公开(公告)号：CN114685158A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210481997.1

申请日：2022-05-05

Applicant: 闽都创新实验室 ,  中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  孙志成 ,  王帅华 ,  黄鑫 ,  郑熠

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  G02F1/09

Abstract: 本申请公开了一种磁光陶瓷及其制备方法和应用。所述磁光陶瓷的化学式为A2Ti2O7；其中，A为具有磁光效应的稀土离子。本申请使用高温固相法制备多晶粉体，该方法原料利用率高，采用真空钨丝炉烧结成功制备出A2Ti2O7透明陶瓷，在1064nm波长下Verdet常数与TGG相当，可应用于磁光器件中。

公开(公告)号：CN110687698B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201911036288.7

申请日：2019-10-29

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 黄鑫 ,  吴少凡 ,  王帅华 ,  郑熠 ,  徐刘伟

IPC: G02F1/095

Abstract: 本发明公开了一种磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决当系统反向光波长范围较宽时，现有磁光隔离器隔离效果较差的问题。所述磁光隔离器包括：柱状的磁光晶体；设置在磁光晶体外围的活动磁体；驱动单元，驱动单元与活动磁体连接，用于驱动活动磁体在磁光晶体的轴向上发生位移。本发明用于磁光隔离器。

公开(公告)号：CN108562547B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201810203830.2

申请日：2018-03-13

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  徐鸿锋 ,  王帅华 ,  郑熠 ,  黄鑫

IPC: G01N21/23

Abstract: 本发明公开了一种激光晶体热应力双折射系数测量装置及其方法。该装置包含模拟光路和检测光路，检测光路和模拟光路均聚焦于样品的测试点上。将样品放置于该装置中后调节所负载激光的功率，可得到不同负载条件下样品的热应力双折射系数。该方法包括以下步骤：将样品置于如上述的装置中，打开模拟光路向样品内测试点聚焦激光至样品发生热应力双折射；步骤S200：打开检测光路向测试点聚焦起偏的探测光，记录从样品离开，并经检偏器检偏的分光光强；步骤S300：按照下式计算得到相位延迟量Φ：(Ip‑Ic)/(Ip+Ic)＝cosΦ其中，Ip和Ic为分光光强。该方法利用起偏‑检偏探测光，探测发生热应力双折射的激光晶体产生的相位延迟量Φ。该方法测量结果准确，避免人工误差。

公开(公告)号：CN111103613A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911087053.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 郑熠 ,  吴少凡 ,  黄鑫

IPC: G01T1/202

Abstract: 本申请公开了一种闪烁晶体阵列及其制备方法，方法至少包括：在基板上设置多个间隔设置的固定区域，将多个闪烁晶体的第一端面分别放置在多个固定区域上，封装，得到闪烁晶体阵列；第一端面上设有第一磁性部；固定区域上设有第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部为异名磁极。本发明的闪烁晶体阵列制备方法避免了闪烁晶体之间由于相互挤压摩擦使反射膜偏移的缺点，同时，本申请通过利用磁性区域将闪烁晶体限制在固定区域上，通过磁性区域阵列来完成闪烁晶体的阵列，减少了现有技术中采用晶体堆叠、切割的方法产生的切割偏差。

公开(公告)号：CN110644047A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910875156.7

申请日：2019-09-16

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 徐刘伟 ,  吴少凡 ,  王帅华 ,  郑熠 ,  黄鑫

IPC: C30B28/02 ,  C30B11/00 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明包含一种掺杂卤化铈磁光晶体的生长方法和及其应用。所述掺杂卤化铈的分子式为CaxMyCe(1-x-y)X3，X为Cl-或者Br-，M为+3价金属离子或+2价金属离子，0.01≤x≤0.5，0≤x≤0.5，该系列晶体生长温度低，能够使用布里奇曼法生长，可有效降低晶体生长成本。CaxMyCe(1-x-y)X3晶体中原料Ce元素储量高价格低，可有效降低晶体生长成本。该系列晶体在300-1600nm波段的透过率在90％-92％之间，比TGG晶体高出10％，在1064nm波长下的Verdet常数与TGG基本相同，在应用方面完全适用于含有TGG晶体的磁光器件，如光隔离器、光调制器、磁光开关等，同时CaxMyCe(1-x-y)X3的弱吸收约为TGG的10％，有望高功率磁光器件上完全替换TGG晶体。

