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公开(公告)号：CN1124505C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN98124454.8
申请日：1998-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/125 , G02B2006/1215
Abstract: 一种采用光束分离器和光束扩展器的光功率分配器和制造方法。该光功率分配器包括一个具有输入端口的输入光波导，一组具有至少两个输出端口的输出光波导，其中输出光波导的数目等于输出端口的数目，以及一个光束扩展器，该光束扩展器是由折射率高于输入和输出光波导外覆盖的材料构成，用预定比例分离该光到输出光波导。因此，该光功率分配器的长度变得较短并且插入损耗能够降低。不同的光功率分配器，可提供不同的分离比。
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公开(公告)号：CN117594618A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310960234.X
申请日：2023-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 提供了一种包括图案化抗反射层的图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。该图像传感器包括：传感器衬底，包括多个第一像素和多个第二像素，该多个第一像素感测具有第一波长的光，该多个第二像素感测具有不同于第一波长的第二波长的光；纳米光子透镜阵列，包括多个纳米结构，该多个纳米结构被配置为将入射光会聚到多个第一像素和多个第二像素上；以及抗反射层，设置在纳米光子透镜阵列的光入射表面上，并且包括周期性地且二维地布置的多个孔，其中，该多个孔包括沿着彼此相邻的第一像素和第二像素之间的边界布置的多个第一孔、以及设置为面向第一像素或第二像素的内部区域的多个第二孔。
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公开(公告)号：CN101799628B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN1573543B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410048459.5
申请日：2004-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/165 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0047 , G03F7/016 , G03F7/027 , Y10S430/117
Abstract: 光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法，其中，具有末端活性基团的硫醇或异氰化物化合物的自组装单分子层形成于光敏金属纳米颗粒表面上，并且光敏基团引入到该末端活性基团。所述光敏金属纳米颗粒通过暴露在光下能够容易地形成具有优异导电率的导电性膜或图案，因此，可以用于以下领域：抗静电的可洗的粘性垫子或鞋子、导电性聚氨酯印刷机滚筒、电磁干扰屏蔽等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100339766C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410028338.4
申请日：2004-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/17 , C08K3/041 , C08K9/04 , C09D7/70 , C09D109/06 , C09D129/04 , G03F7/0382 , Y10S977/746 , Y10S977/753 , Y10S977/842 , Y10T428/24893 , Y10T428/24994
Abstract: 本发明公开了一种通过用可聚合的官能团，如环氧乙烷和酸酐基团对碳纳米管的表面进行改性，然后将表面改性的碳纳米管或者进行光蚀刻或者进行热固化处理来制备碳纳米管负片图案或具有互穿聚合物网络(IPN)的聚合碳纳米管复合材料的方法。通过本发明，可以很容易地在各种基材表面制备所需的碳纳米管图案，并且可以在没有其它聚合物的情况下制备硬化性能得到提高的聚合碳纳米管复合材料。
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公开(公告)号：CN1979913A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510129418.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/052 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1893141A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610087882.5
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0055 , H01L51/052
Abstract: 本发明的实施方案实例用于制造有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括基片、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物源/漏极和有机半导体层，其中金属氧化物源/漏极用含有磺酸基的形成自组装单分子层(SAM)的化合物进行表面处理。根据本发明的实施方案实例，可以将源/漏极的表面改性为更加疏水和/或可以增加构成源/漏极的金属氧化物的功函至高出构成有机半导体层的有机半导体材料的功函。根据本发明的一个或多个实施方案实例制造的有机薄膜晶体管可以显示出较高的载流子迁移率。本发明还披露了包括具有由本发明实施方案实例制成的有机薄膜晶体管的显示器件的各种器件实例。
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公开(公告)号：CN1891732A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2－30杂芳族结构的噻吩－亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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公开(公告)号：CN1891702A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610087881.0
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D487/04 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0068 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了嘧啶并嘧啶衍生物，使用嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法。本发明还提供了嘧啶并嘧啶衍生物的结构和合成实例。所述嘧啶并嘧啶衍生物可以是嘧啶并嘧啶低聚噻吩衍生物，其中具有p－型半导体特征的低聚噻吩可以结合至大体位于分子中心的具有n－型半导体特征的嘧啶并嘧啶上，由此同时表现出p－型和n－型半导体特征。当应用于制造电子器件如有机薄膜晶体管时，可以在室温或环境温度下旋涂所述嘧啶并嘧啶衍生物。使用该嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管可提供较高的电荷载流子迁移率和/或较低的关闭状态泄漏电流。
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