公开(公告)号：CN101896999A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119995.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN101595250A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003324.3

申请日：2008-01-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 土田良彦 ,  秦雅彦

IPC: C30B29/40 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/45585 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种用于制备第III－V族化合物半导体的方法，所述方法包括如下步骤：将第III族原料、第V族原料、载气以及必要时的其它原料供给到反应器中，以在所述反应器中的基板上通过有机金属气相外延法生长第III－V族化合物半导体，其中将所述第III族原料和所述第V族原料独立地供给到所述反应器中，并且将卤化氢与除所述第V族原料以外的原料或所述载气一起供给到所述反应器中。

公开(公告)号：CN101449401A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018826.9

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 广山雄一 ,  秦雅彦 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  F21S2/00

CPC classification number: G02B6/0068 ,  G02B6/0025 ,  G02B6/0046 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  H01L27/156 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/5036

Abstract: 本发明提供色调的稳定性优越，同时，还能够调节色调，且适合微细化的单片发光设备及使用了其的照明装置及其驱动方法。单片发光设备是多个发光二极管以单片阵列配置于单一基板上而成的照明用单片发光设备，所述发光二极管从具有pn结的半导体材料及该半导体输出光，并且，设置有含有用于吸收该光的一部分或全部，变换为不同的波长的光的荧光体的层，其中，所述阵列包括：由m个(m≥2)所述发光二极管构成的发光二极管群组，该发光二极管群组包括：各自具有预先规定的N种(N≥2，但N≤m)发光光谱形状的任一种的N种发光二极管，通过按根据发光光谱形状的种类分组的发光二极管组改变向所述发光二极管的供给电力量，能够改变自所述阵列整体的平均发光光谱。

公开(公告)号：CN101346309A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049174.0

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山林稔治 ,  秦雅彦

IPC: C01B33/033 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供具有工序(A)、(B)和(C)的多晶硅制造方法，(A)在温度T1下用金属还原下式(1)所示氯硅烷，获得硅化合物的工序、SiHnCl4－n(1)，(式中，n为0～3的整数)(B)将该硅化合物移送至温度T2(为T1＞T2的关系)的部分的工序、(C)使多晶硅在该温度T2的部分析出的工序，这里，温度T1为金属熔点(绝对温度)的1.29倍以上、温度T2高于金属氯化物的升华点或沸点，通过该制造方法能够以高收率获得高纯度的多晶硅。另外，本发明还包含具有通过上述制作方法获得的多晶硅的太阳能电池和多晶硅的制造装置。

公开(公告)号：CN104247038A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380015693.5

申请日：2013-03-14

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上谷保则 ,  秦雅彦

IPC: H01L31/04 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4213 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/302 ,  H01L31/078 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  H01L2031/0344 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种有机无机混合光电转换元件，其具有使用无机半导体的无机光电转换元件、和与该无机光电转换元件串联连接并且重叠配置在上述无机光电转换元件的有机光电转换元件，上述有机光电转换元件具备含有受电子性化合物及供电子性化合物的活性层，与上述无机光电转换元件相比，该有机光电转换元件在更短波长下具有吸收端。

公开(公告)号：CN101978503B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200980109236.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 杉山正和 ,  霜垣幸浩 ,  秦雅彦 ,  市川磨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/51 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。

公开(公告)号：CN101896997B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102714144A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005900.X

申请日：2011-01-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶、形成于SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶上的III族氮化物半导体结晶。作为一例，该半导体基板还还包括形成于所述硅结晶上、具有露出所述硅结晶的开口且阻碍结晶生长的阻碍体，所述SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶形成于开口内部。

公开(公告)号：CN102449785A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023898.4

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山中贞则 ,  高田朋幸

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/737 ,  H01L29/866 ,  H01L33/12 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02524 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01S5/021

Abstract: 提供一种光器件，具备：基底基板，包含硅；多个种晶，设置在基底基板上；以及多个3-5族化合物半导体，与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体，该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体，在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。

公开(公告)号：CN101611479B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200880004951.9

申请日：2008-02-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  佐泽洋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管。氮化镓系外延结晶包含衬底基板和(a)～(e)层，并且为了电连接第一缓冲层与p传导型半导体结晶层，将包含氮化镓系结晶的连接层配置在非氮化镓系的绝缘层的开口部，所述(a)～(e)层为：(a)栅极层；(b)包括与栅极层的衬底基板侧界面相接的通道层的高纯度的第一缓冲层；(c)配置在第一缓冲层的衬底基板侧的第二缓冲层；(d)配置在第二缓冲层的衬底基板侧且其一部分具有开口部的非氮化镓系的绝缘层；以及，(e)配置在绝缘层的衬底基板侧的p传导型半导体结晶层。