公开(公告)号：CN104247000A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201180076126.1

申请日：2011-12-28

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J·布格拉夫

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: B32B38/18 ,  B32B37/187 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68771 ,  Y10T156/1092 ,  Y10T156/1744

Abstract: 本发明涉及一种用于粘合第一衬底(2)与第二衬底(2’)的装置，其具有下述特征：用于容纳载体衬底(1)的容器，用于将多个第一衬底(2)放置在载体衬底(1)的背向容器的衬底侧(1s)上的放置装置和用于将每个第一衬底(2)通过衬底侧(1s)固定在每个第一衬底(2)的至少一个固定段(2a)上的固定装置。本发明此外还涉及用于粘合第一衬底(2)与第二衬底(2’)的方法，其具有下述步骤，尤其是下述流程：将多个第一衬底(2)放置在在容器上容纳的载体衬底(1)的衬底侧(1s)上和将每个第一衬底(2)在衬底侧(1s)上固定在每个第一衬底(2)的至少一个固定段(2a)上。

公开(公告)号：CN104170072A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280071543.1

申请日：2012-03-19

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J.布格拉夫 ,  P-O.杭魏尔 ,  C.佩劳

IPC: H01L21/67 ,  B23K20/02

CPC classification number: H01L21/67121 ,  B23K20/023 ,  B23K20/22 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明涉及一种压力传递板，用于尤其是在热压接合时将接合压力从压力施加设备压力传递到晶片上，具有：第一压力侧，其用于接触压力施加设备；背向第一压力侧的第二压力侧，所述第二压力侧具有用于对晶片进行接触和压力施加的有效接触面，其中至少有效接触面具有相对于晶片的小附着能力。本发明还涉及一种将压力传递板在接合时的应用。

公开(公告)号：CN104081153A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201180074862.3

申请日：2011-11-14

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T·瓦根莱特纳

IPC: G01B11/16 ,  H01L21/66

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G01B11/14 ,  G01B11/16 ,  G01B11/24 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及一种设备和一种方法，用于确定衬底(16)的平行于它的衬底表面(16o)的形状变化，具有下列特征：-至少一个检测装置(2)，用于检测在衬底表面(16o)上设置的结构(14、15、20)的图像，-由至少两个光学装置(4、7、21)组成的光学系统，具有至少两条不同的用于在检测装置上成像结构(14、15、20)的光路(10、11、12、13、26、27)，其中通过所述设备可确定结构(14、15、20)的图像(14’、15’、20’)的距离(dx1、dy1、dx2、dy2、dxn、dyn)和/或所述距离(dx1、dy1、dx2、dy2、dxn、dyn)的变化。

公开(公告)号：CN103843126A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201180072829.7

申请日：2011-08-12

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： W.索尔纳 ,  D.布格施塔勒

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B25B11/005 ,  B25B11/007 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/49998 ,  Y10T29/53191 ,  Y10T29/53265 ,  Y10T279/11

Abstract: 本发明涉及一种用于在基质(10)的具有结构(11)的结构侧(10s)处容纳和固定基质(10)的容纳装置，它带有容纳元件(3)，其带有用于支撑结构(11)的平的容纳面(30)和仅在外部的环形面(8)中穿过容纳面(30)的用于引起抽吸基质(10)的流体流动的抽吸面(F2)。

公开(公告)号：CN103561944A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201180071430.7

申请日：2011-06-06

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： B.雷布汉 ,  M.温普林格 ,  J.布格拉夫

IPC: B30B15/06 ,  G01L5/00

CPC classification number: G01L1/24 ,  B30B15/062 ,  G01L5/008 ,  G01L5/0085 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及一种用于确定用于将第一基质与第二基质结合的压力分布的装置和方法，其带有以下步骤、尤其带有以下过程：将测量层(7,7',7'')引入用于容纳第一基质的第一工具和与第一工具(1)对齐的且相对而置的用于结合基质的第二工具(5)之间；-通过工具(1,5)的靠近使测量层(7,7',7'')变形；测量测量层(7,7',7'')的变形且计算压力分布。

公开(公告)号：CN103531438A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310387123.0

申请日：2011-10-05

Applicant: EV集团有限责任公司

Inventor： P.林德纳 ,  P-O.杭维尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: B65G47/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  Y10T156/10

Abstract: 用于处理衬底或衬底对的装置。本发明涉及用于处理衬底、尤其晶片（15）的一种装置，该装置具有至少一个预处理模块（9）、至少一个后处理模块（11）以及至少一个主处理模块（10），其中该预处理模块（9）和该后处理模块（11）作为该主处理模块（10）的闸是可开关的。

公开(公告)号：CN103283000A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201080070797.2

申请日：2010-12-20

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格 ,  T.瓦根莱特纳 ,  A.菲尔伯特

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/683 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：保持面（1o），用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和-补偿装置（3，4，5，6），用于对晶片的局部和/或全局变形进行主动的、尤其是局部可控制的、至少部分的补偿。本发明还涉及用于使用前述容纳装置将第一晶片与第二晶片对齐的装置和方法。

公开(公告)号：CN103221813A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201080070098.8

申请日：2010-11-12

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格

IPC: G01N29/04 ,  G01N29/265 ,  G01N29/27 ,  G01N29/275 ,  G01B7/06 ,  G01B15/02 ,  G01B17/02 ,  G01B21/08 ,  G01N21/95 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  G01B7/06 ,  G01B11/0625 ,  G01B17/02 ,  G01B17/025 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9505 ,  G01N29/043 ,  G01N29/265 ,  G01N29/27 ,  G01N29/275 ,  G01N2291/0231 ,  G01N2291/02854 ,  G01N2291/0289 ,  G01N2291/044 ,  G01N2291/2697 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及用于在分布于晶片堆叠上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置以及方法，以及相对应的晶片处理设备。

公开(公告)号：CN103189172A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201080068377.0

申请日：2010-10-26

Applicant: EV集团有限责任公司

Inventor： M.卡斯特 ,  M.温普林格

IPC: B29C33/20 ,  B29D11/00

CPC classification number: B29D11/00365 ,  B29C33/20 ,  B29C43/021 ,  B29C43/58 ,  B29C2043/5833 ,  B29D11/00278 ,  B29D11/005 ,  B29D11/00951

Abstract: 本发明涉及一种用于制造、尤其是冲压具有多个微型透镜（24）的透镜晶片（25）的方法和设备，以及透镜晶片和用所述透镜晶片制成的微型透镜。

公开(公告)号：CN102812546A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201080065914.6

申请日：2010-03-31

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J.布格拉夫 ,  M.温普林格 ,  H.韦斯鲍尔

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：处理该产品晶片的第一面（3）；通过该产品晶片的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片与第一中间层（18）相接合，该第一中间层由至少施加在边缘侧的第一附着层（6）构成；处理该产品晶片的与第一面相对置的第二面；通过该产品晶片的第二面在硬性的第二载体晶片（13）上将该产品晶片与第二中间层（17）相接合，该第二中间层由至少施加在边缘侧的第二附着层（14）构成；其中，将第一中间层和第二中间层构造为不同的，使得能够选择性地使第一载体晶片（8）在第二载体晶片（13）之前与产品晶片分离。