-
公开(公告)号：CN105679734A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610127706.3
申请日：2016-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/492 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/492 , H01L21/4871
Abstract: 本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；4）在第一盲孔及第二盲孔内填充金属，分别形成电感线圈及电互连结构；5）在硅基板的第一表面形成电容；6）在硅基板的第一表面形成第一重新布线层；7）将硅基板的第二表面进行减薄，直至裸露出电互连结构；8）在裸露的电互连结构表面及硅基板的第二表面形成第二重新布线层。本发明的制备方法简化了制备工艺，降低了生产成本；电感线圈嵌入在集成无源元件转接板内部，使得集成无源元件转接板更加小型化。
-
公开(公告)号：CN105206542A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510551281.4
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10
Abstract: 本发明涉及一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板正面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；旋涂聚合物形成隔离层，该隔离层覆盖所述深坑结构并高出硅基板正面；在所述隔离层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一层金属图形的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一层金属图形接触以形成电感。本发明采用湿法腐蚀工艺先腐蚀出深槽结构，然后旋涂并固化有机介质层，最后在深槽结构上制作电感线圈，从而抑制硅基板损耗，提高电感Q值。
-
公开(公告)号：CN105185907A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510552093.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中填充复合磁性材料，提高电感值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105185906A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510551282.9
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中及电感正上方填充复合磁性材料，形成三明治结构(磁性材料-电感-磁性材料)提高电感值。
-
公开(公告)号：CN105140218A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510552084.4
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；接着旋涂有机保护层并固化；随后采用湿法腐蚀工艺去除电感底部剩余的硅；采用深反应离子刻蚀去掉所述有机保护层，本发明采用两步湿法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，从而抑制硅基板损耗，成倍提高电感Q值。
-
公开(公告)号：CN105679734B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610127706.3
申请日：2016-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/492 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；4）在第一盲孔及第二盲孔内填充金属，分别形成电感线圈及电互连结构；5）在硅基板的第一表面形成电容；6）在硅基板的第一表面形成第一重新布线层；7）将硅基板的第二表面进行减薄，直至裸露出电互连结构；8）在裸露的电互连结构表面及硅基板的第二表面形成第二重新布线层。本发明的制备方法简化了制备工艺，降低了生产成本；电感线圈嵌入在集成无源元件转接板内部，使得集成无源元件转接板更加小型化。
-
公开(公告)号：CN104409442A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410708808.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种深槽结构电容及其制造方法，所述制造方法包括步骤：1）提供一衬底，于所述衬底中刻蚀出深槽结构；2）于所述深槽结构内表面及衬底表面形成第一金属层，作为电容的下电极；3）于所述第一金属层表面形成介质层；4）于所述介质层表面形成金属粘附层及种子层，并于所述深槽结构中填充第二金属层，作为电容的上电极；5）依次图形化所述第二金属层、种子层、金属粘附层及介质层，完成电容的上电极及下电极的制备。本发明相比于传统方法制作的电容具有更小的寄生电阻和寄生电感，有效地提高了去耦电容的电性能，拓宽了电容去耦的频段。
-
公开(公告)号：CN105118771A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510551283.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/5222
Abstract: 本发明涉及一种高品质因数电容制造方法，该制造方法至少包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；在所述硅基板正面的掩膜层上形成下电极；在所述下电极上沉积介质层并图形化以暴露部分下电极；E.在所述介质层上形成上电极并图形化后暴露部分介质层和下电极；去除所述深坑结构底部剩余的薄硅基板。本发明用简单的工艺实现了新颖的结构以得到Q值的成倍提高。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空MIM电容以下的硅衬底，从而抑制硅基板损耗，提高电容Q值。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.096 seconds)
