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公开(公告)号：CN113448307A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110205886.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种学习完成的模型生成方法、异常主要原因推定装置、基板处理装置、异常主要原因推定方法、学习方法、学习装置以及学习数据制作方法。学习完成的模型生成方法包括：获取学习数据的步骤；以及通过对学习数据进行机器学习从而生成学习完成的模型的步骤，所述学习完成的模型推定经处理流体处理后的处理对象基板的异常的主要原因。学习数据包含特征量及异常主要原因信息。异常主要原因信息表示经处理流体处理后的学习对象基板的异常的主要原因。特征量包含表示时序数据中的区间数据的时间推移的特征的、第一特征量信息，所述时序数据表示利用处理流体对学习对象基板进行处理的基板处理装置使用的物体的物理量。第一特征量信息由时间表示。
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公开(公告)号：CN113053728A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN107210212B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580075552.1
申请日：2015-12-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/308
Abstract: 该基板处理方法，为对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，包括：甲硅烷基化工序，向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对该基板的表面进行甲硅烷基化；药液清洗工序，在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给清洗药液，来清洗该基板的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110352473A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880014780.1
申请日：2018-02-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 基板处理装置包括：液体处理单元，在处理室内将处理液供给至基板的表面；干燥单元，在干燥室内使基板表面的处理液干燥；主运送单元，将基板送入所述处理室；局部运送单元，从所述处理室将基板运送至所述干燥室；以及防干燥流体供给单元，在利用所述局部运送单元运送基板的期间，将防干燥流体供给至所述基板表面，所述防干燥流体用于防止所述基板表面的处理液干燥。
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公开(公告)号：CN109545706A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811083916.2
申请日：2018-09-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的课题在于提供一种能够提高改变衬底表面的化学性质的改性处理液的反应性的技术。本发明的解决手段为对衬底W的表面进行处理的衬底处理方法，其包括下述工序：(a)一边使衬底W旋转一边向该衬底W的表面供给IPA并进行处理的第一溶剂供给工序S4；和(b)在第一溶剂供给工序S4之后供给硅烷化液体从而形成液膜的改性处理液供给工序S5；和(c)在第一溶剂供给工序S4及改性处理液供给工序S5中加热衬底W的工序。所述工序(c)为在改性处理液供给工序S5中对衬底W施加的每单位时间的热量H2大于在第一溶剂供给工序S4中对衬底W施加的每单位时间的热量H1的工序。
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公开(公告)号：CN108962788A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810495772.5
申请日：2018-05-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/6704 , H01L21/67167 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供基板处理装置，具备：基板保持单元，将基板保持为水平；处理液供给单元，具有喷出处理液的处理液喷嘴，向基板的上表面供给处理液；移动单元，使处理液供给单元在处理液喷嘴与基板的上表面相对的处理位置和处理液喷嘴从与基板的上表面相对的位置退避的退避位置之间移动，处理液供给单元具有：第一流路，形成于处理液喷嘴，在处理液供给单元位于处理位置的状态下，一端部与基板的中央区域相对且另一端部与基板的外周区域相对；第二流路，从第一流路的一端部折返延伸，向第一流路的一端部供给处理液；多个喷出口，形成于处理液喷嘴，沿着第一流路延伸的方向排列，向基板的上表面喷出第一流路内的处理液。
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公开(公告)号：CN107871691A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710850685.2
申请日：2017-09-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: F26B3/20 , F26B9/10 , H01L21/67011 , H01L21/67017 , H01L21/67034 , H01L21/67098 , H01L21/6715 , H01L21/67155
Abstract: 本发明提供能由有机溶剂良好地处理基板，并使基板良好地干燥的基板处理方法和装置。该方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；基板旋转工序，使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转；液膜形成工序，向基板的上表面供给处理上表面的第一有机溶剂，在上表面形成第一有机溶剂的液膜；蒸气供给工序，向具有与基板的下表面相向的相向面的加热器单元的相向面和下表面之间的空间，供给第二有机溶剂的蒸气；基板加热工序，与基板旋转工序和液膜形成工序并行，由第二有机溶剂的蒸气加热旋转状态的基板；基板干燥工序，在基板加热工序后，从基板排除第一有机溶剂的液膜，使基板停止旋转，在将基板与加热器单元接触的状态下，使基板的上表面干燥。
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公开(公告)号：CN107210212A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580075552.1
申请日：2015-12-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/308
Abstract: 该基板处理方法，为对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，包括：甲硅烷基化工序，向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对该基板的表面进行甲硅烷基化；药液清洗工序，在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给清洗药液，来清洗该基板的表面。
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