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公开(公告)号：CN104519661B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201310465129.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电感。本发明的电容电感复合结构中，电容下极板与电感的电镀种子层采用同一层金属，具有结构简单、可靠性高并有利于小型化的优点。本发明利用电镀金属的种子层作为电容下极板制作电容，同时形成电感，无需制造额外的金属层作为电容下极板，工艺步骤简单，采用了更少的光刻次数，有效降低了制造成本，在集成无源器件领域有很大潜力。
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公开(公告)号：CN102431963B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110419770.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。
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公开(公告)号：CN102544040B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210014615.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103794583A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210425918.1
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，可使焊球与UBM之间的结合面积更大，粘附能力更强，提高了封装可靠性。本发明不需要添加制作额外的粘附材料，只需要在UBM上制作多个凹坑，增加焊球与UBM的接触面积，以提高其粘附性能。
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公开(公告)号：CN103681719A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310697584.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构；采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上；在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点；最后进行划片形成独立的封装器件。本发明的封装方法采用两次倒装焊的技术，实现可见光器件芯片到晶圆的圆片级封装，避免了不同的可见光器件由于衬底材料、制造工艺、使用限制等因素带来的技术困难。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569032A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210012849.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形，第二电感金属沟槽图形与第一电感线图形相同，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属形成金属互连通孔及第二电感线金属层；形成第二层金属互连线及第三电感金属层，并形成最外层金属通孔；从而形成多层金属化薄膜叠加的电感元件。本发明与圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出的电感比传统圆片级集成电感金属层更厚即寄生电阻更小，从而提高了电感的品质因数。
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公开(公告)号：CN102507669A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110369062.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102431963A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110419770.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。
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公开(公告)号：CN102509718B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110419761.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种GaAs CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。
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公开(公告)号：CN103247639A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026720.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干第一通孔；然后喷涂绝缘层(8)并固化；在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。本发明整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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