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公开(公告)号：CN100521082C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710140389.X
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/458 , B23Q3/15
Abstract: 本发明提供了一种真空处理装置，其在对基板执行真空处理时，在开始使用静电卡盘前，能够诊断电介质层的绝缘状态。在吸附保持玻璃基板(G)等的喷涂型的静电卡盘(22)中，高压电源(67)向静电卡盘(22)的卡盘电极(24)施加比吸附保持玻璃基板(G)的情况低的直流电压即诊断电压，各测量器(70、71)取得各测量位置的电气特性(电压和电流)的测量数据。于是，作为诊断部的控制部(80)，将上述电气特性的测量数据分别与预先针对电气特性规定的设定数据(阈值)相比，诊断该静电卡盘(22)是否出于可以使用的状态。
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公开(公告)号：CN101110384A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710136193.3
申请日：2007-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种修补方法，能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹(100)的周围进行切削，形成锥状的凹部(51)。然后使用喷镀装置(202)喷镀绝缘物(60)，从而埋住凹部(51)。接着对埋入凹部(51)中的绝缘物(60)突出的部分进行切削，使表面平坦化，从而形成修补覆膜(61)。
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公开(公告)号：CN1320596C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03146075.5
申请日：2003-07-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 里吉务
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置，不增大电介质壁的支持部分，且不增厚电介质壁就可以抑制包含电介质壁的、分隔处理室和天线室之间的分隔结构的翘曲。该处理装置由下述构件构成：对基板施以等离子体处理的处理室，向处理室内供给处理气体的处理气体供给系统，对处理室内进行排气的排气系统，构成处理室上部壁的电介质壁，在电介质壁上方设置的高频天线，在处理室的上方设置的、由电介质壁形成底壁的、收容高频天线的天线室，把天线室分隔成多个小室的、由天线室的侧壁支持的垂直壁；电介质壁与多个小室对应分割成多片，电介质壁的各分割片由天线室的侧壁和垂直壁支持。
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公开(公告)号：CN119343011A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410920879.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。一种基板处理方法，对基板进行处理，在所述基板中，在所述基板的表面上配置有多个第一电极层以及包围所述第一电极层且相比于该第一电极层向上方突出的绝缘层，在各个所述第一电极层上形成有发光层，以覆盖所述发光层和所述绝缘层的方式形成有第二电极层，形成有覆盖所述第二电极层的临时密封膜，在所述临时密封膜上形成有掩模，该基板处理方法包括以下工序：工序(A)，使用所述掩模至少去除所述临时密封膜和第二电极层各自的位于所述绝缘层上的部分；以及工序(B)，形成覆盖所述临时密封膜和所述第二电极层各自的上表面以及通过所述工序(A)而形成的侧端面的密封膜。
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公开(公告)号：CN113782412B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110613525.2
申请日：2021-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和基板处理装置。蚀刻方法包括：工序(a)，将形成有具有第一钛膜和铝膜的层叠膜的基板配置在处理室内；工序(b)，一边追随处理室内或排气管内的压力的变化地对压力控制阀的开度进行自动控制，一边借助掩模来蚀刻第一钛膜；工序(c)，根据在工序(b)中采样得到的压力控制阀的开度的值来计算第一开度值；工序(d)，在开始蚀刻铝膜时将压力控制阀的开度设定为第一开度值，来蚀刻铝膜；工序(e)，在工序(d)中监视压力，在压力超过了阈值的情况下，利用变化量将第一开度值变更为第二开度值，蚀刻方法包括工序(f)，在该工序(f)中，在到铝膜的蚀刻结束为止的期间进行一次以上工序(e)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113936986B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110762462.7
申请日：2021-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种基板脱离方法和等离子体处理装置，抑制对基板的静电吸附力的下降。是使通过对被埋设于处理容器的内部的静电吸盘的吸附电极施加直流电压而被静电吸附的基板从所述静电吸盘脱离的方法，所述基板脱离方法包括以下工序：在被实施等离子体处理后的所述基板被静电吸附于所述静电吸盘的状态下，向所述处理容器的内部供给除电用气体，来生成该除电用气体的等离子体；一边维持所述除电用气体的等离子体，一边利用升降销使所述基板上升，来将所述基板从所述静电吸盘脱离；以及对所述吸附电极施加负的直流电压。
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公开(公告)号：CN114430013A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111234215.6
申请日：2021-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种有机电致发光面板的制造方法和有机电致发光面板，提高在显示区域具有贯通孔的有机电致发光面板的该贯通孔处的针对水分的密封性能。一种有机电致发光面板的制造方法，所述有机电致发光面板在显示区域内具有贯通孔，所述有机电致发光面板的制造方法包括以下工序：a)准备形成有电路层的基板；b)通过第一有机膜在要形成所述贯通孔的贯通孔形成区域形成侧面倾斜的堤部；c)遍及所述基板的整个面地沉积第一无机膜；d)去除覆盖所述堤部的顶部的所述第一无机膜，使所述第一有机膜露出；以及e)去除所述第一有机膜，来形成由所述第一无机膜构成的倾斜屏障部。
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公开(公告)号：CN110010440A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811572973.7
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和温度控制方法，对喷淋板和基底构件相分别地进行温度控制。基板处理装置(10)具有喷淋头(40)，所述喷淋头以与用于载置基板(S)的载置台(30)相向的方式配置在处理容器(20)内，用于喷出处理气体。喷淋头具有：喷淋板(41)，其以与载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热器(50)，并且形成有用于向处理容器内喷出处理气体的多个气孔(43)；以及基底构件(42)，其与喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有流路(60)，并且形成有用于向多个气孔供给处理气体的空间。
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公开(公告)号：CN106256923B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610425922.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、成膜方法以及基板载置台。能够形成均匀的膜，且能够仅在基板上形成膜。成膜装置具有基板载置台、对基板实施成膜处理的处理室和处理气体供给机构。基板载置台包括：其上表面成为载置基板的载置面的载置部；以包围载置部的外周的方式设置的外周环；将载置部的温度调节成能够利用处理气体进行成膜的第1温度的第1温度调节部；能够将外周环的温度调节成无法利用处理气体进行成膜的第2温度的第2温度调节部，在载置部和外周环之间，整周地设置有作为绝热部发挥功能的间隙，载置面形成得比基板小，间隙以在基板被载置到载置面时基板的超出部分整周地搭于外周环的方式形成。
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公开(公告)号：CN104178748B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410215020.0
申请日：2014-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够应对被处理基板的大型化地改善向处理室内的气体供给的均匀性，另外能够精度良好且容易制造的维护性也良好的气体供给头、气体供给机构和基板处理装置。该气体供给机构具备具有载置基板(G)的载置台(4)的基板处理装置(1)，包括气体供给头(6)、第一载置台内气体供给孔(8a)和第一气体供给线路(9a)。第一气体供给线路从第一气体供给源向下游侧去等长分支为2n根，其中，n为自然数，末端的2n根分支管的气体排出口在一直线上等间隔排列的状态下与第一载置台内气体供给孔连通，气体供给头将通过第一气体供给线路和第一载置台内气体供给孔供给的气体通过长槽状的第一气体扩散室均匀地从多个第一气体排出孔排出。
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