化钛-碳化钛复合块体材料及其制备方法。复合材料由板/柱状二硼化钛、等轴状碳化钛颗粒增强相与层状钛硅化碳基体组成,其中二硼化钛与碳化钛各占材料总体积的10~15%。将原料钛粉、硅粉、石墨粉和碳化硼粉按摩尔配比为(3.60~3.98)∶(1.85~1.14)∶2∶(0.17~0.28)经物理机械方法混匀后装入表面涂有保护涂层的石墨磨具中冷压成型于通有保护气氛的热压炉中烧结,升温速率为10~50℃/分钟,烧结温度为1480~ 1520℃、烧结时间为1.5~2小时、烧结压强为22~25MPa。本发明工艺简单,材料性能优异。

    一种SiC/AlN复相微波衰减陶瓷、制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117682867A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311718572.9

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明涉及微波衰减材料技术领域,具体涉及一种SiC/AlN复相微波衰减陶瓷、制备方法与应用,具体是以高导热、高绝缘AlN为基体,以电导率为10–5–101 S·cm−1的β‑SiC和电导率为10–10–10–9 S·cm−1的α‑SiC共同作为衰减剂,将三者混料后采用热压烧结制备的SiC/AlN复相微波衰减陶瓷。本发明通过合理调节混合粉料中β‑SiC和α‑SiC的添加比例,实现了复相陶瓷电磁参数的调控与优化,同时对材料厚度进行控制,使其在不同的频率下获得较强的微波吸收能力,表现出了强吸波且吸波频率可调特性,满足AlN基微波衰减陶瓷对不同频段电磁波的有效吸收需求。

    一种电磁屏蔽材料用镀镍碳纤维纸及制备方法

    公开(公告)号:CN116676810A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310360302.9

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 本发明公开了一种电磁屏蔽材料用镀镍碳纤维纸及制备方法,采用聚丙烯腈碳纤维,经过气相氧化表面处理后加入去离子水中,并且添加表面活性剂和分散剂搅拌成均匀分散悬浊液,采用湿法造纸技术真空抽滤成膜;然后运用热固型酚醛树脂溶液进行浸渍,再经过热压固化,碳化,再进行CVD二次处理沉积热解碳,最终形成基底纯黑色碳纤维纸;之后运用化学镀镍的方式在碳纤维纸表面沉积镍磷合金使得碳纤维纸呈现银色,在不改变厚度的情况下,有效的提高材料的导电性、电磁屏蔽效能以及力学性能;最后将镀镍碳纤维纸进行PTFE处理,制成一种轻质、多孔、高导电、高强度的电磁屏蔽用镀镍疏水碳纤维纸。

    一种超长SiC纳米线的连续生产设备及制备方法

    公开(公告)号:CN116536757A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310516288.7

    申请日:2023-05-09

    Abstract: 本发明公开了一种超长SiC纳米线的连续生产设备及制备方法,包括自动下料装置、反应管、加热装置以及SiC纳米线收集器;其中,自动下料装置用于负载并控制混合粉料按预设速率下落,以控制混合粉料的挥发速度;反应管的两端分别设有进气管以及出气管;加热装置包括低温加热管以及高温加热管,以在反应管内形成500‑800℃的低温区以及1200‑1500℃的高温区;SiC纳米线收集器用于收集挥发粉料气相沉积生长的SiC纳米线材料。本发明通过自动下料装置控制混合粉料的下落速率,在低温区反应生成SiO和CO气相,再通过控制反应管内Ar气的通入量,气相SiO和CO可在高温区连续沉积生长SiC纳米线,不断地在SiC纳米线收集器上生长超长SiC纳米线,从而实现SiC纳米线材料的连续生产。

    用于氮化硅牙科陶瓷饰面瓷的堇青石微晶玻璃及制备方法

    公开(公告)号:CN113880437B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202111250298.8

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 本发明属于生物材料及其制备技术领域,提供了用于氮化硅牙科陶瓷饰面瓷的堇青石微晶玻璃及制备方法,由以下质量百分比的组分制成:高岭土75~76%、SiO21~2%、MgO9~10%、添加剂10~13%;添加剂包括烧结助剂和晶核剂,烧结助剂为CaCO3,晶核剂为ZrO2和TiO2,CaCO3、ZrO2和TiO2质量比为4~5:3~4:3~4;其制备方法包括如下步骤:S1、制备堇青石玻璃坯体;S2、析晶处理,进行冷却至室温得到堇青石微晶玻璃。本发明制备的堇青石微晶玻璃的热膨胀系数与氮化硅陶瓷匹配,抗弯强度、断裂韧性、维氏硬度、化学溶解度均能满足饰面瓷性能要求。

    一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN115716759A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211316573.6

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜及其制备方法,SiC纳米线呈核壳结构,其包括内层的SiC芯层以及包覆在SiC芯层外的SiO2层;其多孔SiC纳米线薄膜由若干SiC纳米线在同一平面内上下交错缠绕并相互无序搭接,且在相互搭接处由SiO2层相互熔合而成。本发明中的多孔SiC纳米线薄膜由SiC纳米线相互无序搭接而成,具有非常高的强度和柔韧性;该SiC纳米线薄膜无分层,SiC纳米线在同一平面内上下交错缠绕,在相互搭接处由SiO2层相互熔合而成,无明显界面。本发明中的超声分散和真空抽滤成膜技术能有效保障SiC纳米线均匀分布,解决连接层纳米线分布不均匀的问题。

Patent Agency Ranking