公开(公告)号：CN117740837A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311768992.8

申请日：2023-12-20

Applicant: 广州广电计量检测(上海)有限公司

Inventor： 刘辰 ,  陈振 ,  张翠媛

IPC: G01N23/04 ,  G01N23/20 ,  G01N23/20008 ,  G01N21/95 ,  G01N29/04 ,  G01N23/22 ,  G01N23/2206 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/2251

Abstract: 本发明属于半导体芯片技术领域，公开了一种利用电子显微分析技术进行封装芯片失效分析方法。本方法包括：进行无损失效分析，排查封装因素；进行电性失效分析，依次包括电性检测和热点定位技术检测，根据电性检测结果确定热点定位技术采用的参数，精确定位失效点区域；进行物性失效分析，依次包括离子束局部去层得到失效点所在金属层、FIB平面提取失效点得到原位铜网载体上的平面样品、平面转截面制样得到透射样品；对透射样品进行TEM纳米级超高分辨解析。本发明的失效分析方法最终结果分辨率可达纳米级，突破了当前针对先进封装芯片失效分析时存在的技术分辨率低、无法探测到die‑level的微纳米级缺陷点这一技术瓶颈问题。