-
公开(公告)号：CN103456882B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310200031.7
申请日：2013-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 相变存储器件包括相变存储单元和热沉（heat sink）。相变存储单元包括：相变材料层图样；被配置为加热该相变材料层图样的、在该相变材料层图样之下的下电极；及在该相变材料层图样之上的上电极。热沉被配置为从相变存储单元吸收热量。热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。
-
公开(公告)号：CN1577605A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410068445.X
申请日：2004-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/12
CPC classification number: G11C16/0425
Abstract: 一种集成电路存储器件包括编程存储单元和可编程和可擦除存储单元。该存储器件包括第一存储阵列块，其中布置了编程的存储单元，和第二存储阵列块，其中布置了可编程和可擦除存储单元。第一存储阵列块中的编程存储单元在半导体制造工艺期间以预定数据进行编程，并可以是掩模只读存储(ROM)单元。第二存储阵列块中的可编程和可擦除存储单元在半导体制造工艺之后以预定数据进行编程和擦除，并可以是电可擦除和可编程只读存储(EEPROM)单元或闪速存储单元。
-
-
公开(公告)号：CN108987423B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810567852.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 公开了一种显示装置。所述显示装置可以包括发光元件阵列、晶体管阵列和颜色控制部件单片式地设置在一个基板上的单片器件。所述显示装置可以包括包含发光元件阵列的第一分层结构、包含晶体管阵列的第二分层结构、和包含颜色控制部件的第三分层结构，其中第二分层结构位于第一分层结构和第三分层结构之间。发光元件阵列可以包括包含无机材料的多个发光元件。多个发光元件可以具有竖直纳米结构。
-
公开(公告)号：CN109216421A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810724274.3
申请日：2018-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3234 , G06F3/0416 , G06K9/0004 , G06K9/00228 , G06K9/00604 , H01L27/307 , H01L27/3211 , H01L27/3213 , H01L27/323 , H01L27/3225
Abstract: 公开了一种OLED面板，其嵌入有用于实现生物识别而不影响OLED发射器的开口率的近红外有机光电传感器。该OLED面板包括基板、设置在基板上并发射可见光的OLED堆叠、以及设置在基板与OLED堆叠之间并包括NIR检测器和发射NIR光的NIR发射器的NIR光电传感器堆叠。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1637925A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410081781.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 诸如存储卡的半导体器件卡例如包括半导体器件、工作电压指示器和工作电压产生器。工作电压指示器被设置来指示对应于半导体器件的工作电压的期望电平。工作电压产生器产生具有所述期望电平的工作电压并且被耦接到半导体器件。因此，半导体器件卡能够容易地被适配来接纳半导体器件的不同工作电压。
-
公开(公告)号：CN108987423A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810567852.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 公开了一种显示装置。所述显示装置可以包括发光元件阵列、晶体管阵列和颜色控制部件单片式地设置在一个基板上的单片器件。所述显示装置可以包括包含发光元件阵列的第一分层结构、包含晶体管阵列的第二分层结构、和包含颜色控制部件的第三分层结构，其中第二分层结构位于第一分层结构和第三分层结构之间。发光元件阵列可以包括包含无机材料的多个发光元件。多个发光元件可以具有竖直纳米结构。
-
公开(公告)号：CN103456882A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310200031.7
申请日：2013-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 相变存储器件包括相变存储单元和热沉（heat sink）。相变存储单元包括：相变材料层图样；被配置为加热该相变材料层图样的、在该相变材料层图样之下的下电极；及在该相变材料层图样之上的上电极。热沉被配置为从相变存储单元吸收热量。热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。
-
公开(公告)号：CN1577605B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200410068445.X
申请日：2004-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/12
CPC classification number: G11C16/0425
Abstract: 一种集成电路存储器件包括编程存储单元和可编程和可擦除存储单元。该存储器件包括第一存储阵列块，其中布置了编程的存储单元，和第二存储阵列块，其中布置了可编程和可擦除存储单元。第一存储阵列块中的编程存储单元在半导体制造工艺期间以预定数据进行编程，并可以是掩模只读存储(ROM)单元。第二存储阵列块中的可编程和可擦除存储单元在半导体制造工艺之后以预定数据进行编程和擦除，并可以是电可擦除和可编程只读存储(EEPROM)单元或闪速存储单元。
-
公开(公告)号：CN1637925B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200410081781.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 诸如存储卡的半导体器件卡例如包括半导体器件、工作电压指示器和工作电压产生器。工作电压指示器被设置来指示对应于半导体器件的工作电压的期望电平。工作电压产生器产生具有所述期望电平的工作电压并且被耦接到半导体器件。因此，半导体器件卡能够容易地被适配来接纳半导体器件的不同工作电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.049 seconds)
