知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

70 records (took 0.029 seconds)

    等离子体处理装置及聚焦环
    62.
    发明公开
    等离子体处理装置及聚焦环 失效

    公开(公告)号：CN101996843A

    公开(公告)日：2011-03-30

    申请号：CN201010299872.4

    申请日：2004-01-07

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 远藤升佐 ,  桧森慎司

    IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642 ,  Y10T279/23

    Abstract: 本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。

    等离子处理装置和等离子处理方法
    63.
    发明公开
    等离子处理装置和等离子处理方法 有权

    公开(公告)号：CN101990353A

    公开(公告)日：2011-03-23

    申请号：CN201010236449.X

    申请日：2010-07-22

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 桧森慎司

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32715

    Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法。该等离子装置和等离子方法能够抑制装置制造成本的增加，并且能够对等离子处理状态进行细微控制，从而能够提高等离子处理的面内均匀性。该等离子蚀刻装置具有：下部电极，兼用作载置基板的载置台；上部电极，与下部电极相对地配置；第1高频电源，用于对下部电极或上部电极施加等离子体产生用的第1频率的高频电力；第2高频电源，用于向下部电极施加频率比第1频率低的离子牵引用的第2频率的高频电力；偏压分布控制用电极，在与下部电极绝缘的状态下，设置在该下部电极上的至少周缘部；偏压分布控制用电源，用于对偏压分布控制用电极施加频率比第2频率低的第3频率的交流电压或矩形波电压。

    等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极
    64.
    发明公开
    等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN101896033A

    公开(公告)日：2010-11-24

    申请号：CN201010129374.5

    申请日：2010-03-05

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 桧森慎司 ,  林大辅

    IPC: H05H1/46 ,  H01J37/04 ,  H01J37/30

    CPC classification number: H01J37/3255 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32577

    Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，对生成等离子体所消耗的高频的电场强度分布进行控制。等离子体蚀刻装置(10)具有：在内部对晶片(W)进行等离子体处理的处理容器(100)；上部电极(105)和下部电极(110)，在处理容器(100)的内部相互相对，且在它们之间形成处理空间；以及高频电源(150)，其与上部电极(105)和下部电极(110)中的至少一个连接，向处理容器(100)的内部输出高频电力。上部电极(105)和下部电极(110)的至少一个包括：由板状的电介质形成基材(105a)；具有开口部、且覆盖基材(105a)的导电性盖(105b)；和设置在基材(105a)与等离子体之间的金属的第一电阻体(105d)。

    等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置
    65.
    发明授权
    等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置 失效

    公开(公告)号：CN100593234C

    公开(公告)日：2010-03-03

    申请号：CN200710140387.0

    申请日：2007-08-10

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 舆石公 ,  桧森慎司 ,  松山昇一郎

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H05H1/24

    Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置，其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性，能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括：兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件；电介体层(22)，以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀；和静电卡盘，层积在电介体层(22)上，以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧，分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。

    等离子体处理装置及其使用的电极和电极制造方法
    68.
    发明公开
    等离子体处理装置及其使用的电极和电极制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101477944A

    公开(公告)日：2009-07-08

    申请号：CN200810170271.6

    申请日：2004-02-03

    Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

    Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。

    处理装置、气体放电抑制部件
    69.
    发明授权
    处理装置、气体放电抑制部件 失效

    公开(公告)号：CN1322557C

    公开(公告)日：2007-06-20

    申请号：CN02823839.7

    申请日：2002-11-27

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 桧森慎司 ,  远藤升佐 ,  永关一也 ,  窪田知也 ,  林大辅

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

    Abstract: 提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器(102)内的一对电极中的下部电极110施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装置(100)中，该等离子体装置由传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)构成，传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)使将被处理体控制为规定温度用的传热气体供给吸附保持被处理体的静电卡盘(112)和被处理体间的微小空间S内的传热气体供给部(120)相对由供给电极的高频功率所产生的电场方向倾斜。

Patent Agency Ranking