公开(公告)号：CN115993514A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211491759.5

申请日：2022-11-25

Applicant: 广电计量检测集团股份有限公司 ,  广电计量检测(深圳)有限公司 ,  广州广电计量检测(上海)有限公司

Inventor： 江雪晨 ,  明志茂 ,  陆裕东 ,  毛景雄 ,  李汝冠 ,  岳龙 ,  杨晓玲

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种SiC Mosfet阈值电压监测系统及方法，属于SiC Mosfet阈值电压监测技术领域。本发明中控制器与驱动模块和开关模块分别连接；驱动模块与开关模块连接；开关模块与测试回路连接；测试回路与阈值电压采集模块连接；控制器控制驱动模块，通过驱动模块使开关模块动作，开关模块的动作使测试回路在测试脉冲预处理电路与阈值电压检测电路间进行切换。本发明考虑了恢复效应，在测试脉冲前施加预处理脉冲，使得测量的阈值电压更准确，实现了测试脉冲预处理电路及阈值电压测试回路间的快速切换，由控制器控制脉冲宽度和上电间隔时间，精度可控，满足测试要求。

公开(公告)号：CN115752779A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211491727.5

申请日：2022-11-25

Applicant: 广州广电计量检测股份有限公司 ,  广电计量检测(深圳)有限公司 ,  广州广电计量检测(上海)有限公司

Inventor： 江雪晨 ,  明志茂 ,  杨静 ,  陆裕东 ,  李汝冠 ,  岳龙 ,  李博然

IPC: G01K7/01

Abstract: 本发明提供了一种在线监测结温的方法及电路，属于Mosfet的HTRB试验技术领域。包括高压偏置阻断电路和监测回路；通过多个开关闭合，控制高压偏置阻断电路和监测回路分别导通；高压偏置阻断电路导通时，切断待测Mosfet上的高压偏置后在百微秒以内导通监测回路，引入测试电流，进行结温监测。本发明填补了市场上HTRB试验中结温在线测试技术的空白；保证了结温提取的准确性；可以实现在高压偏置切除1ms内，安全监测样品结温，确保测试结温的时效性，将器件的高压偏置隔离掉，只探测测试电流流过器件时的数百毫伏压降，确保了结温提取的准确性。

公开(公告)号：CN112763880A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011541449.0

申请日：2020-12-23

Applicant: 广州广电计量检测(上海)有限公司

Inventor： 明志茂 ,  江雪晨 ,  陆裕东 ,  李汝冠 ,  岳龙 ,  赵可沦

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种重复雪崩耐量测试系统，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取重复雪崩耐量测试的相关设定参数以及测试环境参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息，最终在接收到开始测试信息时控制脉冲发生装置产生连续脉冲，实现重复雪崩耐量测试。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

公开(公告)号：CN112763880B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202011541449.0

申请日：2020-12-23

Applicant: 广州广电计量检测(上海)有限公司

Inventor： 明志茂 ,  江雪晨 ,  陆裕东 ,  李汝冠 ,  岳龙 ,  赵可沦

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种重复雪崩耐量测试系统，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取重复雪崩耐量测试的相关设定参数以及测试环境参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息，最终在接收到开始测试信息时控制脉冲发生装置产生连续脉冲，实现重复雪崩耐量测试。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

公开(公告)号：CN118275841A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211708528.5

申请日：2022-12-29

Applicant: 广电计量检测(成都)有限公司 ,  广电计量检测集团股份有限公司 ,  广州广电计量检测(上海)有限公司

Inventor： 江雪晨 ,  明志茂 ,  杨静 ,  陆裕东 ,  毛景雄 ,  岳龙

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率器件的动态反偏测试方法及测试电路。本发明采用半桥的拓扑形式实现主动及被动模式下动态反偏，使负载电流为0，这种结构既能满足试验条件，又降低了能耗。动态反偏试验中，被测样品工作在高速开关模式下，甚者频率高达100kHz，在如此高频下，采集矩形波形，即使是高带宽的运放模块也是无法满足需求，针对此问题，本发明提出一种按一定间隔时间监测静态漏电流来反映样品的老化情况的方法，克服了上述缺陷。本发明填补市场上动态反偏测试技术的空白，使动态反偏试验能真正市场化。