公开(公告)号：CN101784476B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880105322.5

申请日：2008-08-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山林稔治

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 本发明提供硅的制备方法。该制备方法是将下式(1)所示的卤化硅烷用金属还原的方法，具备以下步骤：第一步，在低于上述金属熔点的温度T1下，使上述金属的颗粒与上述卤化硅烷接触而获得硅；第二步：在上述第一步之后，在上述金属的熔点以上的温度T2下，使上述金属的残余物与上述卤化硅烷接触，进一步获得硅。SiHnX4-n (1)式中，n为0-3的整数，X分别表示选自F、Cl、Br和I的原子，n为0-2时，X彼此相同或不同。

公开(公告)号：CN101784476A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880105322.5

申请日：2008-08-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山林稔治

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 本发明提供硅的制备方法。该制备方法是将下式(1)所示的卤化硅烷用金属还原的方法，具备以下步骤：第一步，在低于上述金属熔点的温度T1下，使上述金属的颗粒与上述卤化硅烷接触而获得硅；第二步：在上述第一步之后，在上述金属的熔点以上的温度T2下，使上述金属的残余物与上述卤化硅烷接触，进一步获得硅。SiHnX4-n(1)式中，n为0-3的整数，X分别表示选自F、Cl、Br和I的原子，n为0-2时，X彼此相同或不同。

公开(公告)号：CN101208267A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023138.7

申请日：2006-06-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 三枝邦夫 ,  山林稔治

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 本发明提供一种高纯度硅的制造方法。高纯度的硅的制造方法是将下式(1)所示的卤化硅用铝还原制造硅的方法，作为还原剂使用的铝的纯度为99.9重量％以上。SiHnX4－n(1)(式中，n是0～3的整数，X是选自F、Cl、Br、I的1种或2种以上的卤原子。这里，铝的纯度是由100重量％减去铝中含有的铁、铜、镓、钛、镍、钠、镁和锌的总重量％得到的)。

公开(公告)号：CN101346309A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049174.0

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山林稔治 ,  秦雅彦

IPC: C01B33/033 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供具有工序(A)、(B)和(C)的多晶硅制造方法，(A)在温度T1下用金属还原下式(1)所示氯硅烷，获得硅化合物的工序、SiHnCl4－n(1)，(式中，n为0～3的整数)(B)将该硅化合物移送至温度T2(为T1＞T2的关系)的部分的工序、(C)使多晶硅在该温度T2的部分析出的工序，这里，温度T1为金属熔点(绝对温度)的1.29倍以上、温度T2高于金属氯化物的升华点或沸点，通过该制造方法能够以高收率获得高纯度的多晶硅。另外，本发明还包含具有通过上述制作方法获得的多晶硅的太阳能电池和多晶硅的制造装置。