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公开(公告)号:CN116854144B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202310814910.2
申请日:2023-07-03
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01G49/00 , H01M4/62 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G33/00 , C01B32/15 , B01J23/34 , B01J23/847 , B01J37/08 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/86 , H01G11/24
Abstract: 本发明提供了一种Nb2CTx MXene衍生MxNb2O6/C纳米片的制备方法,包括以下步骤:首先,配制预设浓度的氧化性可溶金属盐溶液作为氧化剂溶液,之后将氧化剂溶液添加至预设浓度的单/少层Nb2CTx MXene悬浮液中,在室温下使氧化性金属离子/基团对单/少层Nb2CTx MXene进行氧化,之后通过离心、冷冻干燥及热处理获得MxNb2O6/C纳米片。本发明制备工艺简单易操作、反应条件温和、微观形貌均匀且可控,所制备的MxNb2O6/C纳米片比表面积较大、具有丰富的活性位点、导电性较好、形貌均匀,可用于电池隔膜表面改性材料、碱金属电池材料、超级电容器材料以及纳米催化材料等领域中。
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公开(公告)号:CN116854144A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310814910.2
申请日:2023-07-03
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01G49/00 , H01M4/62 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G33/00 , C01B32/15 , B01J23/34 , B01J23/847 , B01J37/08 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/86 , H01G11/24
Abstract: 本发明提供了一种Nb2CTx MXene衍生MxNb2O6/C纳米片的制备方法,包括以下步骤:首先,配制预设浓度的氧化性可溶金属盐溶液作为氧化剂溶液,之后将氧化剂溶液添加至预设浓度的单/少层Nb2CTx MXene悬浮液中,在室温下使氧化性金属离子/基团对单/少层Nb2CTx MXene进行氧化,之后通过离心、冷冻干燥及热处理获得MxNb2O6/C纳米片。本发明制备工艺简单易操作、反应条件温和、微观形貌均匀且可控,所制备的MxNb2O6/C纳米片比表面积较大、具有丰富的活性位点、导电性较好、形貌均匀,可用于电池隔膜表面改性材料、碱金属电池材料、超级电容器材料以及纳米催化材料等领域中。
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