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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219422A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310117393.X
申请日：2013-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种欧姆结构CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸均匀、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的厚度为>300m，电阻率>109Ωcm。
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公开(公告)号：CN102709395A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210191009.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。
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公开(公告)号：CN101866860B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010186273.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/812 , H01L29/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。
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公开(公告)号：CN102403209A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110353371.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法。属于金刚石膜场效应晶体管器件制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备Ti-Pt-Au三层金属体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层Ti-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN101323971A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040639.7
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在氢气和丙酮的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜；再在自支撑金刚石膜上用直流磁控溅射法制备ZnO薄膜，先在Ar、O2气氛中溅射沉积ZnO缓冲层，然后进行ZnO主层的沉积。本发明制作工艺简化，成本低，有利于促进高质量ZnO薄膜器件的大规模应用。ZnO薄膜晶粒尺寸小，薄膜的晶体质量高，表面粗糙度低。
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