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公开(公告)号：CN108770175B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810521241.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种用于微波等离子体发生装置的微孔/微纳结构双耦合谐振腔，包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述微孔阵列与金属微纳结构形成双耦合结构从而实现谐振增强和可调，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率。本发明通过优化设计双耦合谐振方式，来减少引导模和泄漏模的损耗，达到在固定区域谐振最大程度增强的目的，并能提高等离子体的均匀性，保证光耦合和场空间局域增强特性的前提下，可改善吸收损耗问题，另外多个谐振腔独立控制，可以有效控制等离子体的温度。
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公开(公告)号：CN109922590A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910189810.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109893756A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910246371.0
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种自发电式电刺激理疗装置，包括：一电刺激单元，包含：中空的接触部，其上底面固定有固定部件，下底面开口，底部可贴附于待治疗皮肤；一放电针，穿过该接触部上的固定部件伸入至接触部内部，该放电针的外围带有绝缘包覆材料；以及一自发供能单元，该自发供能单元收集人体外部机械能转化为交流电能并通过一整流模块可控输出，该自发供能单元的一个电极与一参考皮肤接触，另一电极与放电针连接，非直接接触施加于待治疗皮肤。该自发电式电刺激理疗装置的实现自供能、电流较低、输出可控，没有危险性，相比传统的针刺等局部刺激手段，电刺激不直接接触皮肤，没有损伤皮肤及其内部组织的危险，整体具有环保、低能耗、高可靠性及高稳定性的优点。
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公开(公告)号：CN109818520A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910236299.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02N1/04
Abstract: 一种腔式多层膜驻极体发电机结构及其制备方法、供能系统，腔式多层膜驻极体发电机结构，包括：弹性矩形腔体，外部为一长方体结构，内部形成一空腔；压力承接板，位于该弹性矩形腔体上表面；以及驻极体多层膜结构，位于该弹性矩形腔体的空腔中并贴附于内部底面之上，与内部上壁之间存在间隙；该驻极体多层膜结构包含：电极层；高分子绝缘复合膜，包覆于电极层的外围，该高分子绝缘复合膜由内而外分别为：驻极体内芯层及静电绝缘外封层，该静电绝缘外封层与驻极体内芯层的带表面电荷面贴附。该发电机结构兼具良好的环境适应性和较高的单次能量收集效率。该发电机结构的电学输出经过整流模块和降压模块处理后进行供能，具有高稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN109768613A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910246273.7
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种能量收集系统及自供能可穿戴设备，其中能量收集系统包括：n个独立的单元结构，n为正整数，每个独立的单元结构包含：发电系统和整流系统，发电系统包含微型发电机，其用于将人体运动产生的机械能转化为电能；整流系统包含整流电路，该整流电路的交流输入端与微型发电机的输出端相连，用于将微型发电机的电能形式由交流脉冲转化为直流脉冲；其中，在n个独立的单元结构的输出电路上设有降压装置，该降压装置为一火花间隙或放电管，将发电系统与整流系统相互隔离，并调控输出电路的输出电压和电流。能够降低输出电压，增大输出电流，有效提升输出电流的脉宽，起到脉宽调制作用，保证输出电压的稳定性，更适合给器件供电或收集能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109494147A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811349424.3
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：步骤一、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述氧等离子体中的氧离子与电子的运动，在所述碳化硅衬底上生成预定厚度的氧化层，其中，碳化硅衬底电压为负时，氧离子靠近界面与碳化硅发生氧化反应，碳化硅衬底电压为正时，电子靠近界面与碳化硅发生还原反应，将碳残留去除；步骤四、停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以实现对碳化硅氧化层的实时修复，有效减小碳残留，改善界面质量，减小氧化层中的缺陷中心对载流子的散射作用。
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公开(公告)号：CN106653886B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201611251389.2
申请日：2016-12-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓表面形貌控制方法，包括如下步骤：步骤1：将待刻蚀表面形貌的砷化镓样品置于真空室中，然后向真空室内充入氧分压气体；步骤2：调节氧分压，根据氧分压将真空室升温至对应温度，使砷化镓与氧分子在高温低压工作区域结合生成气态的三氧化二砷与一氧化二镓，控制反应时间实现砷化镓表面的形貌控制。本发明所提供的砷化镓(GaAs)表面形貌控制技术，工艺非常简单，且更加环保、成本低廉。
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公开(公告)号：CN108770174A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810521198.6
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: 一种具有微孔/微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率。本发明通过优化设计双耦合谐振方式，来减少引导模和泄漏模的损耗，达到在固定区域谐振最大程度增强的目的，并能提高等离子体的均匀性，保证光耦合和场空间局域增强特性的前提下，可改善吸收损耗问题，另外多个谐振腔独立控制，可以有效控制等离子体的温度。
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公开(公告)号：CN108666206A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810521200.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02233 , H01L21/02252
Abstract: 一种基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法，包括：提供碳化硅衬底；将所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入第一含氧气体，产生的氧等离子体以第一升温速度升温到第一温度，在所述第一温度和第一压力下进行低温等离子体氧化；将氧等离子体以第二升温速度升温到第二温度，通入第二含氧气体，在所述第二温度和第二压力下进行高温等离子体氧化，直到生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，第一温度为300-400℃，第二温度为700-900℃，所述第一压力为100-200mTorr，所述第二压力为700-900mTorr，所述第一升温速度大于所述第二升温速度。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，有效改善界面质量。
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公开(公告)号：CN108615770A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810227333.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , G01R29/02 , G01R29/027 , G01R29/24
Abstract: 本申请提供了一种场效应晶体管与检波电路。该场效应晶体管包括依次叠置的背栅层、衬底层、栅介质层、半导体层以及金属电极，且金属电极有两个，两个金属电极间隔地设置在半导体层的远离栅介质层的表面上，栅介质层包括主体和分散在主体中的离子。该场效应晶体管中的栅介质层中包括一定浓度的离子，可以起到栅的作用，并且利用栅介质层/半导体层之间的界面处或栅介质层中的电荷的非平衡分布，实现器件中的电流随时间变化。由此可知，该场效应晶体管的工作发生在断电状态，功耗基本为0，可以有效地节省能源。
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