公开(公告)号：CN110534418A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910623038.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  李晓庆 ,  宁洪龙 ,  史沐杨 ,  梁宏富 ,  李志航 ,  袁炜健 ,  张观广 ,  张旭 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法，包括步骤：(1)将玻璃基板清洗、烘干；(2)在玻璃基板上采用直流磁控溅射沉积Al:Nd合金薄膜，通过湿法刻蚀图形化，形成栅极；(3)在Al:Nd栅极上通过阳极氧化法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层；(4)采用脉冲激光沉积系统，通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层；(5)采用真空蒸镀设备，通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏电极。本发明采用了GZO半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，不含In元素且Ga、Zn、O三种元素均无毒，符合绿色环保的发展趋势。有源层采用了脉冲激光沉积法制备，操作简单，可重复性高，整个器件制备均在室温下完成，无需退火，有效降低器件成本。

公开(公告)号：CN109767973A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811532972.X

申请日：2018-12-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  邓宇熹 ,  姚日晖 ,  刘贤哲 ,  袁炜健 ,  张啸尘 ,  张观广 ,  张旭 ,  梁志豪 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明属于深紫外激光退火领域，公开了一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法。该方法包括以下步骤：在玻璃基板上制备非晶氧化物半导体薄膜，然后将薄膜平放在样品台上，设定激光器透镜与薄膜样品间的最小距离、设定激光光速的移动速度、光束移动的横向重叠率纵向间距，然后用激光光束进行横向连续扫描，直至作用完所有区域。本发明通过深紫外激光在薄膜上连续扫描，使薄膜的表面形貌，物理性质和光学特性得到改善，且提高了光透射率，同时激光处理使STO的光学带隙增大。与传统的高温热处理相比有高能量，处理范围可选择，时间短，能耗低等优点，作用完整片10×10mm的样品只需要1.98s。