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公开(公告)号：CN110429135B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910628709.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1‑3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。
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公开(公告)号：CN111900097A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010595872.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重-轻-重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN110429146B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910724212.7
申请日：2019-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/28 , G01J5/30
Abstract: 本发明公开了一种非极性面氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明针对当前常见的c面氮化物QWIP存在极化电场的问题，提出采用非极性面氮化物多量子阱结构制备红外探测器，该结构不存在极化电场，易于载流子纵向输运；非极性面氮化物多量子阱为生长面应力补偿结构，有效缓解了非极性面生长的应力弛豫各向异性，提高制备非极性面氮化物材料的晶体质量；匹配电路中包括惠斯通电桥，根据红外光敏元件的电阻的大小设置相应的匹配电阻的大小，没有红外光照时电压截止元件处于非导通状态，通过电压截止元件抑制背景噪声，提高器件信噪比；采用第三代氮化物半导体材料制备，具有室温工作、紫外集成、红外光谱范围广等优势。
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公开(公告)号：CN110323308B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910491149.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯阻挡层制备氮化物垂直结构LED的方法。本发明通过在单晶金属衬底上表面引入高晶体质量的、具有六方晶体结构对称性的石墨烯阻挡层，利用石墨烯阻挡层的层内强共价键阻挡单晶金属衬底与氮化物LED的界面反应和金属原子的扩散，利用石墨烯阻挡层的层间弱分子力结合弛豫金属衬底和氮化物LED结构的晶格失配和热失配，通过表面活化处理石墨烯阻挡层提供氮化物LED的成核位点，进而得到高晶体质量、高发光效率的大功率氮化物垂直结构LED；本发明具有简化氮化物垂直结构LED制备工艺、提高氮化物LED的晶体质量和发光效率、提高氮化物LED散热能力、成本低、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN111628059A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010351078.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法，器件由底向上依次包括衬底、AlN层、应力缓冲层、n型AlGaN层、有源区、p型电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层；采用n个量子阱作为有源区，每个量子阱的势垒部分采用非对称凹型结构,由底向上包括n个阱层和n+1个势垒；每个势垒由底向上依次包括第一层、凹型层和第三层；第一、三层均为AlxGa1-xN层，凹型层为AlyGa1-yN层，第一层和第三层铝组分含量x大于凹型层铝组分含量y，第三层厚度小于第一层厚度；量子阱的阱层为AlzGa1-zN层，阱层的铝组分含量z小于凹型层铝组分含量y。可有效提高载流子注入效率，显著提高器件性能。
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公开(公告)号：CN111610177A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010528322.9
申请日：2020-06-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置。本发明提出的检测方法中，将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题；采用电子能级共振以及表面等离激元共振增强拉曼技术使得拉曼散射强度有103～108的增强，部分达到了光致发光的强度，从而为快速测量奠定基础；金属纳米结构不但提高micro LED芯片的发光效率，同时也可以利用表面等离激元增强拉曼散射信号，提高检测速度；显微拉曼检测是一种无损伤测试手段，检测过程简单，所需时间短，检测速度快，且不需要对micro LED芯片进行特别处理，适用于micro LED芯片的巨量检测。
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公开(公告)号：CN108767055B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810373012.7
申请日：2018-04-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构的p型AlGaN外延薄膜；其中，x
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公开(公告)号：CN111211159A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010039835.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法，在高阻硅衬底上外延一层n型单晶硅，得到复合硅衬底，再在其上外延氮化铝和后续的氮化镓薄膜，通过复合硅衬底掺杂的n型电子与铝原子扩散带来的空穴流子复合，从而使硅衬底维持在高阻状态，降低硅基氮化镓射频器件的射频损耗。该方法在有效抑制器件射频损耗的同时，不会降低外延层的晶体质量，不影响器件的稳定性，而且操作简单快捷，成本可控。
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公开(公告)号：CN110429146A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910724212.7
申请日：2019-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/28 , G01J5/30
Abstract: 本发明公开了一种非极性面氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明针对当前常见的c面氮化物QWIP存在极化电场的问题，提出采用非极性面氮化物多量子阱结构制备红外探测器，该结构不存在极化电场，易于载流子纵向输运；非极性面氮化物多量子阱为生长面应力补偿结构，有效缓解了非极性面生长的应力弛豫各向异性，提高制备非极性面氮化物材料的晶体质量；匹配电路中包括惠斯通电桥，根据红外光敏元件的电阻的大小设置相应的匹配电阻的大小，没有红外光照时电压截止元件处于非导通状态，通过电压截止元件抑制背景噪声，提高器件信噪比；采用第三代氮化物半导体材料制备，具有室温工作、紫外集成、红外光谱范围广等优势。
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