-
公开(公告)号：CN100392876C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410076977.8
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5246 , H01L51/529 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种高可靠性EL显示器件以及制造该显示器件的方法，它可以屏蔽侵入的潮气或氧，这是劣化EL元件性能的一个因素，而没有增大EL显示器件。在本发明中，涂敷作为一种方法，用于形成高热稳定性平整薄膜16，典型的是，TFT的中间绝缘薄膜(作为以后发光元件的基础薄膜)，在该薄膜中，采用硅(Si)和氧(O)的组合构成主干结构。在形成之后，再形成具有锥形形状的边缘部分和开孔部分。此后，添加具有相对较大原子半径的惰性元素产生变形，以改进或高密度化其表面(包括侧面)，从而防止潮气或氧的侵入。
-
公开(公告)号：CN100380596C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200480011134.8
申请日：2004-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786 , H01L21/027 , B05D1/26 , B05C5/00
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在本发明中提供了一种能够对从液滴排出装置排出的液滴滴落至衬底后的位置控制进行改善的图案的制作方法。此外，提供一种能够对滴落后的液滴位置精度进行改善的液滴排出装置。进而，提供一种使用本发明的液滴排出装置的半导体装置的制造方法。本发明的特征在于：对从排出部排出的液滴或滴落液滴的衬底照射激光，控制液滴的滴落位置。通过本发明，不使用光刻工序便能够形成图案。
-
公开(公告)号：CN101013674A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710006392.2
申请日：2007-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/58 , H05K13/04 , G06K19/077
CPC classification number: H05K13/0478 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , Y10T29/41 , Y10T29/49018 , Y10T29/4913 , Y10T29/49169 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的目的在于提供一种低成本的半导体器件的制造方法及可以以低成本制造半导体器件的制造装置。本发明是一种半导体器件的制造装置，包括：具有被排列设置的保持部的工具；控制被排列设置的保持部之间的间隔的控制机构；设有多个半导体集成电路的支撑机构；以及设有具有多个元件的衬底的支撑机构，其中由具有被排列设置的保持部的工具将半导体集成电路安装于元件，来制造半导体器件。
-
公开(公告)号：CN101002312A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580025879.4
申请日：2005-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/56 , B29C65/02 , G06K19/077 , G06K19/07 , B42D15/10
CPC classification number: H01L27/1266 , B32B37/0053 , B32B37/226 , B32B2425/00 , G06K19/077 , G06K19/07718 , H01L24/86 , H01L27/1214 , H01L2224/7965 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
Abstract: 从衬底上剥离薄膜集成电路，并且为了提高制造产量有效地密封剥离的薄膜集成电路。本发明提供一种层压系统，包括：传送装置，用于传送提供有多个薄膜集成电路的衬底；第一剥离装置，用于将薄膜集成电路的第一表面结合到第一薄片构件，以从该衬底剥离该薄膜集成电路；第二剥离装置，用于将薄膜集成电路的第二表面结合到第二薄片构件，以从第一薄片构件剥离薄膜集成电路；和密封装置，用于在第二薄片构件和第三薄片构件之间插入该薄膜集成电路，以用第二薄片构件和第三薄片构件密封该薄膜集成电路。
-
公开(公告)号：CN1890788A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035990.7
申请日：2004-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786
Abstract: 可以想象的是，在制造大面积显示器中，信号被导线的电阻延迟的问题变得非常显著。本发明提供了一种使用适合于大尺寸衬底的通过微滴排放方法的制造过程。在本发明中，预先在衬底上形成增强粘附性的基层11(或者基底预处理)并形成绝缘膜之后，形成具有期望图案形状的掩模并通过使用该掩模形成期望的凹陷。在具有掩模13和绝缘膜制成的侧壁的凹陷中通过微滴排放方法填充金属材料，以形成嵌入导线(栅电极、电容器导线、引线等)。其后，通过平坦化处理使其平坦，例如挤压或者CMP处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1871711A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031537.9
申请日：2004-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H05B33/10 , H05B33/14
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L27/3276 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。
-
公开(公告)号：CN1264199C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN00819227.8
申请日：2000-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。
-
公开(公告)号：CN1649454A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510007056.0
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0022 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L51/055 , H01L51/529
Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。
-
公开(公告)号：CN1619772A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410100105.0
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/8234 , G02F1/133
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN1604279A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083448.0
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/4867 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括用于形成由高熔点金属组成的第一导电层以与一绝缘层相接触的第一步骤；以及用于通过流注包含导电材料的合成物来形成第二导电层以与第一导电层相接触的第二步骤。在通过液滴流注形成第二导电层之前，形成所述第一导电层，并因此，提高了第二导电层的粘合性和抗剥离性。此外，用第一导电层覆盖绝缘层，从而防止绝缘层的损坏或破坏。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.043 seconds)
