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公开(公告)号：CN101799628B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN1573543B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410048459.5
申请日：2004-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/165 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0047 , G03F7/016 , G03F7/027 , Y10S430/117
Abstract: 光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法，其中，具有末端活性基团的硫醇或异氰化物化合物的自组装单分子层形成于光敏金属纳米颗粒表面上，并且光敏基团引入到该末端活性基团。所述光敏金属纳米颗粒通过暴露在光下能够容易地形成具有优异导电率的导电性膜或图案，因此，可以用于以下领域：抗静电的可洗的粘性垫子或鞋子、导电性聚氨酯印刷机滚筒、电磁干扰屏蔽等。
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公开(公告)号：CN100339766C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410028338.4
申请日：2004-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/17 , C08K3/041 , C08K9/04 , C09D7/70 , C09D109/06 , C09D129/04 , G03F7/0382 , Y10S977/746 , Y10S977/753 , Y10S977/842 , Y10T428/24893 , Y10T428/24994
Abstract: 本发明公开了一种通过用可聚合的官能团，如环氧乙烷和酸酐基团对碳纳米管的表面进行改性，然后将表面改性的碳纳米管或者进行光蚀刻或者进行热固化处理来制备碳纳米管负片图案或具有互穿聚合物网络(IPN)的聚合碳纳米管复合材料的方法。通过本发明，可以很容易地在各种基材表面制备所需的碳纳米管图案，并且可以在没有其它聚合物的情况下制备硬化性能得到提高的聚合碳纳米管复合材料。
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公开(公告)号：CN1979913A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510129418.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/052 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1893141A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610087882.5
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0055 , H01L51/052
Abstract: 本发明的实施方案实例用于制造有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括基片、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物源/漏极和有机半导体层，其中金属氧化物源/漏极用含有磺酸基的形成自组装单分子层(SAM)的化合物进行表面处理。根据本发明的实施方案实例，可以将源/漏极的表面改性为更加疏水和/或可以增加构成源/漏极的金属氧化物的功函至高出构成有机半导体层的有机半导体材料的功函。根据本发明的一个或多个实施方案实例制造的有机薄膜晶体管可以显示出较高的载流子迁移率。本发明还披露了包括具有由本发明实施方案实例制成的有机薄膜晶体管的显示器件的各种器件实例。
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公开(公告)号：CN1891732A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2－30杂芳族结构的噻吩－亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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公开(公告)号：CN1891702A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610087881.0
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D487/04 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0068 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了嘧啶并嘧啶衍生物，使用嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法。本发明还提供了嘧啶并嘧啶衍生物的结构和合成实例。所述嘧啶并嘧啶衍生物可以是嘧啶并嘧啶低聚噻吩衍生物，其中具有p－型半导体特征的低聚噻吩可以结合至大体位于分子中心的具有n－型半导体特征的嘧啶并嘧啶上，由此同时表现出p－型和n－型半导体特征。当应用于制造电子器件如有机薄膜晶体管时，可以在室温或环境温度下旋涂所述嘧啶并嘧啶衍生物。使用该嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管可提供较高的电荷载流子迁移率和/或较低的关闭状态泄漏电流。
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公开(公告)号：CN1153990C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN99815419.9
申请日：1999-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/125
Abstract: 提供了一种光耦合器及其制造方法，该光耦合器具有一输入光波导(I)和N个输出光波导(O1、O2、...)，并且将从输入光波导(I)接收到的光信号分割成N个光信号。该光耦合器还包括：多个Y型接头光波导，其以m个级配置，用于在每一级中将接收到的光信号分支为两个光信号；和多个弯曲的光波导，其交替地连接到Y型接头光波导，至少一个弯曲光波导连接在第m级中Y型接头光波导和输出光波导之间，其中，当光信号的引导方向被设置为纵轴，并且输入光波导与第一级Y型接头光波导之间的接头被设置为开始点时，确定Y型接头光波导和弯曲光波导的位置和尺寸，以便使范围从开始点至每个输出光波导的N个路径中的最长路径最小，光耦合器是采用Y型接头光波导模块(J11、J12、...)连接光波导模块(B11、B21、...)制造的，从而能够设计各种Y型接头光波导结构。另外，提高了模块布局的自由度，从而使光耦合器的设计容易。
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公开(公告)号：CN1113265C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN98102842.X
申请日：1998-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/035
Abstract: 本发明提供了一种集成光学强度调制器及其制造方法。该调制器包括一具有自发极化、沿一预定方向切割的基片；一在所述基片上形成的光波导；一组具有沿自发极化相反方向的畴域的畴反向区域；以及一个形成在所述光波导上的第一电极和形成在所述基片上的光波导右边和左边的第二和第三电极，其中如果将一预定电压施加到第一电极，光波根据所述光波导中的畴反向区域的折射率和所述自发极化区域折射率的变化在畴反向区域折射和散射。
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