公开(公告)号：CN107919386A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711171651.7

申请日：2017-11-21

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王鑫华 ,  王泽卫 ,  黄森 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构，包括：薄势垒异质结，自下而上包括：GaN缓冲层和薄势垒层，在该薄势垒异质结的界面处存在受晶格应变调控的二维电子气；电荷诱导层，形成于薄势垒层上方，包含若干间隔开的被刻蚀至薄势垒层的空心区域，分别为源极开口区、漏极开口区以及栅极开口区；以及Fin纳米带阵列结构，在栅极开口区由薄势垒层刻蚀至GaN缓冲层内部形成，用于实现应变调控。该结构使Fin宽拓宽至100nm以上，解决了目前增强型AlGaN/GaN FinFET器件Fin宽临界尺寸偏小问题，从而增大了器件Fin宽制备工艺窗口，降低了工艺难度以及制作AlGaN/GaN FinFET器件的工艺成本。

公开(公告)号：CN107887383A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711081961.X

申请日：2017-11-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 黄森 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  康玄武 ,  魏珂

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H02M7/00

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/003

Abstract: 本发明公开了一种GaN基单片功率逆变器及其制作方法，该功率逆变器包括：异质结外延衬底；钝化层，形成于异质结外延衬底之上，在钝化层之间存在多个空心区域；增强型功率三极管结构，形成于若干空心区域，包括：第一源极、第一漏极和第一栅极，该第一源极、第一漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第一栅极通过位于其下方的第一栅介质层与薄势垒层实现绝缘；以及耗尽型功率三极管结构，形成于其余空心区域，包括：第二源极、第二漏极和第二栅极，该第二源极、第二漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第二栅极通过位于其下方的第二栅介质层与钝化层实现绝缘或者直接接触钝化层。该功率变换器的制备工艺简单，结构多样化，提高了器件成品率。

公开(公告)号：CN107706108A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710942185.1

申请日：2017-10-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 何在田 ,  张国斌 ,  许恒宇 ,  赵妙 ,  万彩萍 ,  金智 ,  刘新宇

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件结终端制作方法，其中包括：步骤一、提供SiC衬底，并沉积氧化物介质层，用于作为第一干法刻蚀的硬掩膜层；步骤二、在氧化物介质层上旋涂光刻胶，并形成刻蚀图形；步骤三、对氧化物介质层进行第一干法刻蚀并调控工艺参数，将刻蚀图形转移到氧化物介质层并形成第一刻蚀斜坡台面；步骤四、将第一干法刻蚀后的氧化物介质层作为第二干法刻蚀的硬掩膜层，对SiC衬底进行第二干法刻蚀并控制工艺参数，将刻蚀图形转移到SiC衬底并形成第二刻蚀斜坡台面；步骤五、进行湿法刻蚀，去除残留的氧化物介质层以及光刻胶残留层，形成用于结终端的缓坡台面。本发明能够有效缓解结边缘电场集中效应，提高器件工作的可靠性。

公开(公告)号：CN107658215A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710880833.5

申请日：2017-09-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  郭元旭 ,  白云 ,  邓小川 ,  陈宏 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  田晓丽 ,  王文 ,  刁绅 ,  徐少东

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件制作方法，其中包括：步骤一、提供N+-SiC衬底，在N+-SiC衬底上形成N--SiC外延层，在N--SiC外延层两端离子注入形成P阱；步骤二、在器件表面外延N型沟道层；步骤三、在器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在器件表面生长栅氧化层，在栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在器件的正面和反面形成源电极和漏电极。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明能够保证导电沟道深度，抑制注入工艺带来的接触界面粗糙，并且简化器件制备工艺流程。

公开(公告)号：CN107306123A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610249117.2

申请日：2016-04-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王琦 ,  罗卫军 ,  孙朋朋 ,  刘新宇

IPC: H03H11/16

CPC classification number: H03H11/16

Abstract: 本发明公开了一种数字移相器。该数字移相器包括：第一开关电路；第二开关电路；低通滤波电路，低通滤波电路的第一端与第一开关电路的第一端连接，低通滤波电路的第二端与第二开关电路的第一端连接；高通滤波电路，高通滤波电路的第一端与第一开关电路的第二端连接，高通滤波电路的第二端与第二开关电路的第二端连接，第一开关电路或第二开关电路包括：场效应晶体管，场效应晶体管为GaN基异质结晶体管，场效应晶体管中每个场效应晶体管的栅极均与自身的半导体层形成肖特基接触，场效应晶体管中每个场效应晶体管的源、漏电极均与自身的半导体层形成欧姆接触。通过本发明，解决了相关技术中移相器功率容限低的问题，达到了提高移相器功率容限的效果。

