公开(公告)号：CN102812546A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201080065914.6

申请日：2010-03-31

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J.布格拉夫 ,  M.温普林格 ,  H.韦斯鲍尔

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：处理该产品晶片的第一面（3）；通过该产品晶片的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片与第一中间层（18）相接合，该第一中间层由至少施加在边缘侧的第一附着层（6）构成；处理该产品晶片的与第一面相对置的第二面；通过该产品晶片的第二面在硬性的第二载体晶片（13）上将该产品晶片与第二中间层（17）相接合，该第二中间层由至少施加在边缘侧的第二附着层（14）构成；其中，将第一中间层和第二中间层构造为不同的，使得能够选择性地使第一载体晶片（8）在第二载体晶片（13）之前与产品晶片分离。

公开(公告)号：CN102812546B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080065914.6

申请日：2010-03-31

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J.布格拉夫 ,  M.温普林格 ,  H.韦斯鲍尔

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：处理该产品晶片的第一面（3）；通过该产品晶片的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片与第一中间层（18）相接合，该第一中间层由至少施加在边缘侧的第一附着层（6）构成；处理该产品晶片的与第一面相对置的第二面；通过该产品晶片的第二面在硬性的第二载体晶片（13）上将该产品晶片与第二中间层（17）相接合，该第二中间层由至少施加在边缘侧的第二附着层（14）构成；其中，将第一中间层和第二中间层构造为不同的，使得能够选择性地使第一载体晶片（8）在第二载体晶片（13）之前与产品晶片分离。

公开(公告)号：CN102725838B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201080063106.6

申请日：2010-11-23

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J.布格拉夫 ,  H.韦斯鲍尔 ,  M.温普林格

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明涉及一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，在所述研磨和/或背面磨薄之后，利用用于减小产品晶片的固有应力、尤其是结构上的固有应力的装置来对所述平坦侧进行表面处理。

公开(公告)号：CN102725838A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080063106.6

申请日：2010-11-23

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J.布格拉夫 ,  H.韦斯鲍尔 ,  M.温普林格

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明涉及一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：－将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，－在所述研磨和/或背面磨薄之后，利用用于减小产品晶片的固有应力、尤其是结构上的固有应力的装置来对所述平坦侧进行表面处理。