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公开(公告)号：CN101013669A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610008945.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/56
CPC classification number: C23C16/305 , C23C16/56 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 本发明涉及制备薄膜的方法。一种实施例方法包括通过使包含锗(Ge)的第一前体、包含锑(Sb)的第二前体和包含碲(Te)的第三前体在反应室中发生化学反应，在衬底表面上形成GeSbTe薄膜，及用氢等离子体处理该GeSbTe薄膜的表面。另一种实施例方法包括将至少一种前体注入到反应室中，及利用化学气相沉积法，将所述至少一种前体沉积在反应室内的衬底上，以便形成薄膜。
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公开(公告)号：CN101009217A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610153176.6
申请日：2002-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/822
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/3141 , H01L21/321 , H01L27/0629 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 本发明涉及一种制造电容器的方法。该方法包括：在铂族金属下部电极的表面吸附CO；将下部电极放置在还原气氛中，以产生晶格氧；利用晶格氧，通过利用薄介电层前体实施原子层沉积工艺，形成薄介电层；以及在薄介电层上形成铂族金属上部电极。
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公开(公告)号：CN1937180A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610100110.0
申请日：2006-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/401 , C23C16/45525 , C23C16/45529 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/32055 , H01L29/66825 , H01L29/66833
Abstract: 提供了一种用在非易失性存储器件中的富硅氧化物(SRO)的制造方法以及使用该SRO的半导体器件。所述制造SRO的方法包括如下步骤：向所述衬底上吸收不含氧的第一硅源气体并通过含氧反应气体和所述第一硅源气体之间的氧化反应形成SiO2层；以及通过不含氧的第二硅源气体和对应于所述第二硅源气体的反应气体之间的还原反应形成Si层。所述制造方法方便了SRO中O浓度的调节并提供了出色的台阶覆盖，于是允许制造高质量的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1234907C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03103568.X
申请日：2003-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/30
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法，其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属-有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室；以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧残基的醇蒸汽作为反应气用于薄膜沉积，基底或沉积层的直接氧化被沉积过程中的反应气抑制。并且，因为薄膜通过热分解作用沉积(所述热分解是由醇蒸汽和前体之间的化学反应而引起的)，沉积速率很快。特别是当使用带有β-二酮配体的金属-有机化合物作为前体时，沉积速率也很快。此外，因为使用化学蒸汽沉积或原子层沉积方法使得薄膜以超微结构生长，因此得到的薄膜漏电流低。
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公开(公告)号：CN1574365A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410034356.3
申请日：2004-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/75 , H01L28/91
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明，叠层型电容器包括一下电极、一形成在下电极上的介电层以及一形成在介电层上的上电极。下电极包括一圆柱形第一金属层和一填充在第一金属层内的第二金属层。在该电容器中，下电极中含氧量降低，抑制了对TiN的氧化。因而，可形成稳定的叠层型电容器，其可极大地改善高集成度DRAM的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1441496A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02147162.2
申请日：2002-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/3141 , H01L21/321 , H01L27/0629 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN1384221A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02121850.1
申请日：2002-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45542
Abstract: 本发明提供一种包括多种组分的薄膜及形成该薄膜的方法。基底装入反应室中。单位材料层形成在基底上。该单位材料层为镶嵌的原子层(MAL),由两种含有构成薄膜组分的前导粒子组成。清洗反应室的内部。通过化学方法改变MAL。
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公开(公告)号：CN107869873A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710878870.2
申请日：2017-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F25D23/126 , F25D23/02 , F25D23/028 , F25D2323/122 , F25D2331/806 , F25D11/02
Abstract: 一种冰箱，包括具有储藏室的主体，打开或关闭所述储藏室的门、以及分配器、所述分配器设置在所述门上，并且配置为将水供应到所述主体的外部，其中所述门包括门板和门帽，所述门帽联接到所述门板的下端部分，并且具有水收集部件，以收集所述分配器的残留水。
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