公开(公告)号：CN104409501B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410643283.1

申请日：2014-11-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 霍瑞彬 ,  申华军 ,  白云 ,  汤益丹 ,  刘新宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、N‑外延层(7)、缓冲层(8)、N+衬底(9)、漏极(10)、隔离介质(11)和额外N型注入的JFET子区域(12)。本发明提出的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，通过部分额外N型注入器件的JFET区域，降低JFET区域电阻，同时满足沟道不被耗尽，尤其可应用于短沟道碳化硅MOSFET器件中。利用本发明制备的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，可用于功率开关电源电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。

公开(公告)号：CN106684160A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611259263.X

申请日：2016-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 贾锐 ,  姜帅 ,  陶科 ,  孙恒超 ,  戴小宛 ,  金智 ,  刘新宇

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167

Abstract: 本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的绝缘介质层；复合在所述绝缘介质层上的掺杂半导体导电层；复合在所述掺杂半导体导电层上的减反射层；复合在所述基片背表面的复合层；复合在所述复合层表面的电极。本发明提出了一种前表面采用层叠隧穿钝化层的背结背接触太阳能电池，在电池的前表面采用掺杂半导体导电层和绝缘介质层的叠层结构，形成了层叠隧穿钝化层，同时提供场钝化和化学钝化的作用，避免了传统工艺中采用扩散掺杂的方法实现场钝化之后再生长钝化层实现化学钝化的工艺，简化了工艺，降低了生产成本。而且相比于传统的前表面钝化工艺，可以使前表面的复合进一步降低，从而提高电池的转换效率。

公开(公告)号：CN104465814B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201410776650.5

申请日：2014-12-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 贾锐 ,  冯泽增 ,  窦丙飞 ,  金智 ,  刘新宇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种结合氧化锌纳米结构超小绒面太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括：表面具有超小绒面的硅片；在硅片靠近纳米超小绒面结构处形成PN结；生长在超小绒面表面和间隙中的氧化锌纳米结构；在硅片具有超小绒面一侧的钝化层；在硅片具有超小绒面一侧的银浆料，以形成太阳电池的前电极；在硅片没有超小绒面一侧的铝浆料，以形成太阳电池的背电极。本发明通过结合氧化锌纳米棒能够进一步增加短波段光子吸收。另外硅基微纳结构空隙问的氧化锌填充一方面有效增加了电极接触面积，形成良好电极接触，另一方面还可以增强超小绒面电池横向载流子输运同时具有一定的钝化作用。本发明有效提高了硅基纳米结构太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN106549051A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201710037479.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 黄森 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  康玄武 ,  魏珂

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT器件栅极结构，涉及电子器件技术领域。本发明提出的GaN基HEMT器件包括凹栅槽和复合栅极结构，所述的复合栅极结构位于III族氮化物层级结构的凹栅槽中，由一层较薄的低界面态介质插入层和一层高绝缘栅介质层构成，其中高绝缘栅介质层可以是非掺或P型掺杂的高击穿电场绝缘介质，低界面态介质插入层是具备较高晶体质量的AlN，SiNx，InxGa1-xN或GaOx薄膜，用于降低高绝缘栅介质层与III族氮化物凹栅槽结构之间的界面态密度，提高HEMT电子器件的阈值和可靠性，从而推动GaN基HEMT器件在高压电力电子领域的应用。

公开(公告)号：CN103728545B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410005400.1

申请日：2014-01-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵妙 ,  刘新宇 ,  郑英奎 ,  李艳奎 ,  欧阳思华

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/02

Abstract: 本发明公开了一种GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，包括：采集待测GaN基器件在不同温度下的电流-电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同温度下的电流-电压特性曲线，获得待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线及其肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线；采集待测GaN基器件在不同频率下的电容-电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同频率下的电容-电压曲线，获得待测GaN基器件的频散关系；根据待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线、肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线以及待测GaN基器件的频散关系，对待测GaN基器件肖特基接触的可靠性进行评价。该评价方法可以对GaN基器件中肖特基的可靠性进行评价。