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公开(公告)号：CN104555899B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410795565.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提出一种借助金属纳米颗粒缩小自卷曲微米管直径的方法，包括步骤：在衬底上，或在虚拟衬底上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积牺牲层；在牺牲层上沉积应变薄膜；进行第一次光刻和腐蚀，使应变薄膜形成台面，使牺牲层暴露出来；进行第二次光刻，利用光刻胶形成图形窗口；沉积金属薄膜，高温退火使得金属薄膜形成金属纳米颗粒；对牺牲层进行侧向腐蚀，使得表面覆盖有金属纳米颗粒的应变薄膜自卷曲成管。本发明可在不改变薄膜厚度和应变下，仅借助金属纳米颗粒就能显著缩小自卷曲微米管的直径，可以容易地制备出直径在1微米附近的自卷曲微米管，甚至直径低至几百纳米的纳米管及其规则阵列，同时可保证微米管或纳米管具有优良的机械特性和结构特性。
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公开(公告)号：CN103378209B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210147762.5
申请日：2012-05-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法，采用Si、InP或者GaAs作为衬底，有利于与其他有源或无源光器件进行集成；采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起，使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用，降低了通信成本。
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公开(公告)号：CN104008960A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310057279.2
申请日：2013-02-22
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0062 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题。
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公开(公告)号：CN102054772A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910207134.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及一种具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列的制备方法，特别涉及此器件中阶梯型谐振腔结构，以及基于该结构的单片集成光探测器阵列的制备方法，和基于该阵列器件的多波长处理功能的实现方法。本发明用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法，包括如下工艺步骤：经多次刻蚀工艺和二次外延生长工艺制备多台阶F-P谐振腔；通过GaAs/InP大失配异质外延生长工艺实现InP系有源器件与GaAs系无源滤波器件的单片集成。本发明解决了可重构光分插复用器件对具有多波长处理功能的单片集成光探测器件的需求问题，并广泛用于光通信及光信号处理等领域，对今后光电子器件的集成化产生重要的影响。
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公开(公告)号：CN101615564B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810132429.0
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101685774A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810161833.0
申请日：2008-09-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。
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公开(公告)号：CN101615564A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810132429.0
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。
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公开(公告)号：CN114566423B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202011359732.1
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN114825041B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210376977.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限制层；电流限制层的绝缘材料部分将电流限制层的半导体材料部分包围；芯片底镜结构设有第一反射镜层，芯片顶镜结构设有第四反射镜层；单模垂直腔面发射激光器芯片至少满足以下条件之一：在第一反射镜层与第一包层之间依次设有第一腔层以及第二反射镜层；以及在电流限制层与第四反射镜层之间依次设有第三反射镜层以及第二腔层。本申请提供的方案能够实现垂直腔面发射激光器稳定维持单模工作状态。
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公开(公告)号：CN111669787B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202010507193.5
申请日：2020-06-05
Applicant: 国网上海市电力公司 , 北京中电飞华通信有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京邮电大学 , 国网陕西省电力公司 , 中国信息通信研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H04W28/16 , H04L41/0893 , H04L41/0896
Abstract: 本说明书一个或多个实施例提供一种基于时延敏感网络切片的资源分配方法及装置，在网络切片的资源利用率较低或者较高时，对网络切片的资源进行调整，同时考虑传输时延的约束，得到最佳的物理节点和物理链路。本公开同时考虑传输时延和资源利用率对网络切片的资源的影响，保证在网络切片传输时延较低的情况下，提高网络切片的资源利用率。
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