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公开(公告)号：CN116088624B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310063736.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的高PSRR基准参考电路，包括自偏置前调整电路及基准参考核心电路。本发明采用自偏置前调整电路为基准参考核心电路提供工作电源，提高电路的电源抑制比；采用NPN三极管Q12与NPN三极管Q13作为误差放大器的输入对管且其发射极接电阻R6，有效地增加了误差放大器的共模输入范围，降低了电路的复杂度，在误差放大器的输出端接电容C1，提高了电路环路稳定性；采用工作在亚阈值区PMOS管M3提供的电流在电阻R2上产生的电压补偿NPN三极管Q9基极‑发射极电压VBE9的温度高阶非线性，从而获得高PSRR、低温漂系数的基准参考电压，进而实现高PSRR基准参考电路。
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公开(公告)号：CN116088624A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310063736.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的高PSRR基准参考电路，包括自偏置前调整电路及基准参考核心电路。本发明采用自偏置前调整电路为基准参考核心电路提供工作电源，提高电路的电源抑制比；采用NPN三极管Q12与NPN三极管Q13作为误差放大器的输入对管且其发射极接电阻R6，有效地增加了误差放大器的共模输入范围，降低了电路的复杂度，在误差放大器的输出端接电容C1，提高了电路环路稳定性；采用工作在亚阈值区PMOS管M3提供的电流在电阻R2上产生的电压补偿NPN三极管Q9基极‑发射极电压VBE9的温度高阶非线性，从而获得高PSRR、低温漂系数的基准参考电压，进而实现高PSRR基准参考电路。
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公开(公告)号：CN116048171A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063743.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路，包括(μn)‑1偏置电流产生电路、(μn)‑3(VTHn)‑2偏置电流产生电路及带隙基准核心电路。本发明采用MOS管M7‑M8、MOS管M12‑M13及MOS管M10构成负反馈环路，采用MOS管M7‑M9构成正反馈环路，电阻R2和电容C2构成低通滤波器并降低正反馈环路增益，确保电路稳定；偏置电流产生电路为带隙基准核心电路提供偏置电流，产生具有温度高阶特性的电流IQ2，有效地补偿VEB1温度高阶非线性，从而获得高阶补偿的带隙基准参考电压，进而实现高阶温度补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN116048171B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310063743.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路，包括(μn)‑1偏置电流产生电路、(μn)‑3(VTHn)‑2偏置电流产生电路及带隙基准核心电路。本发明采用MOS管M7‑M8、MOS管M12‑M13及MOS管M10构成负反馈环路，采用MOS管M7‑M9构成正反馈环路，电阻R2和电容C2构成低通滤波器并降低正反馈环路增益，确保电路稳定；偏置电流产生电路为带隙基准核心电路提供偏置电流，产生具有温度高阶特性的电流IQ2，有效地补偿VEB1温度高阶非线性，从而获得高阶补偿的带隙基准参考电压，进而实现高阶温度补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN116846356A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310570194.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种交流增强‑差分反馈补偿技术的三级放大器，包括放大级A1、放大级A2、放大级A3、前馈放大级Af1、前馈放大级Af2、交流放大级Aa、差分反馈放大级Afb、有源反馈放大级Ac、补偿电容Ca以及补偿电容Cf。本发明利用放大级A1、放大级A2以及放大级A3等实现高增益，采用前馈放大级Af1、前馈放大级Af2等电路来实现多路径技术，提高三级放大器的速度，采用交流放大级Aa与补偿电容Ca构成交流增强补偿结构以及差分反馈放大级Afb、有源反馈放大级Ac与补偿电容Cf构成差分反馈补偿结构等补偿技术来提高三级放大器的稳定性，从而实现一种交流增强‑差分反馈补偿技术的三级放大器。
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