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公开(公告)号：CN112653327A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011548149.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明请求保护一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵，包括电荷泵偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明电荷泵偏置电路的PMOS管M9采用二极管连接及PMOS管M8栅极与电荷泵输出端相连，在放电状态弥补电荷泵输出电压较低时放电电流较小的问题，增加电荷泵输出端电压动态范围；电荷泵核心电路中误差放大器op1采用单位增益连接，在充/放电转换瞬间能抑制电荷共享效应；PMOS管M17、PMOS管M10分别与误差放大器op2构成反馈补偿电路，充电状态电荷泵输出端电压逐渐上升使得PMOS管M17及PMOS管M10栅极电压降低，充电电流增加，进而增大电荷泵输出端电压动态范围，从而实现一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵。
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公开(公告)号：CN111245233A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010104241.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于降压型开关电源的自适应关断时间产生电路，包括正比输入电压的电流产生电路及自适应关断时间产生核心电路。正比输入电压的电流产生电路采用PMOS管M5与电阻R2串联采样输入电压Vin，放大器A1及电阻R1提取PMOS管M5的栅源电压，实现正比于输入电压Vin的电容C1充电电流；自适应关断时间产生核心电路采用两对电流镜及3个电阻来采样降压型电源转换器输出端Vout的电压Vout，使得关断时间跟随电压Vin、电压Vout变化而变化进而实现自适应调整，电路电流与降压型电源转换器的负载电流无关，开关频率不受负载电流影响，从而实现了一种用于降压型开关电源的自适应关断时间产生电路。
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公开(公告)号：CN110794913A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911155869.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路，属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比，带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流IR2a及IR4，正温度系数电流IR2a在电阻R2a以及正温度系数电流IR4在电阻R4上产生正温度系数的压降分别与NPN型三极管Q3的基极-发射极电压加权实现高性能的带隙基准参考电压，从而实现一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN109167599A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810884608.3
申请日：2018-08-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于锁相环的快速响应电荷泵电路，包含自偏置共源共栅偏置电路、DN差分数模转换电路、复制电路、充放电电路、UP差分数模转换电路。采用自偏置共源共栅偏置电路为电荷泵核心电路提供电流偏置，有效克服了单个MOS管的沟道长度调制效应，提高了电荷泵的充电电流以及放电电流的匹配精度，与传统共源共栅偏置电路相比提高了电荷泵电路的输出电压摆幅，同时降低了电源电压；采用上下电流源提供充放电电流，抑制了充/放电电流随输出电压的变化，改善了电荷泵的充/放电电流匹配范围；采用同种开关管作为电荷泵的开关，有效地避免了不同开关管之间的固有不匹配；采用正反馈机制，提高开关管的响应速度。
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公开(公告)号：CN106774592B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201611151739.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105807838B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610331692.7
申请日：2016-05-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种高阶温度补偿带隙基准电路，包括启动电路、双极型带隙基准电路、分段线性温度补偿电路以及ΔVGS温度补偿电路，所述启动电路使得高阶温度补偿带隙基准电路正常工作，所述双极型带隙基准电路产生低温度系数的带隙参考电压，将所述分段线性温度补偿电路产生的温度分段线性补偿电压和所述ΔVGS温度补偿电路产生的ΔVGS温度补偿电压加入到所述双极型带隙基准电路产生的低温度系数带隙参考电压中，从而得到高阶温度补偿的基准电压，极大地降低了带隙基准电路输出电压的温度系数。
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公开(公告)号：CN103415120A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310377608.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开一种电源管理驱动芯片及该芯片的应用电路，芯片设置有电源输入脚、接地脚、峰值电压输入脚、采样电阻脚、零电流检测脚、电流感应脚以及栅极驱动脚，在芯片内部设置有V/I变换器、延时单元1、延时单元2、RS触发器、单稳态电路、前沿消隐电路、误差比较器A1、施密特触发器G1、非门G2、跟随器G3、三输入与非门G4、与非门G5、非门G6、计数器G7、逻辑控制单元G8以及输出级G9。其显著效果是：降低了电源驱动芯片的复杂程度、芯片的物理面积以及功耗、简化驱动电源模块的成本，可以通过芯片内部模块快速检测负载是否开路与短路，缩短控制电路的响应时间。
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公开(公告)号：CN116088624B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310063736.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的高PSRR基准参考电路，包括自偏置前调整电路及基准参考核心电路。本发明采用自偏置前调整电路为基准参考核心电路提供工作电源，提高电路的电源抑制比；采用NPN三极管Q12与NPN三极管Q13作为误差放大器的输入对管且其发射极接电阻R6，有效地增加了误差放大器的共模输入范围，降低了电路的复杂度，在误差放大器的输出端接电容C1，提高了电路环路稳定性；采用工作在亚阈值区PMOS管M3提供的电流在电阻R2上产生的电压补偿NPN三极管Q9基极‑发射极电压VBE9的温度高阶非线性，从而获得高PSRR、低温漂系数的基准参考电压，进而实现高PSRR基准参考电路。
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公开(公告)号：CN114070043B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202111273392.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明请求保护一种用于频率合成器的低失配电荷泵，包括偏置电路及电荷泵核心电路。本发明采用共源极充电开关PMOS管M1及共源极放电开关NMOS管M6来抑制电荷共享，充电电流源偏置电路、放电电流源偏置电路分别为PMOS管M2、NMOS管M5提供偏置，传输门TG1、传输门TG2分别作为共源共栅充电电流源及共源共栅放电电流源的栅极开关，防止电荷泵关闭时产生漏极电流；充电电流源提升电路与共源共栅充电电流源构成负反馈回路，放电电流源提升电路与共源共栅放电电流源构成负反馈回路，增加电荷泵输出阻抗，提高电荷泵的充放电流失配性，从而实现用于频率合成器的低失配电荷泵。
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公开(公告)号：CN114337617B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111520510.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明请求保护一种低功耗快速动态比较器，属于微电子技术领域。包括预放大器、比较电路及锁存器，所述预放大器的信号输出端接所述比较电路的信号输入端，所述比较电路的信号输出端接所述锁存器的信号输入端；本发明采用PMOS管构成体二极管结构降低电路的动态功耗，体二极管的栅极接偏置电压端，通过偏置电压调节体二极管的压降，调节比较器的速度，降低电路延时；采用两个背靠背交叉耦合的晶体管作预放大器的负载，提高预放大器的增益，预放大器的两输出端接时钟信号控制的传输门，克服电路电荷失调影响比较器速度的问题；比较电路采用背靠背交叉耦合连接的两反相器构成正反馈的结构，提高比较精度，使系统在一个稳定状态下工作。
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