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公开(公告)号：CN119471289A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411952282.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 广州广电计量检测(上海)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种半导体发光器件的脉冲老化方法及装置。本申请应用于脉冲老化系统的上位机，通过上位机向各频率电路发送第一脉冲调节参数，以使得对应频率电路生成第一频率的第一脉冲信号；向各脉冲电路发送第二脉冲调节参数，以使得对应脉冲电路调节第一脉冲信号的脉宽，生成第二脉冲信号；其中，第二脉冲信号用于控制所述第一开关器件开关以生成第三脉冲信号，并通过第三脉冲信号搭建对应待测器件的老化环境；向电流读取电路发送若干电平信号，通过若干电平信号切换待测器件与电流读取电路中第一脉冲电流采集表连接关系，以获取各待测器件在所述老化环境的电压值。通过本申请，可以提高半导体发光器件老化试验方法的泛用性，降低老化试验成本。
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