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公开(公告)号：CN110158040A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910549130.3
申请日：2019-06-24
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明涉及一种聚合物表面沉积镁的方法，包括：对聚合物进行表面清洗；随后利用蒸发法和圆柱弧靶在聚合物表面共沉积金属多聚物和镁；最后利用圆柱弧靶进行镁沉积。本发明实施例提供的方法，通过气体离子源清洗、蒸发法以及圆柱弧沉积相结合的方法制备的金属镁膜层，明显提高了基体和金属镁层的结合强度。因其方法简单、处理面积大、易操作，且成本低、效率高，非常适合工业化大批量生产。
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公开(公告)号：CN105755442B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201510750821.1
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 一种厚度超过30微米金属碳化(Metal Carbide)镶嵌的类金刚石(Diamond‑like Carbon)MC/DLC膜制备的方法，属于硬质耐磨涂层制备领域，具体涉及一种磁过滤等离子体沉积法制备MC/DLC厚膜技术，其中MC/DLC厚膜结构包括离子注入钉扎层、金属过渡层以及MC/DLC膜。本发明的目的是结合离子注入技术、磁过滤技术和阴极弧沉积技术制备的MC/DLC具有较高的结合力，并通过控制沉积过程中的弧流强度、弯管磁场强度以及含碳气体进气量，优化MC/DLC厚膜的厚度、硬度和耐磨擦磨损性，制备优质的MC/DLC厚膜。本发明所使用的磁过滤等离子体沉积设备是拥有自主知识产权的，设备操作简单，工艺成熟，可实现批量成产，适合所有刀具轴承等工业零件中高硬耐磨涂层沉积应用。
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公开(公告)号：CN109097744A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811090717.4
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种脉冲磁过滤装置，包括，脉冲阴极弧头、引出电极、聚焦直管、磁过滤管、栅网以及射频四级杆过滤器。通过实施本发明，到达镀膜工件表面的离子方向性好，同时离子的电荷态相同，非常适合单晶或多晶膜层的精细化调控生长，同时通过控制四级杆过滤器射频频率可方便实现不同价态离子膜层的选择性精确镀制。本发明的脉冲磁过滤装置在超细、超微芯片或者晶圆种晶制备方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109082635A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811091114.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种大面积脉冲磁过滤装置，该装置包括：脉冲阴极弧头、引出电极、聚焦直管、磁过滤管道以及扩展管道。通过实施本发明，离子束斑的形状发生明显的改变，由原来的圆形束斑变成长条形束斑，束斑尺寸最大可为60mm×260mm，大大提高了离子束斑的纵向宽度，在长条形部件表面处理时有着非常明显的优势。同时本发明的大面积脉冲磁过滤装置能够实现导电性差点阴极材料膜层的镀制。通过引出电极和聚焦电极的配合使用能使引出束流大大增加，同时在扩散管道和磁过滤管道线包电流的配合下能大幅展开离子束斑尺寸，在相同束流强度下能够大大增加阴极靶材的寿命。
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公开(公告)号：CN105908134B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610227227.9
申请日：2016-04-13
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于离子束技术在聚四氟乙烯基底表面沉积超高结合强度的金属膜层及电路板的制备方法和设备；沉积超强结合力的金属膜层的制备方法包括：金属“注入+扩散层”和金属膜层；其中，该金属“注入+扩散层”的制备方法包括：利用气体离子源对基底进行大束流清洗，随后利用40KV高能金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入金属元素形成金属“注入+扩散层”；金属膜层的制备方法包括：利用90度磁过滤阴极真空弧(FCVA)系统沉积1‑10微米的金属膜层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属膜层和聚四氟乙烯基材具有很高结合力和抗剥离性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105779958B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510903854.5
申请日：2015-12-10
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种发动机叶片表面结合力优越以及抗沙尘侵蚀能力强的TiN/DLC/TiN纳米复合膜方法及设备，其中，制备该TiN/DLC/TiN纳米复合膜方法包括：采用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在叶片表面注入一层能提高膜基结合力的金属″钉扎层″；在所述的金属″钉扎层″之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)沉积得到用于释放内应力的第一层金属/金属氧化物薄膜过渡层；在所述的第一层过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)沉积方法沉积得到第二层软DLC层；在所述的第二层软层之上沉积得到第三层超硬TiN膜层；重复工艺制备第二层、第三层直至TiN/DLC/TiN纳米复合膜总厚度为10‑30微米。通过实施本发明，在发动机叶片上沉积TiN/DLC/TiN纳米复合膜能够很好的保护发动机叶片，防止其因沙尘的侵蚀而损害。
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公开(公告)号：CN105755434B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610105818.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种基于离子束技术的新型电子烟雾化装置导电层的制造方法及设备。制备该电子烟雾化装置导电层的制备方法包括：以多孔氮化铝陶瓷为基体，采用磁过滤金属阴极真空弧(FCVA)技术，在基体表面沉积第一层金属氮化物导电层；在所述的第一层之上，采用FCVA方法沉积得到第二层金属层；在所述的第二层金属层之上，采用FCVA沉积方法沉积得到第三层导电金属氮化物层，三层复合膜总厚度为1‑10微米，电阻为1‑10欧姆。通过实施本发明，能够制造出新型的且寿命长的电子烟雾化器装置。
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公开(公告)号：CN108456847A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810040325.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/32 , C23C14/48 , H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/0296
Abstract: 本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器，其中，该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括：采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜；在所述第一层DLC膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层；在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜。通过实施本发明，在多晶CZT上沉积DLC膜能够保护多晶CZT，减小漏电流。
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公开(公告)号：CN105220112B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510583996.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/32 , H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器，其中，该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括：采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜；在所述第一层DLC膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层；在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜。通过实施本发明，在多晶CZT上沉积DLC膜能够保护多晶CZT，减小漏电流。
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公开(公告)号：CN107248490A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710368331.4
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京师范大学
IPC: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J37/3171
Abstract: 本发明公开了一种新型的离子源引出‑加速电极结构，其中，引出电极由圆孔型引出设计为等宽的长条形引出形状，同时加速电极之间的距离不再恒定，设计为连续变化的引出间距，即加速电极之间的距离由5mm变为可变区间3‑7mm。通过实施本发明，离子束斑的形状发生明显的改变，由原来的圆形束斑变成长条形束斑，束斑尺寸可为(100‑200mm)×(300‑800mm)，大大提高了离子束斑的纵向宽度，在处理长条形工件时有着非常明显的优势。同时，通过引出‑加速电极的改变离子束流大大增加，在相同束流强度下能够大大增加阴极靶材的寿命。
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