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公开(公告)号：CN115432731A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211248904.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域，具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法；本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构，由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构，晶型为面心立方结构，表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构；本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密，同时具有良好晶体学特性和光电性能，在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景；并且，其制备方法无需高温煅烧，生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能，适合大规模工业化制造。
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公开(公告)号：CN115430454A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211198103.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光催化技术领域，涉及半导体光催化剂，提供一种多孔片状氮化碳光催化材料及其制备方法；本发明先由三聚氰胺和氰尿酸通过分子自组装合成多孔片状氮化碳前驱体，再通过热聚合将KOH释放的OH‑与氮化碳边缘的氨基反应形成氮碳‑氰基，氮碳‑氰基作为电子受体与氮化碳七嗪环上的氮原子形成独特的电子供体‑受体系统，促进了光生载流子在分子内高效传输，解决了氮化碳中光生载流子复合严重的问题；同时，氮碳‑氰基的吸电子特性在光催化反应中充当活性位点，促进了光催化反应高效进行；氮化碳的多孔片状结构改善了纳米片团聚，增大了反应物与活性位点的接触机会；最终使得本发明在可见光下表现出优异的光催化还原二氧化碳活性。
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公开(公告)号：CN111293392B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010105836.3
申请日：2020-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/02
Abstract: 一种基于磁偶极作用的高波速自旋波波导，属于磁振子器件技术领域。所述自旋波波导包括亚铁磁矩形条带和位于亚铁磁矩形条带一侧的铁磁矩形条带，所述亚铁磁矩形条带的长度与宽度的比值大于25，厚度为10～50nm，所述铁磁矩形条带的宽度为亚铁磁矩形条带的宽度的1/4～1/2，厚度与亚铁磁矩形条带的厚度相同，所述亚铁磁矩形条带的长度与铁磁矩形条带的长度之差为100nm以上。本发明高波速自旋波波导，其自旋波的相速度相较于现有的一般亚铁磁波导更高，且自旋波传播时的损耗与现有的一般亚铁磁波导一致，不会产生额外的损耗，同时具有低损耗和高相速度的特点。
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公开(公告)号：CN112462536B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110072344.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，属于太赫兹波相位调控领域。包括：1）将有机溶剂注入比色皿中；2）将装有有机溶剂的比色皿放入太赫兹波的光路上；3）在20~70℃的温度范围内调节有机溶剂的温度，即可实现太赫兹波的相位调控。本发明基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，采用苯、甲苯等有机溶剂，价格低廉，容易获得；方法简单，易于操作，重复性好，使用范围广，通过温度或光即可实现太赫兹波的相位调控。
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公开(公告)号：CN111111695B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201911274094.0
申请日：2019-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述锌硫镉光催化材料为CdxZn1‑xS，x＝0.2～0.8，形貌为三维分等级花状结构，单个花体大小为2～3μm，花瓣厚度为2.5～3.5nm。本发明锌硫镉光催化材料从三方面提高光催化活性：首先，三维分等级花状结构的锌硫镉具有较大的比表面积，能提供大量的光催化还原反应活性位点；其次，花瓣较薄的锌硫镉具有较高的捕光效率，能吸收和利用更多的可见光；最后，三维分等级花状结构的锌硫镉禁带宽度在2.4eV左右，导带位置较二氧化碳还原电位更负，有利于促进光生电子在体系中的迁移，延长光生载流子的寿命，提高体系的光催化活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112987344A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110320046.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于类原子空位缺陷的太赫兹波调制器，属于太赫兹波调制器技术领域。包括衬底，以及形成于衬底之上的超材料结构层；所述超材料结构层包括多个阵列排列的超材料单元，所述超材料单元由4个2×2排列的C型谐振环组成，其中，任意一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料。本发明单元结构中的一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料，其中，半导体材料或二氧化钒的引入将作为结构单元中的“空位缺陷”，可呈现出双谐振的效果；同时进一步，通过加热或者光泵浦的外部激励方式，即可实现对太赫兹波的主动调控，结构简单，稳定性好。
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公开(公告)号：CN109574066B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811389901.9
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种硫化镉纳米片的制备方法及其应用，属于半导体光催化材料制备技术领域。具体过程：1)将镉盐放置于小坩埚内，盖上锅盖后，放置于大坩埚内；2)在大坩埚内加入硫脲，直到硫脲完全包覆小坩埚；3)将大坩埚盖上锅盖，并放置于马弗炉内进行煅烧，煅烧温度为300℃，保温时间为4h，反应完成后，自然冷却至室温，取出；4)将上步得到的产物研磨、清洗、干燥，即可得到所述硫化镉纳米片。本发明通过将固态前驱体镉盐在硫脲的氛围下一步煅烧得到，制备过程中无需加入任何有机或无机溶液，制备条件温和，操作简便，适合大规模工业化生产，且得到的硫化镉纳米片的光催化产氢活性有显著提高。
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公开(公告)号：CN112397855A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011200847.6
申请日：2020-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构，属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导，连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导，和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层；相移自旋波波导独立传播两个自旋波，铁磁层的长宽比为(1～5)：1，铁磁层的长度小于相移自旋波波导的长度，铁磁层与相移自旋波波导的间距为100～200nm，使得相移自旋波波导靠近铁磁层侧的自旋波与远离铁磁侧的自旋波产生大小为π的相位差，进而实现自旋波的异或逻辑门功能，无需电流、电压等外部手段调控。优选地相移自旋波波导包括自旋波以边缘模式传播的第一自旋波波导，可简化器件结构，利于器件的小型化。
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公开(公告)号：CN111682104A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010487634.X
申请日：2020-06-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器，属于磁测量领域。所述霍尔传感器包括衬底，以及形成于衬底之上、位于中心的正方体结构的中心电极，形成于衬底之上、与中心电极的四个侧面紧密接触的四个相同的十字形磁感应区域，所述十字形磁感应区域包括自下而上依次设置的沟道层、隔离层、帽层和钝化层，隔离层中设置δ掺杂层；十字形磁感应区域中，远离中心电极的末端设置接地电极，接地电极完全覆盖末端表面，两臂的末端设置测量电极，测量电极完全覆盖末端表面。本发明霍尔传感器在不添加其他有源层、仅采用异质结形成一层磁感应区域的前提下，成功实现了X、Y、Z三个方向的磁场感应，并且具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111121835A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911147559.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件，由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成，该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成，该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成，该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层，该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制，还可以通过热释电效应的电势来进行调节。
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