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公开(公告)号：CN1801309A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200610002577.1
申请日：1998-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
CPC classification number: G09G3/3614 , G09G3/2011 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2320/0247 , G09G2320/0276 , G09G2330/021 , H04N9/3105
Abstract: 在一种图像显示装置中，用一种交替方法获得灰度高的图像，该交替方法可处理具有高频带区的视频信号。以一输入信号为基础，一信号处理电路将一对相互之间为反转关系的模拟视频信号(一个信号反转频率为一帧)输出给一信号线驱动电路，该信号线驱动电路将所输入的一对视频信号中的一个加到一条奇数信号线上，而将该对视频信号中的另一个加到一条偶数信号线上，以便执行源线反转驱动。
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公开(公告)号：CN1767226A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510098190.6
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0077 , C23C14/042 , H01L27/32 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/0065 , H01L51/0078 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/56 , Y10S438/942
Abstract: 本发明提供了一种通过蒸发借助于在所需位置选择地淀积用于形成EL层的材料从而形成EL层的方法。当用于形成EL层的材料被淀积时，在船形试样器皿(111)和衬底(110)之间提供一个掩模。通过对所述掩模(113)施加一个电压，用于形成EL层的EL材料的行进方向被控制，从而选择地使所述EL材料淀积在所需位置。
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公开(公告)号：CN1248287C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02152955.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G06F9/45
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。
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公开(公告)号：CN1246816C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN98123149.7
申请日：1998-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
IPC: G09F9/35
CPC classification number: G09G3/3614 , G09G3/2011 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2320/0247 , G09G2320/0276 , G09G2330/021 , H04N9/3105
Abstract: 在一种图像显示装置中，用一种交替方法获得灰度高的图像，该交替方法可处理具有高频带区的视频信号。以一输入信号为基础，一信号处理电路将一对相互之间为反转关系的模拟视频信号(一个信号反转频率为一帧)输出给一信号线驱动电路，该信号线驱动电路将所输入的一对视频信号中的一个加到一条奇数信号线上，而将该对视频信号中的另一个加到一条偶数信号线上，以便执行源线反转驱动。
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公开(公告)号：CN1221010C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01112372.9
申请日：2001-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/32 , H01L51/0004 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种当将用来形成EL层的涂敷液涂敷时，用于选择性地将涂敷液涂敷在所需涂敷位置的装置。当涂敷涂敷液时，在涂敷液室和基质间提供一掩模，并且将一电压施加到所述掩模上，这样涂敷液能选择性地涂敷在所需涂敷位置上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1603924A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410088064.8
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/13 , H01L29/786 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(off set)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1405862A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02130305.3
申请日：2002-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0838 , C21D1/34 , H01L21/02686 , H01L21/2026
Abstract: 本发明试图提供一种激光退火方法，该方法通过使用运行成本较低的激光退火装置来处理大尺寸基底，以防止或减少同心圆图案的产生，并且提供一种包括一个使用激光退火方法的步骤的半导体设备制造方法。在以处于20到200cm/s之间的恒速移动基底的同时，激光束斜向照射半导体基底表面上的半导体膜。因此即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以照射均匀的激光束，从而制造出防止或减少了同心圆产生的半导体设备。通过将多束激光束聚光成一个光流，可以防止或减少同心圆图案的产生，从而提高了半导体设备的可靠性。
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公开(公告)号：CN1291792A
公开(公告)日：2001-04-18
申请号：CN00130498.4
申请日：2000-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L2251/5315 , H01L2251/566
Abstract: 为了提供一种高效率薄膜沉积方法,用于精确地薄膜沉积由聚合物制成的有机EL材料而没有任何偏移。象素区被棱分割为多个象素行,薄膜沉积装置的头部沿着象素行扫描从而同时把红光发射层涂敷液体、绿光发射层涂敷液体和蓝光发射层涂敷液体涂敷成条状。然后进行热处理以便形成发射红、绿和蓝色光的光发射层。
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公开(公告)号：CN1058585C
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN94112813.X
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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