一种雾状产品中VOC测定的前处理装置及前处理方法

    公开(公告)号:CN109406231A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811546094.7

    申请日:2018-12-18

    Inventor: 李支薇

    Abstract: 本发明提供了一种雾状产品中VOC测定的前处理装置及前处理方法,包括连接器、固定支架、真空泵、气体罐、采样袋、吸附管和连接于各器件之间的导管,样品罐固定在固定支架上,连接器的一端与样品罐的喷头连接,另一端通过第一导管与采样袋连接,第一导管上设有第一流量计,气体罐通过第二导管与采样袋连接,第二导管上设有第二流量计,真空泵通过第三导管与采样袋连接,第一吸附管的一端通过第四导管与采样袋连接,另一端与第一采样泵连接,第二吸附管的一端通过第五导管与采样袋连接,另一端与第二采样泵连接,每条导管上均设有阀门。采用本发明,能够解决现有技术中很难满足对于雾状产品中VOC进行精确取样、高效制样、准确分析的问题。

    一种半导体发光器件的脉冲老化方法及装置

    公开(公告)号:CN119471289A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411952282.5

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本申请公开了一种半导体发光器件的脉冲老化方法及装置。本申请应用于脉冲老化系统的上位机,通过上位机向各频率电路发送第一脉冲调节参数,以使得对应频率电路生成第一频率的第一脉冲信号;向各脉冲电路发送第二脉冲调节参数,以使得对应脉冲电路调节第一脉冲信号的脉宽,生成第二脉冲信号;其中,第二脉冲信号用于控制所述第一开关器件开关以生成第三脉冲信号,并通过第三脉冲信号搭建对应待测器件的老化环境;向电流读取电路发送若干电平信号,通过若干电平信号切换待测器件与电流读取电路中第一脉冲电流采集表连接关系,以获取各待测器件在所述老化环境的电压值。通过本申请,可以提高半导体发光器件老化试验方法的泛用性,降低老化试验成本。

    重复雪崩耐量测试系统
    66.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112763880B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202011541449.0

    申请日:2020-12-23

    Abstract: 本申请涉及一种重复雪崩耐量测试系统,在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时,能够获取重复雪崩耐量测试的相关设定参数以及测试环境参数进行分析,得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析,根据比较分析结果判断设定参数是否合理,也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息,最终在接收到开始测试信息时控制脉冲发生装置产生连续脉冲,实现重复雪崩耐量测试。通过上述方案,可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置,从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求,进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

    一种利用电子显微分析技术进行封装芯片失效分析方法

    公开(公告)号:CN117740837A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311768992.8

    申请日:2023-12-20

    Inventor: 刘辰 陈振 张翠媛

    Abstract: 本发明属于半导体芯片技术领域,公开了一种利用电子显微分析技术进行封装芯片失效分析方法。本方法包括:进行无损失效分析,排查封装因素;进行电性失效分析,依次包括电性检测和热点定位技术检测,根据电性检测结果确定热点定位技术采用的参数,精确定位失效点区域;进行物性失效分析,依次包括离子束局部去层得到失效点所在金属层、FIB平面提取失效点得到原位铜网载体上的平面样品、平面转截面制样得到透射样品;对透射样品进行TEM纳米级超高分辨解析。本发明的失效分析方法最终结果分辨率可达纳米级,突破了当前针对先进封装芯片失效分析时存在的技术分辨率低、无法探测到die‑level的微纳米级缺陷点这一技术瓶颈问题。

    一种无线充电线圈电磁与传热的仿真方法

    公开(公告)号:CN117709110A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311747103.X

    申请日:2023-12-18

    Inventor: 张磊 吴伟 蒙科

    Abstract: 本发明涉及无线充电线圈仿真技术领域,更具体地,涉及一种无线充电线圈电磁与传热的仿真方法,其包括以下步骤:对线圈进行三维建模;将三维模型导入仿真软件;根据当前温度计算热膨胀系数、恒压热容、表面发射率、材料密度和电导率,然后计算电流密度;根据电流密度计算电磁热,然后将电磁热作为当前温度重新计算热膨胀系数、恒压热容、表面发射率、材料密度和电导率,并且重新计算电流密度;然后对温度和电流密度进行多次迭代计算,以最后一次计算得到的电流密度和电磁热作为最终的数据结果。本发明克服了现有技术中未考虑温度对材料属性的影响,导致仿真结果不准确的不足,通过将磁场与温度的相互影响纳入仿真计算,可使仿真结果更加准确。

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