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公开(公告)号：CN114773048B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210480703.3
申请日：2022-05-05
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622 , G02F1/09
Abstract: 本申请涉及一种复合陶瓷材料的制备方法及其应用。所述复合陶瓷材料包括两层YAG层和夹在所述两层YAG层之间的金属掺杂的TSAG层；YAG层的分子式为Y3Al5O12；金属掺杂的TSAG层的分子式为Tb3‑xRexSc2Al3O12；Re选自Ce、Pr、Ho、Dy、Eu、Yb、Er、Gd、Ga、Lu、Tm、Fe、Nd或La中的至少一种；x为0～1。光学质量优异、内部晶粒均匀，在1064nm波长下费尔德常数为TGG单晶的1.3倍左右，热导率高于TGG单晶与Re:TSAG透明陶瓷。可作为磁光隔离器的核心材料，用于高功率激光器上，保证光束的高质量传输。具有实用意义，且能够运用于较高功率激光器。
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公开(公告)号：CN110687696B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911000306.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成式光隔离器的封装方法以及集成式光隔离器，涉及光纤通讯技术领域。所述方法包括：将第一磁光晶体和双折射晶体贴合形成基板；将基板划分为前段基板、中段基板和后段基板，对中段基板对应的双折射晶体表面进行离子刻蚀，在刻蚀后的第一磁光晶体上制作磁光旋转器；将前段基板对应的双折射晶体构成起偏器，将后段基板对应的双折射晶体构成检偏器；在起偏器上耦合输入光纤，在检偏器上耦合输出光纤，从而得到集成式光隔离器。本发明在第一磁光晶体贴合双折射晶体，同时制备起偏器和检偏器，产品质量高，且加工工艺简单，加工效率高，加工成本降低。
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公开(公告)号：CN111592347A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010463647.3
申请日：2020-05-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/624 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种磁光透明陶瓷，化学式为M(x+y+z)Tb(3-x)Sc(2-y)Al(3-z)O12其中，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，0≤x+y+z≤0.5；M为+3价金属离子。并公开了该磁光透明陶瓷的制备方法。本发明提供的磁光透明陶瓷的热学性能与光学性能与晶体接近，本发明提供的制备方法工艺简单，可制备复杂形状的陶瓷，能够有效降低磁光元件的成本，而且在陶瓷制备过程中，掺杂其他元素提高陶瓷的磁光性能，掺杂陶瓷在烧结过程中不会造成组分分凝，具有很好的实用价值。
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公开(公告)号：CN110687697A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910951599.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明公开了一种磁光隔离器芯及其制作方法、磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决现有磁光隔离器插入损耗较大，封装成品率较低的问题。所述磁光隔离器芯包括中空柱状的磁环和柱状的磁光晶体；磁环的内壁上设置有第一焊接金属层；磁光晶体的外壁上设置有第二焊接金属层，磁环的内径小于磁光晶体的外径，磁环在经过降温冷缩后可套设在磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁环温度回升后压焊连接。本发明用于制作磁光隔离器芯。
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公开(公告)号：CN110687698B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201911036288.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明公开了一种磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决当系统反向光波长范围较宽时，现有磁光隔离器隔离效果较差的问题。所述磁光隔离器包括：柱状的磁光晶体；设置在磁光晶体外围的活动磁体；驱动单元，驱动单元与活动磁体连接，用于驱动活动磁体在磁光晶体的轴向上发生位移。本发明用于磁光隔离器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110644047A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910875156.7
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明包含一种掺杂卤化铈磁光晶体的生长方法和及其应用。所述掺杂卤化铈的分子式为CaxMyCe(1-x-y)X3，X为Cl-或者Br-，M为+3价金属离子或+2价金属离子，0.01≤x≤0.5，0≤x≤0.5，该系列晶体生长温度低，能够使用布里奇曼法生长，可有效降低晶体生长成本。CaxMyCe(1-x-y)X3晶体中原料Ce元素储量高价格低，可有效降低晶体生长成本。该系列晶体在300-1600nm波段的透过率在90％-92％之间，比TGG晶体高出10％，在1064nm波长下的Verdet常数与TGG基本相同，在应用方面完全适用于含有TGG晶体的磁光器件，如光隔离器、光调制器、磁光开关等，同时CaxMyCe(1-x-y)X3的弱吸收约为TGG的10％，有望高功率磁光器件上完全替换TGG晶体。
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公开(公告)号：CN110629286A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910871923.7
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明包含一种掺杂钒酸镝磁光晶体的生长方法和及其应用。所述掺杂钒酸镝的分子式为KxMyDy(1-x-y)VO4，M为+3价金属离子或+2价金属离子，0.01≤x≤0.5，0≤x≤0.5，该系列晶体所，是一致熔融成分，使用的原料价格低廉，可使用提拉法实现大尺寸生长，可有效降低晶体生长成本。该系列晶体在490-720nm波段的透过率在70％-85％之间，在532nm-220-(-309)rad/m/T，比TGG晶体高出13％-38％，在应用方面相对于TGG晶体，有利于可见光波段磁光器件(如光隔离器、光调制器、磁光开关等)的小型化设计，同时也可以减少晶体使用长度，有效降低器件研发成本。
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公开(公告)号：CN111559758A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010545438.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料，化学式为Tm3-xCexFe5-yCryO12；其中，0≤x≤0.12，0≤y≤0.3；Ce3+取代晶体材料中Tm3+的格位，Cr3+取代晶体材料中Fe3+的格位。并公开了该晶体材料的制备方法。该制备方法工艺简单，生产周期短，反应过程易于控制，产品的综合磁性能良好，饱和磁化强度相对较高，适合工厂化大批量生产。
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公开(公告)号：CN110687698A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911036288.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明公开了一种磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决当系统反向光波长范围较宽时，现有磁光隔离器隔离效果较差的问题。所述磁光隔离器包括：柱状的磁光晶体；设置在磁光晶体外围的活动磁体；驱动单元，驱动单元与活动磁体连接，用于驱动活动磁体在磁光晶体的轴向上发生位移。本发明用于磁光隔离器。
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