公开(公告)号：CN110629286A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910871923.7

申请日：2019-09-16

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 徐刘伟 ,  吴少凡 ,  王帅华 ,  郑熠 ,  黄鑫

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  G02F1/09

Abstract: 本发明包含一种掺杂钒酸镝磁光晶体的生长方法和及其应用。所述掺杂钒酸镝的分子式为KxMyDy(1-x-y)VO4，M为+3价金属离子或+2价金属离子，0.01≤x≤0.5，0≤x≤0.5，该系列晶体所，是一致熔融成分，使用的原料价格低廉，可使用提拉法实现大尺寸生长，可有效降低晶体生长成本。该系列晶体在490-720nm波段的透过率在70％-85％之间，在532nm-220-(-309)rad/m/T，比TGG晶体高出13％-38％，在应用方面相对于TGG晶体，有利于可见光波段磁光器件(如光隔离器、光调制器、磁光开关等)的小型化设计，同时也可以减少晶体使用长度，有效降低器件研发成本。

公开(公告)号：CN110545653A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910857646.4

申请日：2019-09-09

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  许谢铭 ,  郑熠 ,  王帅华 ,  黄鑫

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种金属网栅，所述金属网栅由两种不同旋转角度的基本单元组成；所述两种基本单元按照斐波那契数列的排列规则进行准周期分布。本申请提供的金属网栅在透过率相同的情况下，有效地减小金属网栅的高级次衍射能量分布的不均匀性，使杂散光整体分布更加均匀，进而可提高成像质量。

公开(公告)号：CN107255828B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201710584217.5

申请日：2017-07-18

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  郑熠 ,  黄鑫

IPC: G01T1/00

Abstract: 本申请公开了一种闪烁晶体单元片、阵列模块及探测器。本申请的闪烁晶体单元片包括闪烁晶体和包裹体，所述包裹体具有至少一个凹型部，所述闪烁晶体位于所述凹型部内。本申请的闪烁晶体阵列由多个晶体单元按照预定设计预先排列成晶体单元片，再将所述晶体单元片排列成晶体阵列模块。所述晶体单元片由每个晶体单元排列并包裹在反射膜上，并通过环氧胶固化。然后再将所述晶体单元片按照预定的设计排列成阵列模块，并通过环氧胶固化。本发明的闪烁晶体探测器阵列模块的制作方法具有灵活性高，排列整齐，结构紧凑，易于生产的优点。

公开(公告)号：CN108221052A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810088200.5

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 周玉兰 ,  林哲帅 ,  吴少凡 ,  王帅华

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/02

Abstract: 本申请公开了一种制备大尺寸Zn4B6O13单晶的方法，其特征在于，以用乙酸锌、氧化锌和氧化硼为主要原料，采用熔盐生长大尺寸零膨胀材料ZBO晶体。该方法制备得到的大尺寸ZBO单晶，在热功能材料领域、精密光学功能和精密机械部件的制造等领域有着重要的应用前景。

公开(公告)号：CN105154973B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510511398.X

申请日：2015-08-19

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 方声浩 ,  叶宁 ,  苏伟平 ,  吴少凡 ,  洪茂椿 ,  郑发鲲

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及闪烁晶体材料领域，一种多离子掺杂大尺寸溴化镧单晶闪烁体，其特征在于：所述的单晶闪烁体的化学通式为(CexSryHfy)La(1‑x‑2y)Br3，其中0.001