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公开(公告)号:CN102439743B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201080011250.5
申请日:2010-03-03
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L35/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热电转换模块。能抑制按压构件的热引起的损伤及隔着高温侧的按压构件的散热及其引起的热电转换效率的下降,在热电转换元件和电极未用接合材料接合的情况下也得到良好的电导通。低温侧电极(6)向高温侧基板(8)突出,在低温侧电极(6)上分别形成与低温侧基板(7)表面所成的角θ为锐角的斜面(6a、6b)。p型热电转换元件(3)与低温侧电极(6)接触的面(3a)沿着低温侧电极的一个斜面(6a)、n型热电转换元件(4)与低温侧电极(6)接触的面(4b)沿着低温侧电极(6)的另一斜面(6b),p型热电转换元件(3)及n型热电转换元件(4)分别在斜面与低温侧电极(6)接触,按压构件(5)将外侧的热电转换元件(10)的低温侧基板侧的部分向其他的外侧的热电转换元件(10)按压。
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公开(公告)号:CN102460753A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201080024437.9
申请日:2010-05-28
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: C01G15/006 , C01P2006/40 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/604 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/9607 , C04B2235/9661 , H01L35/22 , H01L35/32
Abstract: 本发明提供包括含Zn、Al、Ga和B的复合氧化物的热电转换材料。上述热电转换材料中,B的摩尔量相对于Zn、Al、Ga和B的总摩尔量之比为0.0001以上且0.01以下。上述热电转换材料中,复合氧化物的相对密度为95%以上。上述热电转换材料中,复合氧化物的表面的至少一部分被被膜包覆。还提供热电转换组件,该热电转换组件为具备多个n型热电转换材料及多个p型热电转换材料、和将上述多个p型热电转换材料及多个n型热电转换材料交替地串联电连接的多个电极的热电转换组件,其中,上述多个n型热电转换材料中的1个以上的材料为上述热电转换材料。
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公开(公告)号:CN101983437A
公开(公告)日:2011-03-02
申请号:CN200980111966.X
申请日:2009-04-10
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C04B35/016 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3231 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , C04B2235/77
Abstract: 本发明提供烧结体及热电转换材料。烧结体含有锰系氧化物作为主成分,还含有氧化物A(氧化物A表示选自氧化镍、氧化铜及氧化锌中的一种以上。),且相对密度为80%以上90%以下。
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公开(公告)号:CN102282689A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201080004593.9
申请日:2010-01-08
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 广山雄一
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 一种热电转换模块,其中,具备:p型热电转换元件和n型热电转换元件;支承框,具有插入p型热电转换元件的贯通孔和插入n型热电转换元件的贯通孔;以及电极,对p型热电转换元件和n型热电转换元件进行电连接,p型热电转换元件和n型热电转换元件中的至少一方的元件是具有顶点和/或棱的形状,通过在至少一方的元件的表面中的除了顶点和棱之外的区域和支承框粘接的粘接剂,固定至少一方的元件和支承框。
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公开(公告)号:CN101657913B
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN200880009276.9
申请日:2008-03-11
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L35/34 , H01L35/32 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明的热电转换模块的制造方法包括以下两个工序:形成未烧结热电基体材料(13)的工序,该未烧结热电基体材料(13)具有未烧结框构件和热电元件原料(10),其中,该未烧结框构件包含绝缘性陶瓷粉末及粘合剂,并具有以相互平行地沿规定方向延伸的方式形成的多个孔,该热电元件原料(10)包含热电材料的原料粉末并配置在孔中;以及使未烧结热电基体材料(13)沿着孔延伸的规定方向伸展的工序。
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公开(公告)号:CN101449401A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200780018826.9
申请日:2007-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: G02B6/0068 , G02B6/0025 , G02B6/0046 , G02B6/0051 , G02B6/0073 , H01L27/156 , H01L51/0007 , H01L51/5036
Abstract: 本发明提供色调的稳定性优越,同时,还能够调节色调,且适合微细化的单片发光设备及使用了其的照明装置及其驱动方法。单片发光设备是多个发光二极管以单片阵列配置于单一基板上而成的照明用单片发光设备,所述发光二极管从具有pn结的半导体材料及该半导体输出光,并且,设置有含有用于吸收该光的一部分或全部,变换为不同的波长的光的荧光体的层,其中,所述阵列包括:由m个(m≥2)所述发光二极管构成的发光二极管群组,该发光二极管群组包括:各自具有预先规定的N种(N≥2,但N≤m)发光光谱形状的任一种的N种发光二极管,通过按根据发光光谱形状的种类分组的发光二极管组改变向所述发光二极管的供给电力量,能够改变自所述阵列整体的平均发光光谱。
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公开(公告)号:CN102439743A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201080011250.5
申请日:2010-03-03
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L35/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热电转换模块。能抑制按压构件的热引起的损伤及隔着高温侧的按压构件的散热及其引起的热电转换效率的下降,在热电转换元件和电极未用接合材料接合的情况下也得到良好的电导通。低温侧电极(6)向高温侧基板(8)突出,在低温侧电极(6)上分别形成与低温侧基板(7)表面所成的角θ为锐角的斜面(6a、6b)。p型热电转换元件(3)与低温侧电极(6)接触的面(3a)沿着低温侧电极的一个斜面(6a)、n型热电转换元件(4)与低温侧电极(6)接触的面(4b)沿着低温侧电极(6)的另一斜面(6b),p型热电转换元件(3)及n型热电转换元件(4)分别在斜面与低温侧电极(6)接触,按压构件(5)将外侧的热电转换元件(10)的低温侧基板侧的部分向其他的外侧的热电转换元件(10)按压。
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公开(公告)号:CN101796662B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200880105807.4
申请日:2008-09-03
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 广山雄一
CPC classification number: H01L35/34 , H01L35/08 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供热电转换元件的制造方法。该热电转换元件的制造方法具有以下的金属层形成工序:将通过加热而分解生成金属的金属化合物散布在加热到前述金属化合物的分解温度以上的热电转换元件主体的表面。
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公开(公告)号:CN101828278A
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200880111781.4
申请日:2008-10-07
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 广山雄一
Abstract: 本发明提供一种热电转换模块。该热电转换模块包括:彼此相向的一对基板;配置在上述一对基板之间的多个p型热电转换元件和多个n型热电转换元件;分别设置在上述一对基板上的多个电极,该多个电极将上述p型热电转换元件和n型热电转换元件的各一对的端面彼此电连接,从而使上述多个p型热电转换元件和多个n型热电转换元件以p型n型交替的方式电串联连接;以及将上述p型热电转换元件和n型热电转换元件与上述电极分别接合的多个接合部件,其中,上述p型热电转换元件和n型热电转换元件的热膨胀系数相互不同,并且上述p型热电转换元件和n型热电转换元件的高度相互不同。
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