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公开(公告)号：CN1808723A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510116483.2
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN1662106A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510055941.6
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN1661651A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510056333.7
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。
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公开(公告)号：CN1193435C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN00124108.7
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN1571165A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410064274.3
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L27/092 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1146056C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN95108515.8
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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公开(公告)号：CN1400673A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02107360.0
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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公开(公告)号：CN1279515A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN00118478.4
申请日：2000-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/0004 , H01L51/0013 , H01L51/5231 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明的目的是降低EL显示器件和包含EL显示器件的电子设备的制作成本。EL材料是通过在有源矩阵型EL显示器件中进行印刷而制作的。可用的印刷法包括凸版印刷或丝网印刷。因此,简化了EL层的制作步骤,降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN1055790C
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN94116346.6
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。
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公开(公告)号：CN1109220A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94116346.6
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。
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