一种石墨基座盘表面梯度TaC涂层

    公开(公告)号:CN112374891B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202011278669.9

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种石墨基座盘表面梯度TaC涂层,包括石墨基座盘基体,石墨基座盘基体的表面设有梯度TaC涂层;梯度TaC涂层包括TaC组份和C组份,TaC组份含量从内至外从0%逐渐增加到100%,且梯度分布符合y=ax线性方程规律或者符合y=ax2抛物线性规律分布。本发明利用CVD动态共沉积技术,实现涂层中TaC组分含量从0‑100%的梯度跨越,由于涂层内层为热解炭层,其与石墨基体热膨胀系数相近,随后逐渐过渡,可有效改善涂层与基体之间的热匹配差异;同时涂层中软质C组份结构和纳米孔隙可有效缓解TaC晶体的热膨胀,以降低涂层内的应力峰值。

    二维过渡族金属碳/氮化物与纳米硫颗粒复合材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN106450205B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201610951729.6

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明涉及一种二维过渡族金属碳/氮化物与纳米硫颗粒复合材料及其制备和应用。该复合材料由二维过渡族金属碳/氮化物MXene纳米片与纳米硫颗粒构成,为纳米硫颗粒原位生长在二维过渡族金属碳/氮化物MXene纳米片表面,表示为S@MXene。将单层或少层的二维过渡族金属碳/氮化物MXene纳米片的稳定悬浮液其与硫代硫酸钠或多硫化钠溶液混合,采用甲酸作为还原剂使反应生成的纳米硫均匀生长在二维MXene纳米片表面,经中和、洗涤、离心得到二维过渡族金属碳/氮化物与纳米硫颗粒复合材料,用作锂硫电池正极。本发明高导电二维过渡族金属碳/氮化物MXene纳米片载体与纳米硫颗粒复合均匀,无需引入粘结剂和导电剂,作为锂硫电池正极的电化学性能优异,且工艺简单,能满足规模生产的要求。

    一种抗水化氮化铝粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN107298433B

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201710373024.5

    申请日:2017-05-24

    Abstract: 本发明涉及一种抗水化氮化铝粉体及其制备方法,所述方法包括:将氮化铝粉体、磷酸、蓖麻油磷酸酯、分散剂和无水乙醇球磨混合,再经清洗、干燥,得到所述抗水化氮化铝粉体;所述磷酸的质量为氮化铝粉体的0.1~10 wt.%,所述蓖麻油磷酸酯的质量为氮化铝粉体的0.1~5 wt.%。本发明选用的麻油磷酸酯除了拥有亲水基团酯基和羧基外,还具有长的碳链,属于疏水基团,因而其拥有表面活性剂所应有的结构,从而形成更加有效的抗水化保护层。

    一种易分散六角片状W型铁氧体BaZn2Fe16O27的制备方法

    公开(公告)号:CN105253918A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510618597.0

    申请日:2015-09-24

    Abstract: 本发明涉及一种易分散六角片状W型铁氧体BaZn2Fe16O27的制备方法,首先按BaZn2Fe16O27的化学计量比称取BaCl2·2H2O、ZnCl2、FeCl3·6H2O和尿素的原始混合溶液进行水热协助均匀共沉淀,然后滴加碱溶液调节pH值至9~11,陈化6~12h,反复过滤清洗至上层清液呈中性,沉淀物烘干,并在沉淀物中加入盐,研磨成粉末,在热处理炉中进行煅烧合成,所得产物用去离子清洗,烘干即得易分散六角片状W型铁氧体BaZn2Fe16O27。本方法制备的易分散六角片状W型铁氧体,在吸波材料领域有着广泛的潜在用途。本发明线路简单、可操作性强、耗能低,具有较大的社会效益和经济效益。

    一种无压烧结制备高纯六方氮化硼陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN104193341A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410422994.6

    申请日:2014-08-25

    Abstract: 本发明涉及一种无压烧结制备高纯六方氮化硼陶瓷的方法,其具体步骤为:以商业六方氮化硼粉为原料,将其装入不锈钢模具内,采用双向加压的方式冷压成型,再放入冷等静压机中成型;烧结过程分为两段,先在马弗炉中空气气氛下预烧,再在通有氮气的热压炉内进行无压烧结,制备得到高纯六方氮化硼陶瓷。本发明可在无压烧结工艺条件下制备出高纯六方氮化硼陶瓷,其具有耐高温性好、导热性好、抗热震性好、易加工成复杂形状部件等特点,并且制备工艺简单,生产成本低,适合工业化生产。

    (TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101555137A

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200910027763.4

    申请日:2009-05-20

    Inventor: 杨建 顾巍 丘泰

    Abstract: 本发明涉及一种(TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法。复相陶瓷材料由板/柱状TiB2、等轴状TiC增强相与层状Ti3SiC2基体组成,其中TiB2占材料总体积的5~20%,TiC占材料总体积的10~15%。将原料TiH2粉、Si粉、石墨粉和B4C粉按摩尔配比为(3.27~4.49)∶(1.04~1.21)∶2∶(0.07~0.43)称量,原料经物理机械方法混匀后装入石墨磨具中冷压成型,在通有保护气氛的热压炉中烧结。本发明工艺简单,烧结温度低,材料中两种不同强韧相与补强增韧机制协同作用,材料性能优异。

    一种采用物理气相沉积工艺制备氧化铬固溶体涂层的方法

    公开(公告)号:CN120040208A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510218407.X

    申请日:2025-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种采用物理气相沉积工艺制备氧化铬固溶体涂层的方法,包括以下步骤:首先利用共沉淀法,以九水硝酸铬为铬源,聚醚类化合物为分散溶剂,混合后添加稳定剂配置预设浓度的铬离子溶液,之后将沉淀剂滴加至预设浓度的铬离子溶液中搅拌均匀得到Cr(OH)3悬浮液,在室温下自然沉淀,之后通过离心、洗涤、干燥、过筛及热处理获得纳米氧化铬粉体,最后搭建物理气相沉积的装置,在高温无压烧结条件下于氧化铝陶瓷表面沉积得到氧化铬固溶体涂层。本发明制备工艺简单易操作、重复性高、氧化铬固溶体涂层均匀且固溶程度可控,所制备的涂层形貌均匀,二次电子发射系数低可用于电真空器件、高耐压绝缘材料等领域中。

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