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公开(公告)号：CN103219411A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310121413.0
申请日：2013-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/055 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法，其中太阳能电池，包括：一P型硅基材料薄膜；一N+型硅纳米孔二维阵列层，其制作在P型硅基材料薄膜的上表面，该N+型硅纳米孔二维阵列层上有纳米孔；Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极，该Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极为条状，其间隔交叉地制作在N+型硅纳米孔二维阵列层的表面，并覆盖部分纳米孔；一P+型背电极接触层，其制作在P型硅基材料薄膜的下表面；一钝化层，其制作在P+型背电极接触层的表面，该钝化层形成有条形窗口区；Al金属欧姆电极，其制作在钝化层条形窗口区内；一金属颗粒层，其制作在钝化层的表面。本发明可以提高太阳能电池的光吸收和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102916048A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210408617.8
申请日：2012-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成PN结起到电学隔离的作用；在N型或P型掺杂层上制作晶体管的源区、漏区和硅纳米线，硅纳米线连接源区与漏区构成导电沟道；一绝缘介质层制作在整个硅纳米线以及源、漏区表面；一多晶硅栅条，制作在源区与漏区之间，并完全包裹硅纳米线；一漏电极，该漏电极制作在硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在多晶硅栅条上。利用本发明，能够在体硅衬底上实现无结硅纳米线晶体管。
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公开(公告)号：CN102280454B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110241106.7
申请日：2011-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/78 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内，并包裹硅鳍状结构；一漏电极，该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在栅极导电条上。
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公开(公告)号：CN101470347B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200710304255.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使用清洗液清洗SOI材料称底；在SOI称底上甩电子束胶，并进行前烘；以设计版图为掩模，进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修正，消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响导致的曝光图形大小不一致；进行显影和定影，并进行后烘，形成环形阵列结构；刻蚀SOI材料的顶层硅，形成环形空气孔状阵列结构，孔中间为硅柱，完成二维光子晶体的制作。本发明实现了纳米量级的环形结构的制作工艺，该光子晶体结构在高频段出现了禁带，实现了制备具有高频段禁带的新型光子晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201483A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110124310.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器，包括：一硅衬底；一氧化硅层，该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构，该工形台面结构制作在氧化硅层上，该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极，该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构；一保护层，该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面，在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口；一金属栅电极，该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上，并靠近N型电极的一侧；两光电流输出金属电极，该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。
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公开(公告)号：CN101997538A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091405.X
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03K19/094 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路，P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号；积分求和器由一电容C∑构成，该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号；脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出，输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。
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公开(公告)号：CN101359684B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710119835.9
申请日：2007-08-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种围栅控制结构的硅基单电子晶体管，包括：在SOI衬底上由顶层硅制作的硅源极导电台阶、硅漏极导电台阶、硅纳米电导线以及量子点接触结构，硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶左右对称的分布于绝缘层表面，并通过硅纳米电导线相连接，量子点接触结构位于硅纳米电导线上的硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶中间位置；位于硅源极导电台阶上的源极欧姆金属电极，以及位于硅漏极导电台阶上的漏极欧姆金属电极；位于硅纳米电导线上，靠近量子点接触结构且在硅源极欧姆导电台阶一侧的围栅金属电极。本发明同时公开了一种制作围栅控制结构硅基单电子晶体管的方法。利用本发明，实现了硅基单电子晶体管批量地具有稳定控制单电子输运的能力。
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公开(公告)号：CN101364594B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710120102.7
申请日：2007-08-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 韩伟华
IPC: H01L27/02 , H01L29/772 , H01L29/423 , G06N3/06
Abstract: 一种硅基单电子神经元量子电路，该电路包括：一单电子突触电路单元，由围栅型硅基单电子器件实现权值的存储，对并行输入的信号进行加权求和；一单电子阈值门限电路单元，该单电子阈值门限电路单元的输入端与单电子突触电路单元的求和节点相联，该求和节点电压触发由侧栅型硅基单电子器件构成反相器结构，实现限幅函数输出；一反馈电路单元，该反馈电路单元的输入端与单电子阈值门限电路单元的输出端相联，其输出端与单电子突触电路单元的控制栅极相联，将阈值门限电路单元的输出信号反馈回单电子突触电路单元，调节存储的权值以及求和节点电压。
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公开(公告)号：CN101359684A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200710119835.9
申请日：2007-08-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种围栅控制结构的硅基单电子晶体管，包括：在SOI衬底上由顶层硅制作的硅源极导电台阶、硅漏极导电台阶、硅纳米电导线以及量子点接触结构，硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶左右对称的分布于绝缘层表面，并通过硅纳米电导线相连接，量子点接触结构位于硅纳米电导线上的硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶中间位置；位于硅源极导电台阶上的源极欧姆金属电极，以及位于硅漏极导电台阶上的漏极欧姆金属电极；位于硅纳米电导线上，靠近量子点接触结构且在硅源极欧姆导电台阶一侧的围栅金属电极。本发明同时公开了一种制作围栅控制结构硅基单电子晶体管的方法。利用本发明，实现了硅基单电子晶体管批量地具有稳定控制单电子输运的能力。
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