公开(公告)号：CN101840856A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010156028.6

申请日：2010-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈骁 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。涂覆的所述的腐蚀槽的制作材料是TSV晶圆。所述的TSV封装制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面首先DRIE刻蚀出腐蚀槽，腐蚀槽位置与支撑晶圆上光刻后的BCB位置相对应，然后DRIE刻蚀TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆的正面经对准后在键合机中键合，熔融BCB在延展过程中被腐蚀槽阻挡，该结构起到控制BCB的键合尺寸的作用。

公开(公告)号：CN109292728B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201811497519.X

申请日：2018-12-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 徐高卫 ,  胡正高 ,  盖蔚 ,  吴亚明

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种可拆卸封装结构及其制备方法，可拆卸封装结构包括：基板，所述基板的上表面形成有凹槽；可拆卸盖板，所述可拆卸盖板卡置于所述凹槽的内部，以在所述可拆卸盖板与所述凹槽底部之间形成密封空腔；MEMS器件结构，密封于所述密封空腔内。本发明提供的可拆卸封装结构在对MEMS器件结构提供足够的保护的前提下，结构紧凑，大大减小整体封装结构的尺寸，整个封装结构灵活多变，其可拆卸功能大大增加其封装保护范围；可拆卸封盖结构的制备方法中利用湿法腐蚀形成，且其加工尺寸具有很高的鲁棒性，工艺简单，易于实现，可以实现与IC芯片的系统级封装，可通过倒装工艺减少系统级封装的整体尺寸。

公开(公告)号：CN109461661B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201811110350.8

申请日：2018-09-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟博 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供一种滤波器封装结构及其封装方法，包括如下步骤：1)提供一高阻硅基板；2)于高阻硅基板的第一表面形成具有预设深度的凹槽，并于高阻硅基板内形成穿硅通孔；3)于穿硅通孔的内壁形成绝缘层；4)形成导电穿硅通孔结构；5)形成第一地线及第二地线，并形成第一介质层；6)形成第二介质层；并形成第三介质层；7)形成第一传输线；并形成第二传输线；8)形成第四介质层，并形成第三传输线。本发明采用高阻硅基板作为滤波器的芯片衬底，利用微带线传输结构将滤波器与衬底相连接，高阻硅基板上的导电穿硅通孔结构将引线引至高阻硅基板的背面，从而可以从垂直方向直接与封装基底相连接，与封装体内其他器件实现互联。

公开(公告)号：CN109592634B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201811495818.X

申请日：2018-12-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 徐高卫 ,  胡正高 ,  盖蔚 ,  吴亚明

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种有源基板及其制备方法，有源基板包括：基板，基板的上表面形成有凹槽；MEMS器件，位于凹槽的底部；金属互连结构，与MEMS器件电连接，且自MEMS器件沿凹槽的侧壁延伸至基板的上表面；盖板，盖板卡置于凹槽的内部，以在盖板与MEMS器件底部之间形成密封空腔；第一钝化层，位于基板的上表面上；重新布线层，位于第一钝化层上；第二钝化层，位于第一钝化层的上表面；所述第二钝化层上形成有开口，开口暴露出的部分重新布线层作为焊盘。本发明提供的有源基板中凹槽与盖板卡置咬合实现盖板的安装，省去了传统的盖板键合工艺；本发明的有源基板采用盖板将MEMS器件密封在密封空腔内，避免颗粒及湿气等对MEMS器件的影响，提高了MEMS器件的可靠性。

公开(公告)号：CN107452638B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201710686454.2

申请日：2017-08-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程功 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；3）于重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球。本发明的晶圆级封装结构的制备方法通过形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理，可以释放封装过程中产生的应力，有效降低晶圆由高温固化等带来的翘曲，在仅以提高极小的成本为代价的前提下，提高了制备过程中的精度和可操作性，进而提高了元器件的可靠性；同时，允许在封装结构中内嵌其他无源器件。

公开(公告)号：CN109346821A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811092065.8

申请日：2018-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟博 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  周杨

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q5/10 ,  H01Q5/20 ,  H01L23/66

Abstract: 本发明提供一种圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)于所述晶圆内形成穿硅通孔，并于所述穿硅通孔的内壁形成绝缘层；3)于所述穿硅通孔内填充金属层以形成导电穿硅通孔结构；4)于所述晶圆的第一表面上形成分形天线，所述分形天线的形状呈二阶皮亚诺分形曲线状；所述分形天线与所述导电穿硅通孔结构相连接；5)于所述晶圆的第二表面形成共面波导，所述共面波导与所述导电穿硅通孔结构相连接。本发明分形天线通过导电穿硅通孔结构及共面波导实现馈电，分形天线的谐振频率为24GHz和35GHz，可以同时满足射频段的信号接收和发射需求。

公开(公告)号：CN109216162A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810997049.7

申请日：2018-08-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟博 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的表面形成凹槽，然后再在凹槽内形成介质层，位于凹槽内的介质层可以间接提供一定的介质层厚度，在需要在基底表面制作无源器件时，可以直接将无源器件制作在凹槽的上方，从而可以减少介质层的涂覆工艺次数，尽可能避免介质层开裂、剥落等问题；同时，本发明的半导体结构的制备方法不会占用基底正面的面积，不会影响正面功率器件的性能，与集成电路后道封装工艺相兼容。

公开(公告)号：CN103794513B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210418831.1

申请日：2012-10-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱春生 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  宁文果

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。

公开(公告)号：CN103824787B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210465809.2

申请日：2012-11-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王双福 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  叶交托

IPC: H01L21/603

Abstract: 本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪片，可有效改善异质晶圆材料键合因热膨胀系数差异所引起的翘曲问题，并能有效提高器件的可靠性，降低后续工艺难度。

公开(公告)号：CN105679734A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610127706.3

申请日：2016-03-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑涛 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  顾杰斌

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/492 ,  H01L21/4871

Abstract: 本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；4）在第一盲孔及第二盲孔内填充金属，分别形成电感线圈及电互连结构；5）在硅基板的第一表面形成电容；6）在硅基板的第一表面形成第一重新布线层；7）将硅基板的第二表面进行减薄，直至裸露出电互连结构；8）在裸露的电互连结构表面及硅基板的第二表面形成第二重新布线层。本发明的制备方法简化了制备工艺，降低了生产成本；电感线圈嵌入在集成无源元件转接板内部，使得集成无源元件转接板更加小型化。