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公开(公告)号：CN100541834C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710170718.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法，该方法采用湿法腐蚀剥离离子注入表面严重损伤层，腐蚀液用1‰的溴/乙醇或1‰的溴/氢溴酸，腐蚀液温度为冰水点。剥层厚度的确定是基于反偏条件下PN结的I-V曲线给出的暗电流大小或R-V曲线的形状和峰值可以反映器件表面漏电和产生-复合中心密度的大小。通过监测腐蚀过程中PN结的I-V曲线或R-V曲线的变化来确定腐蚀剥层的截止点。本发明的优点是：方法简便有效、重复件好。
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公开(公告)号：CN100541831C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710173512.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3-5×1016cm-3，硫化+SiNx钝化膜并引入退火工艺，可达到有效减小表面和侧面的复合，降低界面态密度，提高器件探测率和均匀性的目的，p型电极引出区生长有一层p-InGaAs电极过渡层，电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极与p-InGaAs接触是很好的欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能，同时采用背照射方式，入射光不会被p型电极引出层p-InGaAs吸收，有利于提高器件的响应率，背面低温淀积ZnS增透膜可以进一步提高器件的响应率和量子效率。
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公开(公告)号：CN100541830C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710171389.6
申请日：2007-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铟镓砷台面阵列探测器芯片的台面钝化膜及制备方法，其特征在于：所述的台面钝化膜是通过阳极氧化在台面列阵的上表面和侧面自生成的一层氧化物钝化膜。钝化膜的生成采用pH值为9的0.1mol/L的KOH溶液和逐步的升高电压的方式，使所形成的钝化膜具有良好的绝缘性、粘附性、优化了器件的表面特性，减小了表面和侧面的复合，进而减小暗电流，提高了探测器的量子效率、响应率和探测率。
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公开(公告)号：CN100406951C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610031014.5
申请日：2006-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于紫外探测器的大相对孔径宽波段紫外物镜，物镜采用同轴透射结构，从物方至像方按顺序依次由第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜、第五透镜、光阑、第六透镜、第七透镜、第八透镜、第九透镜构成复杂化双高斯型前透镜组；由第十透镜、第十一透镜构成像散场曲修正后透镜组。所有透镜曲面都采用标准球面。由于来自目标的信号具有较宽的波段范围，前透镜组采用多个胶合透镜，可使得物镜有大相对孔径的同时有效减小色差。本发明的优点是：没有中心遮拦的影响；简化了加工、装配的要求；所有透镜表面均为球面，降低了加工难度；可以实现较大的相对孔径、较宽的波段工作范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100401081C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610023378.9
申请日：2006-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: F25D19/006
Abstract: 一种宽温度范围的高低温循环设备中的热传导机构，该设备是用于半导体器件的可靠性测试与环境应力筛选的，该热传导机构是针对中国专利200410067891.9，名称为：宽温度范围的高低温循环设备而设计的。它包括：低温热传导机构和高温热传导机。低温热传导机构置于该设备中的液氮子缸外底部，由自上而下依次排列的两面涂有导热硅脂层的环形铟片、过渡冷头和圆形铟片组成。高温热传导机构置于该设备中的加热台上，由环形铟片通过导热硅脂层贴在加热台上构成。本发明的优点是：由于增加了热传导机构，使该高低温循环设备中的传热台的升降温速率大大提高，加快了器件的温度可靠性测试筛选速度。
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公开(公告)号：CN100359310C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200410067891.9
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种宽温度范围的高低温循环设备，系为从低温≤-173℃到室温的温度循环设备，主要用于人造卫星上的红外探测器的环境应力筛选。该设备主要由一个主系统和一个从系统以及一个PC机组成。主系统主要负责实现温度循环功能及控制，从系统为主系统的冷环境自动补充消耗掉的液氮。设备可以记录热环境温度，和温度循环次数并显示在控制面板上。另外设备能有效地避免意外情况带来的损失。本设备的最大优点是可以自动完成半导体器件的温度循环试验，工作人员只需隔几天给母缸倒入液氮即可。另外本设备的温度循环还可具有从低于-173℃到300℃极广的温度试验范围，可以用来完成此温度范围内要求的半导体器件的环境应力筛选和器件可靠性测试。
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公开(公告)号：CN1800868A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200610023378.9
申请日：2006-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: F25D19/006
Abstract: 一种宽温度范围的高低温循环设备中的热传导机构，该设备是用于半导体器件的可靠性测试与环境应力筛选的，该热传导机构是针对中国专利200410067891.9，名称为：宽温度范围的高低温循环设备而设计的。它包括：低温热传导机构和高温热传导机。低温热传导机构置于该设备中的液氮子缸外底部，由自上而下依次排列的两面涂有导热硅脂层的环形铟片、过渡冷头和圆形铟片组成。高温热传导机构置于该设备中的加热台上，由环形铟片通过导热硅脂层贴在加热台上构成。本发明的优点是：由于增加了热传导机构，使该高低温循环设备中的传热台的升降温速率大大提高，加快了器件的温度可靠性测试筛选速度。
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公开(公告)号：CN113514150B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202110514138.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种模块化的三维可调探测器拼接结构，包括探测器模块、模块基板、安装基板、冷链、柔性电缆、接插件、连接杆、调节垫片等。拼接结构中包含2个或2个以上的探测器模块，探测器模块安装在模块基板上面，底部连接杆设有高度调节垫片用于调整探测器模块阵列的平面度，安装基板上的安装孔内径略大于连接杆外径，用于调节探测器水平方向安装精度，探测器模块的电学信号通过柔性冷链引出，焦耳热通过冷链导出。该结构中每个子模块独立，替换性强，拼接时三维位置精度调节方便，扩展性强，适用于超大规模焦平面阵列探测器的拼接集成。
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公开(公告)号：CN113514150A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110514138.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种模块化的三维可调探测器拼接结构，包括探测器模块、模块基板、安装基板、冷链、柔性电缆、接插件、连接杆、调节垫片等。拼接结构中包含2个或2个以上的探测器模块，探测器模块安装在模块基板上面，底部连接杆设有高度调节垫片用于调整探测器模块阵列的平面度，安装基板上的安装孔内径略大于连接杆外径，用于调节探测器水平方向安装精度，探测器模块的电学信号通过柔性冷链引出，焦耳热通过冷链导出。该结构中每个子模块独立，替换性强，拼接时三维位置精度调节方便，扩展性强，适用于超大规模焦平面阵列探测器的拼接集成。
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