图像传感器像素和图像传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115706123A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210557886.4

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 提供了图像传感器像素和图像传感器,图像传感器像素包括衬底和光电转换层,衬底在其光接收表面上具有像素电极,光电转换层包括钙钛矿材料并位于像素电极上。透明电极设置在光电转换层上,并提供了电连接到像素电极并至少部分地延伸穿过衬底的垂直电极。光电转换层包括钙钛矿层、在像素电极和钙钛矿层之间延伸的第一阻挡层以及在透明电极和钙钛矿层之间延伸的第二阻挡层。钙钛矿材料可以具有ABX3、A2BX4、A3BX5、A4BX6、ABX4或An‑1BnX3n+1的材料结构,其中:n是2至6的范围内的正整数;A包括从由Na、K、Rb、Cs和Fr组成的组选择的至少一种;B包括从二价过渡金属、稀土金属、碱土金属、Ga、In、Al、Sb、Bi和Po中选择的至少一种;X包括从Cl、Br和I中选择的至少一种。

    有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1893141A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610087882.5

    申请日:2006-05-26

    CPC classification number: H01L51/105 H01L51/0055 H01L51/052

    Abstract: 本发明的实施方案实例用于制造有机薄膜晶体管,该有机薄膜晶体管包括基片、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物源/漏极和有机半导体层,其中金属氧化物源/漏极用含有磺酸基的形成自组装单分子层(SAM)的化合物进行表面处理。根据本发明的实施方案实例,可以将源/漏极的表面改性为更加疏水和/或可以增加构成源/漏极的金属氧化物的功函至高出构成有机半导体层的有机半导体材料的功函。根据本发明的一个或多个实施方案实例制造的有机薄膜晶体管可以显示出较高的载流子迁移率。本发明还披露了包括具有由本发明实施方案实例制成的有机薄膜晶体管的显示器件的各种器件实例。

Patent Agency Ranking