公开(公告)号：CN111682104A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010487634.X

申请日：2020-06-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟智勇 ,  彭凌飞 ,  金立川 ,  唐晓莉 ,  文天龙 ,  廖宇龙 ,  张怀武

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G01R33/07

Abstract: 一种基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器，属于磁测量领域。所述霍尔传感器包括衬底，以及形成于衬底之上、位于中心的正方体结构的中心电极，形成于衬底之上、与中心电极的四个侧面紧密接触的四个相同的十字形磁感应区域，所述十字形磁感应区域包括自下而上依次设置的沟道层、隔离层、帽层和钝化层，隔离层中设置δ掺杂层；十字形磁感应区域中，远离中心电极的末端设置接地电极，接地电极完全覆盖末端表面，两臂的末端设置测量电极，测量电极完全覆盖末端表面。本发明霍尔传感器在不添加其他有源层、仅采用异质结形成一层磁感应区域的前提下，成功实现了X、Y、Z三个方向的磁场感应，并且具有较高的灵敏度。